JARON GaNドライバーアンプは、広帯域レーダーおよび通信システムにおける高直線性、高効率のドライバーステージ向けに設計されています。出力最大+38dBm、利得20dB以上を特徴とし、LバンドからXバンドにわたって安定した性能を確保します。
製品概要
JARON GaNドライバーアンプシリーズはGaN-on-SiC技術を採用しており、優れた熱性能と高い線形性を提供します。高効率かつ小型パッケージを実現しており、高電力アンプ回路における理想的なドライバ段または中間段として、スペースに制約のある設計に最適です。
応用
モデル |
周波数範囲 (GHz) |
S21 （dB） |
Psat (dBm) |
電力 利得（dB） |
PAE |
Vd (V) |
Idd (A) |
動作 モード |
パッケージ |
GXDR1001G |
6~18 |
10 |
26.5 |
- |
0.118 |
9 |
28 |
CW＆パルス |
死ぬ |
GXDR1002G |
7~13 |
13 |
25 |
22 |
0.05 |
10 |
28 |
CW＆パルス |
死ぬ |
GXDR1003G |
14~18 |
22.3 |
28.8 |
20 |
0.09 |
19 |
40 |
CW＆パルス |
死ぬ |
GXDR1004G |
14~18 |
15 |
30.2 |
24 |
0.11 |
20 |
40 |
CW＆パルス |
死ぬ |
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