K4AAG085WB-BCWE | Мікросхема пам'яті Samsung DDR4 16 Гб SDRAM | Висока швидкість, низьке енергоспоживання, для серверів та промислових систем

Огляд продукту

K4AAG085WB-BCWE — це 16 Гб чіп пам'яті DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організований як 2G × 8 і сумісний зі стандартами JEDEC DDR4. Підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с і працює при напрузі 1,2 В, забезпечуючи високу пропускну здатність, ефективність і надійність. Корпус 96-ball FBGA забезпечує вдосконалену тепловіддачу та цілісність сигналу, що робить його ідеальним для серверів, прискорювачів штучного інтелекту, промислових систем та вбудованих обчислювальних пристроїв.

Основні особливості

• Відповідність стандарту JEDEC DDR4 SDRAM
• Підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с (DDR4-3200)
• Працює при напрузі 1,2 В ± 0,06 В для ефективної роботи з низьким енергоспоживанням
• структура 8 банків × 2 для покращення продуктивності
• Інтегрований DLL для точного керування часом і синхронізації
• Підтримка автоматичного оновлення, самоновлення та режимів економії енергії
• Широкий діапазон робочих температур (-40°C ~ +95°C) забезпечує надійність на промисловому рівні
• Компактний корпус 96-ball FBGA, що забезпечує цілісність сигналу та ефективне відведення тепла

Застосування

• Модулі пам'яті для серверів і центрів оброблення даних
• Мережеве та сховищне обладнання
• Промислова автоматизація та вбудовані системи
• Автомобільні інформаційно-розважальні системи та платформи штучного інтелекту
• Побутові та високопродуктивні пристрої відображення

Технічні специфікації

Запит на ціну

Для отримання актуальних даних про наявність, ціни та терміни поставки K4AAG085WB-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.