pamięć DDR4 ×16 SDRAM o pojemności 16 GB i dużej szybkości, zaprojektowana dla serwerów, automatyzacji przemysłowej i obliczeń wbudowanych.
Przegląd produktu
K4AAG165WB-BCWE to pamięć 16Gb DDR4 SDRAM firmy Samsung Semiconductor, zorganizowana jako 1G × 16, w pełni zgodna ze standardami JEDEC DDR4. Obsługuje szybkość przesyłu danych do 3200 Mbps przy napięciu pracy 1,2 V, zapewniając doskonałą wydajność, efektywność i niezawodność. Dzięki kompaktowej obudowie 96-ball FBGA gwarantuje wysoką integralność sygnału i stabilność termiczną, co czyni ją idealną do zastosowań w serwerach, akceleratorach AI, automatyce przemysłowej oraz elektronice samochodowej.
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 16 GB (1G × 16) |
| Wskaźnik danych | 3200 Mbps |
| VDD | 1,2 V ± 0,06 V |
| Szerokość danych | ×16 |
| Opakowanie | 96-Ball FBGA |
| Wymiary | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| ## Czasowanie | CL = 22 przy 3200 Mbps |
| Architektura | 8 banków × 2 |
| Funkcje | DLL, automatyczne/własne odświeżanie |
| Interfejs | SSTL_12 |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i terminach dostawy produktu K4AAG165WB-BCWE, prosimy podać ilość (Qty), wymagany czas realizacji oraz cenę docelową w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie komplektowania BOM, dostaw jednostkowych i zarządzania zapasami.