ဤဆောင်းပါးသည် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှု၊ စက်မှုလုပ်ငန်းထိန်းချုပ်မှုနှင့် စွမ်းအင်အသစ်စနစ်များတွင် MOSFET ၏ အဓိကအခန်းကဏ္ဍများကို နက်နက်ရှိုင်းရှိုင်း ဆန်းစစ်သုံးသပ်ပေးပါသည်။ ထုပ်ပိုးမှုဂုဏ်သတ္တိများ၊ ရွေးချယ်မှုပါရာမီတာများနှင့် ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဝယ်ယူရေး သော့ချက်စကားလုံးများကို ပေါင်းစပ်ဖော်ပြထားပြီး အမှတ်တံဆိပ် မြှင့်တင်ရေးနှင့် နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆုံးဖြတ်ချက်များ ချမှတ်ရာတွင် သင့်တော်ပါသည်။
I. နည်းပညာဆိုင်ရာ အကြမ်းဖျင်း - MOSFET အဆောက်အဦကို နားလည်ခြင်း
MOSFET များ (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) သည် ယနေ့ခေတ် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးအများဆုံး ပါဝါ ပိတ်/ဖွင့် ပါတ်စပ်များအနက် တစ်ခုဖြစ်သည်။ N-ချန်နယ်နှင့် P-ချန်နယ် အမျိုးအစားနှစ်မျိုးခွဲထားပြီး ဗို့အားထိန်းချုပ်မှုပိတ်/ဖွင့်ခြင်း၊ ပါဝါမြှင့်တင်ခြင်းနှင့် အမြန်နှုန်းမြင့် လုပ်ဆောင်မှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
Bipolar junction transistors (BJTs) များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET များသည် gate drive ဆုံးရှုံးမှုနည်းပါးခြင်း၊ ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching နှုန်းနှင့် ပိုကောင်းမွန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်တို့ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး DC-DC converter များ၊ မောတာများအတွက် driver များနှင့် ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များ (BMS) တို့တွင် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။
II. အသုံးပြုမှု ဥပမာ ၁ - မြင့်မားသော မှိုနှုန်း SMPS တွင် အဓိက ပါဝါပိတ်/ဖွင့်ခြင်း
ပြောင်းလဲအားပေးစနစ် (SMPS) များတွင် N-ချိတ်ဆက်မှု MOSFET များသည် အဓိကနှင့်ဒုတိယဘက်တို့တွင် အဓိကပြောင်းလဲမှုအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အသုံးပြုကြသည်။ R<sub>DS(on)</sub> နိမ့်ပြီး ပိုမိုကောင်းမွန်သော လျှပ်စီးအားဆုံးရှုံးမှုလျှော့ချနိုင်မှုကြောင့် မြင့်မားသော ဖရီးကွန်စီများကို buck သို့မဟုတ် boost စနစ်ဖြင့် ထိရောက်စွာ ထိန်းညှိနိုင်စေသည်။
အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်တို့သည် အရေးပါသော အသုံးချမှုများဖြစ်သည့် အားသွင်းမြန်ဆန်သော အကူအညီပစ္စည်းများနှင့် LED မော်တာများတွင် MOSFET များသည် မရှိမဖြစ်လိုအပ်ပါသည်။ ဤကိရိယာများကို အရှေ့တောင်အာရှနှင့် လက်တင်အမေရိကန်ဈေးကွက်များတွင် ဝယ်လိုအားမြင့်မားစွာရှိပါသည်။
III. အသုံးပြုမှုနေရာ ၂: မော်တာများနှင့် ဉာဏ်ရည်မြင့် စက်မှုထိန်းချုပ်မှု
Servo မော်တာများ၊ လျှပ်စစ်ကိရိယာများနှင့် AGV (Automated Guided Vehicles) များတွင် MOSFET များသည် H-bridge နှင့် သုံးဖိုင် inverter တည်ဆောက်ပုံများတွင် အဓိကပြောင်းလဲမှုကိရိယာများအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပါသည်။
MOSFET ၏ အလွန်မြန်ဆန်သော ပြောင်းလဲနိုင်မှုသည် PWM အချက်ပြမှု၏ တိကျမှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး မော်တာ၏အသံဆူညံမှုနှင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပေးကာ ဥရောပရှိ ဉာဏ်ရည်မြင့်စက်ရုံများ၏ အသံဆူညံမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုလိုအပ်ချက်များနှင့် စက်ရုံထိန်းချုပ်မှုစနစ်များကို ကိုက်ညီစေပါသည်။
IV. အသုံးပြုမှု ဥပမာ ၃: ဘက်ထရီကာကွယ်ရေးနှင့် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များ
စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုစနစ် (ESS)၊ ပိုက်ဆံသယ်ဆောင်နိုင်သောကိရိယာများနှင့် e-bikes များတွင် MOSFET များသည် ဘက်ထရီအားသွင်းခြင်း/အားထုတ်ခြင်းကို စီမံခန့်ခွဲပေးပြီး ပြောင်းပြန်ပေါလာကာကွယ်မှု၊ အပူချိန်ကျဆင်းမှုနှင့် တိုတောင်းခြင်းတုံ့ပြန်မှုတို့ကို ပေးဆောင်ပါသည်။
ဥရောပနှင့် အမေရိကန်တို့တွင် ပိုမိုလူကြိုက်များလာသော အိမ်သုံးစွမ်းအင်သိုလှောင်မှုယူနစ်များ (ဥပမာ - Powerwalls) တွင် MOSFET ၏ ဒွိဘက်သွားလမ်းကြောင်းသည် စွမ်းအင်ပြန်လည်ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ဗို့အားလွန်ကာကွယ်မှုတို့၏ အဓိကအခြေခံကို ဖွဲ့စည်းပေးပါသည်။
V. စွမ်းဆောင်ရည်မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် ရွေးချယ်မှုဆိုင်ရာအခြေခံများ
|
ကန့်သတ်ချက်များ |
အကြံပြုထားသောအကွာအဝေး |
|
ဒရိန်-ဆေးစ် ဗိုလ်တော် VDS |
30V–1000V |
|
ဆက်တိုက် ဒရိန်းစီးကရင့် ID |
1A–80A |
|
On-အခြေအနေ ခုခံမှု RDS(on) |
ထိရောက်မှုမြင့်မားရန် < 5mΩ |
|
စုစုပေါင်း ချီးထွက်လိုသည့် အရာဝတ္တု Qg |
5nC–100nC |
|
ထုပ်ပိုး |
TO-220, TO-252, DFN5060, PDFN5x6, SOT-23 စသည် |
စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း ထိရောက်မှုအတွက် R<sub>DS(on)</sub> နှင့် Q<sub>g</sub> တို့သည် နိမ့်ပါးခြင်းကို ဦးစားပေးရမည်ဖြစ်ပြီး DFN ပက်ကေ့ဂျ်များသည် နေရာကျဉ်းများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။
၆။ အနာဂတ် အလားအလာများ - ပေါင်းစပ်မော်ဂျူးများနှင့် GaN MOSFETs
MOSFETs များသည် အောက်ပါတို့ဆီသို့ တိုးတက်လျက်ရှိသည်-
စီးကရား ခံစားမှုပါဝင်သော Smart MOSFETs (Ideal Diode Controllers)
ဂိတ်ဒရိုက်ဘာများ တပ်ဆင်ထားသော ပါဝါအဆင့် မော်ဂျူးများ
GaN MOSFETs များသည် ပိုမိုမြင့်မားသော ဖရီးကွင်စီများနှင့် နိမ့်ပါးသော အပူခုခံမှုများပါဝင်ပြီး 5G၊ မြန်နှုန်းမြင့် အားသွင်းခြင်းနှင့် EV အိုင်ဗင်တာများအတွက် သင့်တော်ပါသည်။
ဤအလားအလာများသည် နောက်ဆယ်စုနှစ်အတွင်း စွမ်းအင် အီလက်ထရွန်းနစ် ကွင်းပြင်ကို ပြန်လည်ပုံဖော်နေပါသည်။
EN
