MT40A512M16LY-075E:E | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | Thành phần DRAM 2666MT/s

Tổng quan về Sản phẩm

MT40A512M16LY-075E:E là một bộ nhớ SDRAM DDR4 8Gb (512M × 16) của Micron, cung cấp hiệu suất lên đến 2666MT/s (DDR4-2666) với điện áp hoạt động tiêu chuẩn 1,2V. Sản phẩm mang lại băng thông cao, độ trễ thấp và tính toàn vẹn tín hiệu vượt trội, phù hợp cho máy chủ, máy tính công nghiệp, thiết bị mạng và các nền tảng nhúng.

Là thành phần DDR4 được triển khai rộng rãi, sản phẩm đảm bảo khả năng sẵn có lâu dài và độ tin cậy cao trong các môi trường làm việc nặng và quan trọng.

Tính năng nổi bật

• bộ nhớ SDRAM DDR4 8Gb (512M × 16)
• Tốc độ dữ liệu lên đến 2666MT/s (DDR4-2666)
• Hoạt động ở điện áp DDR4 tiêu chuẩn 1,2V
• Băng thông cao, độ trễ thấp, tính toàn vẹn tín hiệu mạnh
• Tương thích ECC khi sử dụng trong các hệ thống hỗ trợ ECC
• Gói FBGA nhỏ gọn (LY)
• Phù hợp cho máy chủ, máy tính công nghiệp, hệ thống nhúng và phần cứng viễn thông
• Linh kiện có vòng đời dài, được thiết kế cho hoạt động 24/7

Các lĩnh vực ứng dụng

• Máy chủ trung tâm dữ liệu / nền tảng đám mây
• Hệ thống điều khiển công nghiệp (PLC, HMI, IPC)
• Thiết bị mạng (công tắc, bộ định tuyến, tường lửa)
• Thiết bị điện toán biên AIoT
• Thiết bị y tế và đo lường
• Hệ thống giám sát và hình ảnh thông minh
• Máy tính nhúng hiệu suất cao (SBC / SoC)

Thông số kỹ thuật chính

Yêu cầu báo giá

Để yêu cầu báo giá cho MT40A512M16LY-075E:E — bao gồm sẵn có, thời gian giao hàng, MOQ, chi tiết lô hàng, bảng dữ liệu hoặc các khuyến nghị thay thế — vui lòng gửi một RFQ.