تقویتکنندههای درایور GaN JARON برای مدارهای درایور با خطیبودن بالا و بازده بالا در سیستمهای راداری و ارتباطی پهنباند طراحی شدهاند. این تقویتکنندهها دارای توان خروجی تا 38 دسیبل-میلیوات و بهره بیش از 20 دسیبل هستند و عملکرد پایداری را در محدوده باند L تا X تضمین میکنند.
خلاصه ی محصول
سری تقویتکننده درایور GaN JARON از فناوری GaN-on-SiC استفاده میکند و عملکرد حرارتی عالی و خطیبودن قوی را ارائه میدهد. این سری به عنوان یک درایور پیشتقویتکننده یا مرحله میانی در زنجیره تقویتکنندههای با توان بالا عمل میکند و کارایی بالا و بستهبندی فشرده را برای طراحیهای با محدودیت فضا ترکیب میکند.
کاربردها
مدل |
دامنه فرکانس (گیگاهرتز) |
S21 (دسی بل) |
Psat (دسیبلمیلیوات) |
توان بهره (dB) |
راندمان توان تزریقی (PAE) |
Vd (ولت) |
Idd (آمپر) |
دما حالت |
بسته |
GXDR1001G |
6~18 |
10 |
26.5 |
- |
0.118 |
9 |
28 |
CW و پالس |
قالب |
GXDR1002G |
7~13 |
13 |
25 |
22 |
0.05 |
10 |
28 |
CW و پالس |
قالب |
GXDR1003G |
14~18 |
22.3 |
28.8 |
20 |
0.09 |
19 |
40 |
CW و پالس |
قالب |
GXDR1004G |
14~18 |
15 |
30.2 |
24 |
0.11 |
20 |
40 |
CW و پالس |
قالب |
EN
