MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron 4GB LPDDR4X SDRAM | DRAM băng thông cao, tiết kiệm điện

Tổng quan về Sản phẩm

MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B là một bộ nhớ LPDDR4X SDRAM 4GB của Micron, được thiết kế dành cho các sản phẩm di động, nền tảng biên AIoT, bộ điều khiển công nghiệp và các hệ thống đa phương tiện. Là thành viên của dòng LPDDR4X tiết kiệm điện, sản phẩm hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên đến 4266Mbps trong khi hoạt động ở mức VDD2 = 0,6V, giúp giảm đáng kể mức tiêu thụ điện năng ở cấp độ hệ thống.

Hiệu suất băng thông cao và độ trễ thấp khiến nó phù hợp với các đường dẫn xử lý hình ảnh, khối lượng công việc AI, kết xuất đa phương tiện và các ứng dụng nhúng hiệu suất cao thời gian thực khác.

Tính năng nổi bật

• Nền tảng LPDDR4X băng thông cao, tiết kiệm điện của Micron
• mật độ 4GB (tổ chức 512M × 32)
• Tốc độ dữ liệu lên đến 4266Mbps
• Hoạt động ở điện áp cực thấp (VDD2 = 0,6V)
• Tối ưu hóa cho xử lý song song hình ảnh, video và khối lượng công việc AI
• Kiến trúc nhóm Bank cải thiện hiệu suất truyền tải
• Độ tin cậy công nghiệp cho triển khai dài hạn
• Gói FBGA phù hợp với thiết kế nhúng nhỏ gọn

Các lĩnh vực ứng dụng

• Điện thoại thông minh và máy tính bảng
• Nền tảng điện toán biên AIoT
• Hệ thống nhúng công nghiệp, HMI, PLC
• Thiết bị giám sát thông minh và thị giác máy tính
• VR/AR, hệ thống hiển thị, động cơ đa phương tiện
• Hình ảnh y tế và thiết bị cầm tay
• Hệ thống giải trí ô tô (không phải cấp ô tô; tùy thuộc dự án)

Thông số kỹ thuật chính

Yêu cầu báo giá

Để yêu cầu báo giá cho MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B — bao gồm tình trạng sẵn có, thời gian giao hàng, MOQ, chi tiết lô hàng, bảng dữ liệu hoặc các sản phẩm thay thế được đề xuất — vui lòng gửi RFQ của bạn.

Hỗ trợ cung cấp theo nhu cầu, tìm nguồn linh kiện khan hiếm, đóng gói BOM và lập kế hoạch cung ứng sản xuất dài hạn.