K4AAG085WB-BCWE | Chip pamięci Samsung DDR4 16Gb SDRAM | Wysoka wydajność, niski pobór mocy, pamięć dla serwerów i systemów przemysłowych

Przegląd produktu

K4AAG085WB-BCWE to pamięć 16Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 2G × 8, zgodna ze standardami JEDEC DDR4. Obsługująca prędkości do 3200 Mbps i działająca przy napięciu 1,2 V, oferuje doskonałą przepustowość, efektywność oraz niezawodność. Obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami zapewnia lepszą wydajność termiczną i integralność sygnału, co czyni ją idealną dla serwerów, akceleratorów sztucznej inteligencji, systemów przemysłowych i obliczeń wbudowanych.

Kluczowe cechy

• Zgodny ze standardem JEDEC DDR4 SDRAM
• Obsługuje szybkość transmisji danych do 3200 Mbps (DDR4-3200)
• Działa przy napięciu 1,2 V ± 0,06 V, zapewniając efektywną pracę przy niskim poborze mocy
• struktura 8 banków × 2 dla poprawionej przepustowości
• Zintegrowany DLL dla precyzyjnego czasowania i synchronizacji
• Obsługuje automatyczne odświeżanie, samoodświeżanie i tryby oszczędzania energii
• Szeroki zakres temperatur (-40°C ~ +95°C) gwarantujący niezawodność na poziomie przemysłowym
• Kompaktowa obudowa FBGA z 96 wyprowadzeniami zapewniająca integralność sygnału i odprowadzanie ciepła

Zastosowania

• Moduły pamięci dla serwerów i centrów danych
• Urządzenia sieciowe i systemy pamięci masowej
• Automatyka przemysłowa i systemy wbudowane
• Platformy rozrywki pokładowej i obliczeń sztucznej inteligencji w pojazdach samochodowych
• Urządzenia konsumenckie i wysokiej wydajności do wyświetlania obrazu

Specyfikacje techniczne

Prośba o wycenę

W celu uzyskania aktualnych danych dotyczących stanu magazynowego, cen i terminów dostawy produktu K4AAG085WB-BCWE prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie komplektowania listy materiałowej (BOM), dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.