MT40A512M16LY-075E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | komponent pamięci DRAM 2666MT/s

Przegląd produktu

MT40A512M16LY-075E:E to pamięć 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM firmy Micron, oferująca wydajność do 2666MT/s (DDR4-2666) przy standardowym napięciu pracy 1,2 V. Zapewnia dużą przepustowość, zmniejszone opóźnienie i doskonałą integralność sygnału, co czyni ją odpowiednią dla serwerów, komputerów przemysłowych, urządzeń sieciowych oraz platform wbudowanych.

Jako szeroko stosowany komponent DDR4, oferuje stabilną długoterminową dostępność i niezawodność w środowiskach o wysokim obciążeniu i krytycznych z punktu widzenia misji.

Kluczowe cechy

• 8Gb (512M × 16) DDR4 SDRAM
• Do 2666MT/s szybkości transferu danych (DDR4-2666)
• Działa przy standardowym napięciu 1,2 V stosowanym w DDR4
• Wysoka przepustowość, niskie opóźnienie, silna integralność sygnału
• Zgodny z ECC przy użyciu w systemach obsługujących ECC
• Kompaktowa obudowa FBGA (LY)
• Odpowiedni do serwerów, przemysłowych komputerów, systemów wbudowanych i sprzętu telekomunikacyjnego
• Element o długim cyklu życia, zaprojektowany do pracy ciągłej 24/7

Pola aplikacji

• Serwery centrum danych / platformy chmurowe
• Przemysłowe systemy sterowania (PLC, HMI, IPC)
• Sprzęt sieciowy (przełączniki, routery, zapory sieciowe)
• Urządzenia brzegowe AIoT z funkcją przetwarzania danych
• Przyrządy medyczne i pomiarowe
• Inteligentne systemy nadzoru wizyjnego i obrazowania
• Wysokowydajne komputery wbudowane (SBC / SoC)

Kluczowe specyfikacje

Prośba o wycenę

Aby poprosić o wycenę produktu MT40A512M16LY-075E:E — w tym dostępność, czas realizacji, minimalną ilość zamówienia (MOQ), szczegóły partii, kartę katalogową lub rekomendacje alternatyw — proszę przesłać wniosek ofertowy (RFQ).