MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B | Micron 4GB LPDDR4X SDRAM | High-Bandwidth Low-Power DRAM

PRODUKTOVERSICHT

Der MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B ist ein 4 GB großer LPDDR4X SDRAM von Micron, konzipiert für mobile Produkte, AIoT-Edge-Plattformen, industrielle Steuerungen und Multimedia-Systeme. Als Teil der energieeffizienten LPDDR4X-Familie unterstützt er Datentransferraten von bis zu 4266 Mbps bei einem Betriebsspannungsniveau von VDD2 = 0,6 V und reduziert so den stromverbrauch auf Systemebene erheblich.

Dank seiner hohen Bandbreite und geringen Latenz eignet er sich für Bildverarbeitungspipelines, KI-Anwendungen, Multimedia-Rendering und andere echtzeitfähige Hochleistungsanwendungen im Embedded-Bereich.

Hauptmerkmale

• Micron LPDDR4X High-Bandwidth, Low-Power Plattform
• 4 GB Speicherdichte (512M × 32 Organisation)
• Datenrate bis zu 4266 Mbps
• Betrieb mit extrem niedriger Spannung (VDD2 = 0,6 V)
• Optimiert für parallele Bildverarbeitung, Video- und KI-Workloads
• Die Architektur der Bankengruppe verbessert den Durchsatz
• Industrielle Zuverlässigkeit für langfristigen Einsatz
• FBGA-Gehäuse geeignet für kompakte Embedded-Designs

Anwendungsbereiche

• Smartphones und Tablets
• AIoT-Edge-Computing-Plattformen
• Industrielle Embedded-Systeme, HMI, SPS
• Intelligente Überwachungs- und Computer-Vision-Geräte
• VR/AR, Anzeigesysteme, Multimedia-Engines
• Medizinische Bildgebung und tragbare Instrumente
• Automotive-Infotainmentsysteme (nicht Automotive-tauglich; projektabhängig)

Wichtige Spezifikationen

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