K4AAG085WB-BCWE | Чип памяти Samsung DDR4 16 Гб SDRAM | Высокоскоростная, энергоэффективная память для серверов и промышленных систем

Обзор продукта

K4AAG085WB-BCWE — это 16 Гб DDR4 SDRAM от Samsung Semiconductor, структурированная как 2G × 8 и соответствующая стандартам JEDEC DDR4. Поддерживает скорость до 3200 Мбит/с и работает при напряжении 1,2 В, обеспечивая высокую пропускную способность, эффективность и надежность. Корпус FBGA с 96 шариками обеспечивает превосходные тепловые характеристики и целостность сигнала, что делает его идеальным решением для серверов, ускорителей ИИ, промышленных систем и встраиваемых вычислительных устройств.

Ключевые особенности

• Соответствие стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Поддерживает скорость передачи данных до 3200 Мбит/с (DDR4-3200)
• Работает при напряжении 1,2 В ± 0,06 В для эффективной работы с низким энергопотреблением
• структура 8 банков × 2 для повышения пропускной способности
• Встроенный DLL для точного управления временными параметрами и синхронизации
• Поддерживает автоматическое обновление, режим самонаведения и энергосберегающие режимы
• Широкий диапазон рабочих температур (-40 °C ~ +95 °C) обеспечивает промышленный уровень надежности
• Компактный корпус FBGA с 96 шариками, обеспечивающий целостность сигнала и отвод тепла

Применения

• Модули памяти для серверов и центров обработки данных
• Сетевое и накопительное оборудование
• Промышленная автоматизация и встраиваемые системы
• Автомобильные информационно-развлекательные системы и платформы искусственного интеллекта
• Потребительские и высокопроизводительные устройства отображения

Технические характеристики

Запрос котировки

Для получения актуальных данных о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4AAG085WB-BCWE, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовой поставке и управлению запасами.