ชิปหน่วยความจำ DDR4 ขนาด 16 กิกะบิต ×16 ประสิทธิภาพสูง สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ยานยนต์ และการใช้งานในอุตสาหกรรม
ภาพรวมผลิตภัณฑ์
K4AAG165WC-BIWE000 เป็นหน่วยความจำ DDR4 SDRAM ขนาด 16Gb จาก Samsung Semiconductor จัดเรียงเป็น 1G × 16 และสอดคล้องกับมาตรฐาน JEDEC DDR4 ทำงานที่แรงดัน 1.2V และรองรับอัตราการถ่ายโอนข้อมูลสูงสุด 3200 Mbps ให้แบนด์วิดธ์สูงพร้อมการใช้พลังงานต่ำ ด้วยแพคเกจ FBGA 96 บอล และการออกแบบสำหรับช่วงอุณหภูมิกว้าง อุปกรณ์นี้เหมาะสำหรับการใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ ระบบยานยนต์ คอนโทรลเลอร์อุตสาหกรรม และแพลตฟอร์มการประมวลผลที่ใช้ปัญญาประดิษฐ์ ซึ่งต้องการความน่าเชื่อถือและความทนทานสูง
ลักษณะสําคัญ
Applications
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค
| พารามิเตอร์ | ค่า |
| ความหนาแน่น | 16 กิกะบิต (1G × 16) |
| อัตราการข้อมูล | 3200 Mbps |
| VDD | 1.2V ± 0.06V |
| แพ็คเกจ | 96-Ball FBGA |
| มิติ | 9 × 8 × 1.2 มม. |
| ช่วงอุณหภูมิ | -40°C ถึง +95°C |
| เวลา | CL = 22 ที่ 3200 Mbps |
| ความกว้างของข้อมูล | ×16 |
| ฟังก์ชัน | DLL, การรีเฟรชอัตโนมัติ/อัตโนมัติ |
| อินเทอร์เฟซ | SSTL_12 |
ขอใบเสนอราคา
สำหรับข้อมูลสต็อก สินค้าจริง ราคา และการจัดส่งของ K4AAG165WC-BIWE000 กรุณาใส่จำนวนที่ต้องการ (Qty), เวลาที่ต้องการให้จัดส่ง และราคาเป้าหมายในใบเสนอราคา (RFQ) ของเราทีมงานจะจัดทำใบเสนอราคาที่ดีที่สุดพร้อมการสนับสนุนด้านการจัดชุด BOM การจัดหาสินค้าแบบสปอต และการบริหารจัดการสต็อกสินค้า
EN
