စက်မှုလှုပ်ရှားမှုများတွင် ထိရောက်မှုကိုယ်စားပြုသော အသုံးချလုပ်ဆောင်ချက်များ- MOSFET ပါဝါထရန်စစ်တာများ၏ အသုံးချပုံ

I. စက်မှုလုပ်ငန်းနှင့် နည်းပညာမောင်းနှင်မှုများ

စက်မှုထုတ်လုပ်မှုနှင့် ပညာရှိသော ကိရိယာများသည် ထိရောက်ပြီး မြန်နှုန်းမြင့်မောင်းထိန်းကျော်များကို တောင်းဆိုလာပါသည်။

နိမ့်ပါးသော ဂိတ်အားနှင့် မြန်နှုန်းမြင့်ပြောင်းလဲမှုတို့ကြောင့် VFD များနှင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများတွင် MOSFET များသည် နှစ်သက်ဖွယ်ရာရွေးချယ်မှုဖြစ်လာပါသည်။

BJT များ သို့မဟုတ် IGBT များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET များသည် ပိုမိုနိမ့်ပါးသော ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုများနှင့် ထိရောက်မှုများကို ပေးဆောင်ပါသည်၊ အထူးသဖြင့် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ နိမ့်ပါးသောဗို့အား စက်မှုထိန်းချုပ်မှုအသုံးချမှုများတွင်ဖြစ်ပါသည်။

II. ပုံမှန်အသုံးချနိုင်သောအခြေအနာများ

MOSFET များကို CNC စက်များ၊ အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်ရေးလိုင်းများ၊ AGV များနှင့် ရိုဘော့စက်များတွင် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်းတို့၏ မြင့်မားသော ဖရီကွင်စီ ပိတ်-ဖွင့်ခြင်းသည် စနစ်၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေပါသည်။

စက်မှုပိုင်းရှိ IoT ဆိုင်ရာ ဆင့်ပွားစွမ်းအင်ဖြန့်ဖြူးမှုနှင့် ဆင့်ပွားများတွင် MOSFET များသည် စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက် အပူချိန်ကို ထိန်းသိမ်းပေးသော ပိတ်-ဖွင့်ခြင်းကို ပေးစွမ်းပါသည်။

PLC ဖြင့်ထိန်းချုပ်သော များပြားသောဝင်ရိုးများတွင် MOSFET များသည် မိုက္ကရိုစက္ကန့်အတွင်း PWM ထိန်းချုပ်မှုကို ပေးစွမ်းပြီး မြင့်မားသော စီးရင်းပြန်လည်သုံးသပ်မှု တုံ့ပြန်မှုကို ပေးစွမ်းပါသည်။

ထို့အပြင် ဆော်ဒါထိန်းချုပ်ကိရိယာများ၊ ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ်များနှင့် ဆာဗိုမော်တာများတွင် MOSFET များသည် ပလုဆဲလ်စီးရင်းထိန်းချုပ်မှုနှင့် များပြားသောချန်နယ်များအတွက် စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုကို ယုံကြည်စွာပေးစွမ်းပါသည်။

III. စွမ်းဆောင်ရည်ကောင်းချီးများနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အသုံးပြုမှု

MOSFET များကို အပူချိန်နှင့် စီးရင်းကို တစ်ပြေးညီဖြစ်စေရန်အတွက် ဂိတ်ထိန်းချုပ်ကိရိယာများနှင့် တစ်ပြိုင်နက်တွဲ၍ အသုံးပြုနိုင်ပြီး မြင့်မားသောစီးရင်းနှင့် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ကို ထောက်ပံ့ပေးနိုင်ပါသည်။

၎င်းတို့၏ နိမ့်ပါးသော RDS(on) နှင့် မြန်နှုန်းမြင့်ပိတ်-ဖွင့်ခြင်းသည် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ကို ပြောင်းလဲသော အိုင်ဂျီဘီတီများကို တစ်စိတ်တစ်ပိုင်းအစားထိုးရန် ခွင့်ပြုပါသည်။

စွမ်းအင်ပြောင်းလဲသောစနစ်များတွင် MOSFET များသည် EMI အနှောင့်အယှက်ကို လျော့နည်းစေပြီး အချက်အလက်များ၏ တိကျမှုကို တိုးတက်စေပါသည်။ ထို့အပြင် စစ်ထုတ်စက်များအတွက် အရွယ်အစားသေးငယ်သော စစ်ထုတ်စက်များကို ခွင့်ပြုပါသည်။

H-bridge သို့မဟုတ် half-bridge topologies တွင် တပြိုင်နက် ပြန်လည်ထုတ်လုပ်မှု၊ ထိရောက်ရှိသော မောင်းနှင်မှုနှင့် ပြန်ကြိမ်နှုန်း ပြောင်းလဲမှုတို့ကို တွန်းအားပေးသော MOSFETs အများအစားများကို စီစဉ်ထားပါသည်။

ဤကဲ့သို့ စီစဉ်မှုများကို လျှပ်စစ်ကိရိယာများ၊ စကူတာများနှင့် ဖို့ခ်လစ်ဖြင့် ကျယ်ကျယ်ဖြန့်ချိ အသုံးပြုထားပြီး အသီးသီး၏ အသုံးဝင်မှုကို ပြသပါသည်။

IV. အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် ပက်ကေ့ခ် စီမံခန့်ခွဲမှု နည်းလမ်းများ

MOSFET အား ပူနေသော သိပ်သည်းဆ မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုမှာ အရေးကြီးလာပါသည်။ ပုံမှန်နည်းလမ်းများတွင် ကော်ပါးပြားခြင်း၊ ဒိုင်ယက်ခြင်းနှင့် စီရမစ်ခွဲထားသော အခြေခံများကို အသုံးပြုပါသည်။

အပူစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် သေးငယ်သော ဒီဇိုင်းအတွက် D2PAK၊ TO-247 နှင့် PDFN ကဲ့သို့သော ပက်ကေ့ခ်များကို အမြင့်ဆုံး ယုံကြည်ရသော အသုံးပြုမှုများတွင် နှစ်သက်ကြပါသည်။

အပူချေးပြားများ၊ အပူချေးပက်ဒ်များနှင့် လေကို အတင်းအဓမ်များ၏ သင့်လျော်သော ရွေးချယ်မှုသည် MOSFET သက်တမ်းနှင့် စနစ် တည်ငြိမ်မှုကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်ပါသည်။

V. အနာဂတ်တွင် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုနှင့် နည်းပညာ ပေါင်းစည်းမှု

GaN နှင့် SiC ထရန်စစ်တာများ ပေါ်ထွက်လာသော်လည်း MOSFETs များသည် ၎င်းတို့၏ အဆင့်မြင့်မားမှု၊ စျေးနှုန်းနိမ့်ချောင်းမှုနှင့် လွတ်လပ်သော ဒီဇိုင်း အရွယ်အစားတို့ကြောင့် အဓိကနေရာတွင် ရှိနေပါသည်။

နောင်တွင် MOSFET များကို SoP မော်ဂျူးများအတွင်းသို့ ဒစ်ဂျစ်တယ်ပါဝါထိန်းချုပ်မှု IC များနှင့် တစ်ပြေးညီ ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် ပေါင်းစပ်မှုနှင့် စိတ်ကြိုက်ထိန်းချုပ်မှုစွမ်းရည်များကို တိုးတက်စေမည်ဖြစ်သည်။

AI ထိန်းချုပ်သောစက်ရုံများတွင် MOSFET များသည် ပြတ်တောက်မှုကိုကြိုတင်ခန့်မှန်းပြီး ပိုက်ဆံစီးဆင်းမှုဒေတာအခြေပြု၍ သက်တမ်းကိုခန့်မှန်းရန် ကြိုတင်ခန့်မှန်းနည်းပညာများနှင့် ပေါင်းစပ်နိုင်သည်။

MOSFET / စက်မှုမောင်းနှင့် / အစိတ်အပိုင်းထိရောက်မှု