Illesztőerősítő | Magas lineáris sávszélességű GaN előerősítő – JARON

Összes kategória

GaN

Főoldal >  Termékek >  TTF Termékek >  Mikrohullámú Chip >  GaN

Vezérlőerősítő

A JARON GaN előerősítők magas linealitású, magas hatásfokú előerősítő fokozatokhoz lettek tervezve szélessávú radar- és kommunikációs rendszerekben. Akár +38 dBm-es kimeneti teljesítményt és 20 dB feletti nyereséget kínálnak, stabil teljesítményt biztosítva L-től X sávig.

Termék áttekintése

A JARON GaN meghajtóerősítő sorozat GaN-on-SiC technológiát használ, kiváló hőteljesítményt és erős linealitást nyújtva. Ideális előerősítő vagy köztes fokozatként magas teljesítményű erősítőláncokban, magas hatásfokot és kompakt csomagolást kombinálva helyigényes tervezési megoldásokhoz.

   

Alkalmazások

  • Meghajtó fokozat GaN teljesítményerősítőkhöz
  • Radar T/R modul köztes erősítő
  • Műholdas kommunikációs adólánc
  • Mikrohullámú jelforrás és tesztrendszer
  • Vezeték nélküli bázisállomás és 5G RF rendszerek

   

Modell

Frekvenciatartomány (GHz)

S21 (dB)

Psat

(dBm)

Teljesítmény nyereség (dB)

PAE

Vd (V)

Idd (A)

Működési mód

Csomagolás

GXDR1001G

6~18

10

26.5

-

0.118

9

28

CW & Impulzus

Mátrix

GXDR1002G

7~13

13

25

22

0.05

10

28

CW & Impulzus

Mátrix

GXDR1003G

14~18

22.3

28.8

20

0.09

19

40

CW & Impulzus

Mátrix

GXDR1004G

14~18

15

30.2

24

0.11

20

40

CW & Impulzus

Mátrix

Kérjen ingyenes árajánlatot

Képviselőnk hamarosan felveszi Önnel a kapcsolatot.
E-mail
Mobil/WhatsApp
Név
Cégnév
Üzenet
0/1000

KAPCSOLÓDÓ TERMÉK