16-Gb-Hochgeschwindigkeits-DDR4-×16-SDRAM, entwickelt für Server, industrielle Automatisierung und Embedded-Computing.
PRODUKTOVERSICHT
K4AAG165WB-BCWE ist ein 16-Gb-DDR4-SDRAM von Samsung Semiconductor, organisiert als 1G × 16 und vollständig konform mit den JEDEC-DDR4-Standards. Er unterstützt Datentransferraten von bis zu 3200 Mbps bei einer Betriebsspannung von 1,2 V und bietet so hervorragende Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit. Dank des kompakten 96-poligen FBGA-Gehäuses gewährleistet er eine hohe Signalintegrität und thermische Stabilität und eignet sich ideal für den Einsatz in Servern, KI-Beschleunigern, der industriellen Automatisierung und der Automobil-Elektronik.
Hauptmerkmale
Anwendungen
Technische Spezifikationen
| Parameter | Wert |
| Dichte | 16 Gb (1G × 16) |
| Datenrate | 3200 Mbps |
| VDD | 1,2 V ± 0,06 V |
| Datenbreite | ×16 |
| Verpackung | 96-Ball FBGA |
| Abmessung | 9 × 8 × 1,2 mm |
| Temperaturbereich | -40 °C ~ +95 °C |
| Timing | CL = 22 @ 3200 Mbps |
| Architektur | 8 Bank × 2 |
| Funktionen | DLL, Auto/Selbst-Refresh |
| Schnittstelle | SSTL_12 |
Angebotsanfrage
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