K4AAG085WB-BCWE | Samsung DDR4 16 Gb SDRAM-Speicherchip | Hochgeschwindigkeits-, stromsparender Serverspeicher und industrieller Speicher

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K4AAG085WB-BCWE

16 GB schneller DDR4-SDRAM für Server, industrielle Steuerungen und eingebettete Anwendungen.

PRODUKTOVERSICHT

K4AAG085WB-BCWE ist ein 16-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 2G × 8 und konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Mit Unterstützung von Geschwindigkeiten bis zu 3200 Mbps und einem Betrieb bei 1,2 V bietet er hervorragende Bandbreite, Effizienz und Zuverlässigkeit. Das 96-polige FBGA-Gehäuse gewährleistet eine überlegene thermische Leistung und Signalintegrität und eignet sich daher ideal für Server, KI-Beschleuniger, Industriesysteme und Embedded-Computing.

 

Hauptmerkmale

  • JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
  • Unterstützt eine Datenrate von bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
  • Betrieb bei 1,2 V ± 0,06 V für effiziente, stromsparende Leistung
  • 8-Bank-×-2-Aufbau für verbesserte Durchsatzleistung
  • Integrierte DLL für präzise Taktabstimmung und Synchronisation
  • Unterstützt Automatische Aktualisierung, Selbstaktualisierung und energiesparende Modi
  • Weiter Temperaturbereich (-40 °C ~ +95 °C) für industriegeeignete Zuverlässigkeit
  • Kompaktes 96-poliges FBGA-Gehäuse, das Signalintegrität und Wärmeableitung sicherstellt

 

Anwendungen

  • Speichermodule für Server und Rechenzentren
  • Netzwerk- und Speicherausrüstung
  • Industrielle Automatisierung und eingebettete Systeme
  • Automotive-Infotainment- und KI-Rechenplattformen
  • Consumer- und Hochleistungs-Displaygeräte

 

Technische Spezifikationen

Parameter Wert
Dichte 16 Gb (2G × 8)
Datenrate 3200 Mbps
VDD 1,2 V ± 0,06 V
Verpackung 96-Ball FBGA
Abmessung 9 × 8 × 1,2 mm
Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
Timing CL = 22 @ 3200 Mbps
Datenbreite ×8
Funktionen DLL, Auto/Selbst-Refresh
Schnittstelle SSTL_12

 

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