K4AAG165WB-BCWE | Samsung DDR4 16 Gb ×16 SDRAM | Hochgeschwindigkeitsspeicher mit geringem Stromverbrauch für Server und industrielle Anwendungen

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K4AAG165WB-BCWE

16-Gb-Hochgeschwindigkeits-DDR4-×16-SDRAM, entwickelt für Server, industrielle Automatisierung und Embedded-Computing.

PRODUKTOVERSICHT

K4AAG165WB-BCWE ist ein 16-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 1G × 16 und vollständig konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Er unterstützt Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps bei einer Betriebsspannung von 1,2 V und bietet so hervorragende Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank des kompakten 96-poligen FBGA-Gehäuses gewährleistet er eine hohe Signalintegrität und thermische Stabilität und eignet sich ideal für den Einsatz in Servern, KI-Beschleunigern, der industriellen Automatisierung und der Automobil-Elektronik.

 

Hauptmerkmale

  • JEDEC-konformer DDR4-SDRAM-Standard
  • Unterstützt Datentransferraten bis zu 3200 Mbps (DDR4-3200)
  • Betrieb bei 1,2 V ± 0,06 V für optimierten geringen Stromverbrauch
  • ×16-Datenbreite für erhöhte Systembandbreite
  • Integrierte DLL sorgt für präzise Timing-Steuerung
  • Unterstützt automatische Aktualisierung und energiesparende Funktionen
  • Großer Temperaturbereich (-40 °C bis +95 °C) für industrielle Anwendungen
  • Kompaktes 96-poliges FBGA-Gehäuse für hohe Zuverlässigkeit und Signalintegrität

 

Anwendungen

  • Speichermodule für Server und Rechenzentren
  • Industrieautomations- und Steuerungssysteme
  • Automotive-Infotainment und KI-Edge-Computing
  • Netzwerk- und Kommunikationsrouter
  • Consumer-Elektronik und eingebettete Hauptplatinen

 

Technische Spezifikationen

Parameter Wert
Dichte 16 Gb (1G × 16)
Datenrate 3200 Mbps
VDD 1,2 V ± 0,06 V
Datenbreite ×16
Verpackung 96-Ball FBGA
Abmessung 9 × 8 × 1,2 mm
Temperaturbereich -40 °C ~ +95 °C
Timing CL = 22 @ 3200 Mbps
Architektur 8 Bank × 2
Funktionen DLL, Auto/Selbst-Refresh
Schnittstelle SSTL_12

 

Angebotsanfrage

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