K4AAG085WB-BCWE | Samsung DDR4 16 Gb SDRAM atminties mikroschemos | Didelio greičio, mažos energijos suvartojimo serverių ir pramoninės paskirties atmintis

Produkto apžvalga

K4AAG085WB-BCWE yra 16 Gb DDR4 SDRAM gamintojo Samsung Semiconductor, organizuota kaip 2G × 8 ir atitinkanti JEDEC DDR4 standartus. Palaikydama duomenų perdavimo greitį iki 3200 Mbps ir veikdama 1,2 V įtampa, ši mikroschema užtikrina puikų pralaidumą, efektyvumą bei patikimumą. 96 kontaktų FBGA korpusas užtikrina geresnį šilumos išsiskyrimą ir signalo vientisumą, todėl ji puikiai tinka serveriams, dirbtinio intelekto pagreitintuvams, pramoninėms sistemoms ir įmontuotiesiems kompiuteriams.

Pagrindinės savybės

• Atitinka JEDEC DDR4 SDRAM standartą
• Palaiko iki 3200 Mbps duomenų perdavimo greitį (DDR4-3200)
• Veikia 1,2 V ± 0,06 V įtampa, užtikrindama efektyvų mažo energijos suvartojimo veikimą
• 8 bankų × 2 struktūra, pagerinant našumą
• Integruotas DLL tiksliai laiko sinchronizacijai
• Palaiko automatinį atnaujinimą, savęs atnaujinimą ir energijos taupymo režimus
• Platus darbo temperatūrų diapazonas (-40 °C ~ +95 °C), užtikrinantis pramoninės klasės patikimumą
• Kompaktiškas 96 kontaktų FBGA korpusas, užtikrinantis signalo vientisumą ir šilumos sklaidą

Panaudojimo būdai

• Serverių ir duomenų centrų atminties moduliai
• Tinklo ir saugojimo įranga
• Pramoninė automatizacija ir įterptinės sistemos
• Automobilių informacinės pramogos ir dirbtinio intelekto skaičiavimo platformos
• Vartotojų ir aukštos našumo vaizdo įrenginiai

Techninės specifikacijos

Kainos paklausimas

Norėdami gauti aktualią K4AAG085WB-BCWE atsargų, kainų ir pristatymo informaciją, prašome RFK nurodyti Kiekį (Qty), reikalaujamą pristatymo laiką ir tikslinę kainą. Mūsų komanda greitai pateiks geriausią pasiūlymą bei palaikymą BOM rinkiniams, vienetinių detalių tiekimui ir atsargų valdymui.