16 Гб високошвидкісна DDR4 ×16 SDRAM, розроблена для серверів, промислової автоматизації та вбудованих обчислювальних систем.
Огляд продукту
K4AAG165WB-BCWE — це 16 Гб DDR4 SDRAM від Samsung Semiconductor, організована як 1G × 16 і повністю сумісна зі стандартами JEDEC DDR4. Підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт/с при роботі на напрузі 1,2 В, забезпечуючи відмінну продуктивність, ефективність і надійність. Завдяки компактному корпусу 96-ball FBGA гарантує високу цілісність сигналу та термостабільність, що робить її ідеальною для використання в серверах, прискорювачах ШІ, промисловій автоматизації та автомобільній електроніці.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 16 Гб (1Г × 16) |
| Швидкість передачі даних | 3200 Мбіт/с |
| VDD | 1,2 В ± 0,06 В |
| Розрядність даних | ×16 |
| Пакування | 96-Ball FBGA |
| Розмір | 9 × 8 × 1,2 мм |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Час | CL = 22 @ 3200 Мбіт/с |
| Архітектура | 8 банків × 2 |
| Функції | DLL, автоматичне/самостійне оновлення |
| Інтерфейс | SSTL_12 |
Запит на ціну
Для отримання актуальної інформації про наявність на складі, ціни та терміни поставки K4AAG165WB-BCWE, будь ласка, вкажіть у запиті пропозиції Кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.