TVS Diode များ အလုပ်လုပ်ပုံ - ကြောင်းပေါ်ဖမ်းမှု ရူပဗေဒနှင့် ESD စံနှုန်းနှင့်ကိုက်ညီမှု

သောင်းကြောင်းအားဖော်ပေးမှုကို ဖျောက်ဖျက်ခြင်း - အဓိက ကြောင်းပေါ်ဖမ်းမှု စက်မှုလုပ်ငန်း

TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် ထိန်းချုပ်ထားသော အဝဲလန်ချ် ပေါက်ကွဲမှု (controlled avalanche breakdown) ကို အသုံးပြု၍ စီးကရ်ကဴအား ကာကွယ်ပေးသည့် ကာကွယ်ရေးပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ ပုံမှန်အားဖြင့် ဤပစ္စည်းများသည် ဘာမှမရှိသကဲ့သို့ အပြုအမှုပြုပြီး အလွန်မြင့်မားသော ပုံမှန်ခုခံမှုကို ပေးသည်ဖြင့် ပုံမှန်လုပ်ဆောင်မှုများကို မထိခိုက်စေပါ။ သို့သော် အရှိန်အဟောင်းများ ဖြစ်ပွားပါက သို့မဟုတ် ဗိုးအားသည် ပေါက်ကွဲမှုနှုန်း (VBR အဖြစ် သိကြသည်) ကို ကျော်လွန်သောအခါ နောက်ဆုံးတွင် နောက်တစ်နနိုစက်န် (one nanosecond) အတွင်းတွင် အားလုံးပြောင်းလဲသွားပါသည်။ ဒိုင်အိုဒ်သည် အရှိန်အဟောင်းများကို အလွန်မြန်စွာ လက်ခံပြီး အပိုဗိုးအားကို လုံခြုံသော အဆင့်တစ်ခု (VC) တွင် ဖမ်းယူကာ အန္တရာယ်ရှိသော ဗိုးအားများကို မြေကြီးသို့ တိုက်ရိုက်ပို့ဆောင်ပေးပါသည်။ ဤအရှိန်အဟောင်းများကို boil er တွင် အသုံးပြုသည့် လုံခြုံရေး ဖွင့်ပေးသည့် အပိုင်းအစ (safety valve) အဖြစ် စဥ်းစားပါ။ ဤအရှိန်အဟောင်းများသည် စီးဂနယ်များကို သန့်ရှင်းစေပြီး အန္တရာယ်ရှိသော လျှပ်စစ်စွမ်းအားများကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။ TVS ဒိုင်အိုဒ်များကို ထူးခြားစေသည့် အရှိန်အဟောင်းများသည် ၎င်းတို့၏ အလွန်မြန်ဆန်သော တုံ့ပြန်မှုများကို ဖော်ပြသည့် အထူးဂုဏ်သတ္တိများဖြစ်ပါသည်။ ဤအရှိန်အဟောင်းများကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် USB ချိတ်ဆက်မှုကဲ့သို့သော ရှုပ်ထွေးသော အသုံးပြုမှုများတွင် ဤပစ္စည်းများကို အထူးကြိုက်နှစ်သက်ကြပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် မိလီစက်န် (milliseconds) အချိန်သည် အလုပ်လုပ်နေသော အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ပျက်စီးသော လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများကြားတွင် ကွာခြားမှုကို ဖန်တီးပေးနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်ပါသည်။

IEC 61000-4-2 လိုအပ်ချက်များနှင့် လက်တွေ့ဘဝ ESD ခုခံမှု စံနှုန်းများ

IEC 61000-4-2 စံချိန်စံညွှန်းသည် ကုန်ပစ္စည်းနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ လိုအပ်သည့် ESD ခံနိုင်ရည်ရှိမှုအတွက် လိုအပ်ချက်များကို သတ်မှတ်ပေးထားပါသည်။ အခြေခံအားဖြင့် ဤကိရိယာများသည် ထိတ်တွေ့စုံလင်မှုဖြင့် ဖြစ်ပေါ်လာသည့် 8 kV အထိသော လျှပ်စီးသို့မဟုတ် လေထုအကွာအဝေးမှ ဖြစ်ပေါ်လာသည့် 15 kV အထိသော လျှပ်စီးများကို ခံနိုင်ရည်ရှိရပါမည်။ TVS ဒိုင်အုတ်များသည် စက်ပစ္စည်းအတွင်းရှိ အသွားအလာများကို ပျက်စီးစေနိုင်သည့် ရုတ်တရက်ဖြစ်ပေါ်လာသည့် ဗို့အားများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သည့်အတွက် ဤစံချိန်စံညွှန်းများကို ဖော်ထုတ်ပေးနိုင်ပါသည်။ Ponemon Institute မှ ၂၀၂၃ ခုနှစ်တွင် ပြုလုပ်ခဲ့သည့် အ recent စမ်းသပ်မှုများအရ TVS အစိတ်အပိုင်းများဖြင့် ကာကွယ်ထားသည့် စနစ်များသည် ကာကွယ်မှုမရှိသည့် စနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ESD နှင့် သက်ဆိုင်သည့် ပြဿနာများ ၇၀% ခန့် လျော့နည်းသည်ကို တွေ့ရှိခဲ့ပါသည်။ လက်တွေ့စမ်းသပ်မှုများတွင်လည်း အထူးသဖြင့် အောင်မြင်မှုများ ရရှိခဲ့ပါသည်။ စက်မှုထိန်းချုပ်မှုစနစ်များသည် စမ်းသပ်ခန်းအခြေအနေများတွင် 30 kV အထိသော အလွန်ကြီးမားသည့် ESD ဖြစ်ရပ်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည့်အတွက် အမှားအမှင်နှုန်း ၀.၅% အောက်သို့ ထိန်းသိမ်းနိုင်ခဲ့ပါသည်။ စားသုံးသူပစ္စည်းများသည် သူတို့၏ ပေါ်တ်များနှင့် ကြိုးဆက်သွယ်မှုများအတွက် IEC Level 4 အဆင့်ကို ရရှိခဲ့ပါသည်။ ဤအဆင့်သည် စိတ်ဖိစီးမှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှုအတွက် အမြင့်ဆုံးအဆင့်ဖြစ်ပါသည်။ အထူးသဖြင့် အားကုန်သုတ်လုပ်ငန်းနှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်းများ ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းများကဲ့သို့သည့် လုပ်ငန်းများအတွက် ဤကဲ့သို့သည့် ယုံကြည်စိတ်ချရသည့် စွမ်းဆောင်ရည်သည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အကြောင်းမှာ လျှပ်စစ်အဝေးပေါ်မှုများသည် မကြာခဏဖြစ်ပေါ်လာပြီး သင့်လျော်စွာ ဖြေရှင်းမှုမရှိပါက အလွန်အရေးကြီးသည့် နောက်ဆက်တွေးများ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်ပါသည်။

ယုံကုံရမှုရှိသော ESD ကာကွယ်မှုအတွက် အရေးကြီးသော TVS Diode ပါရာမီတာများ

ကလမ်းပင်း ဗို့အား (Vc) နှင့် ပေါက်ကွဲ ဗို့အား (Vbr) - လုံခြုံရေး အကွာအဝေးများနှင့် အချိန်ကိုက်ညီမှု တိကျမှု

ကလမ်ပ်ဖ် ဗို့အား (Clamping Voltage) သို့မဟုတ် VC သည် လျှပ်စစ်သံခေါင်းမှုများ (electrical surges) ဖြစ်ပေါ်နေစဉ်အတွင်း ကာကွယ်ထားသော စီးပွားရေးလျှပ်စစ်စနစ်ပေါ်တွင် ရှိနိုင်သည့် အများဆုံး ဗို့အားအဆင့်ကို ကိုယ်စားပြုပါသည်။ ထို့နောက် ဘရိုက်ဒေါင်း ဗို့အား (Breakdown Voltage - VBR) ရှိပါသည်။ ဤ ဗို့အားသည် ကာကွယ်ရေးပစ္စည်းအတွင်းသို့ လျှပ်စစ်စီးကောင်းမှု စတင်ဖြစ်ပေါ်လာသည့် အချိန်ကို ဖော်ပြပါသည်။ စနစ်များကို ဒီဇိုင်းရေးဆွဲရာတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် VC အဖြစ် အောက်ခြေတွင်ရှိသည့် အစိတ်အပိုင်းများ သည် ခံနိုင်ရည်ရှိသည့် ဗို့အားထက် သိသိသာသာ နိမ့်ကျနေရန် သေချာစေရန် လိုအပ်ပါသည်။ ဥပမါအားဖြင့် စံနှုန်း ၅ ဗို့အား လော်ဂျစ်ခ်ခ်စ် (logic chips) များကို ကြည့်ပါ။ ဤခ်စ်များသည် အများအားဖြင့် အများဆုံး ၅.၅ ဗို့အားအထိ ကာကွယ်မှုလိုအပ်ပါသည်။ VBR နှင့် VC အကြား ကွာခြားချက်ကို မှန်ကန်စွာ သတ်မှတ်ရေးချက်မှုသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းသည် ကာကွယ်ရေးစနစ် စတင်အလုပ်လုပ်သည့် အမြန်နှုန်းကို ဆုံးဖြတ်ပေးသောကြောင့်ဖြစ်ပါသည်။ ဤနေရာတွင် အိုင်အီးအက်စ်ဒီ (ESD) ဖြစ်စဥ်များသည် သုညမှ အပြည့်အဝ အားကောင်းမှုအထိ ၀.၇ မှ ၁ နနိုစက်န်ဒ် (nanosecond) အတွင်း တက်လာနိုင်သောကြောင့် တုံ့ပြန်မှုအချိန်များကို အားလုံး ဘီလျှံနှစ်သန်း ၁ ပုံ ၁ ပုံ (billionth of a second) အထိ အပိုင်းအစများဖြင့် တွက်ချက်ရပါသည်။ ဤကိန်းဂဏန်းများကို မှန်ကန်စွာ ညှိပေးခြင်းသည် ESD ပြဿနာများ အများဆုံးဖြစ်လေ့ရှိသည့် အရေးကြီးသော အင်တာဖေ့စ်များ (interface points) တွင် အသိအမှတ်ပုံမှန် လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများကို ကာကွယ်ရေးအတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

VRWM ကို Signal Rail Voltage နှင့် System-Level DC Integrity တို့နှင့် ချိတ်ဆက်ခြင်း

VRWM ဟာ ပုံမှန် လည်ပတ်မှု အခြေအနေမှာ စနစ်က မြင်တာထက် ပိုမြင့်ဖို့လိုတယ်၊ ပုံမှန်အားဖြင့် အမြင့်ဆုံး voltage ထက် ၁၅ မှ ၂၀ ရာခိုင်နှုန်းလောက် ပိုမြင့်ပြီး အရာရာ အဆင်ပြေစွာ လည်ပတ်တဲ့အခါ မလိုအပ်တဲ့ ပြေလည်မှု (သို့) အချက်ပြမှု အမှားတွေကို တားဆီးဖို့ပါ။ ဥပမာ 3.3-volt လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ကို ယူကြည့်ပါ၊ အင်ဂျင်နီယာတွေက အများအားဖြင့် အနည်းဆုံး 3.6-volt ရှိတဲ့ တစ်ခုခုနဲ့ သွားဖို့ အကြံပြုကြတယ်။ ဒါပေမဲ့ VRWM ကို စကေးမှာ အဝေးကြီး တွန်းလိုက်ရင် တကယ်တမ်းက ဖိတဲ့ လုပ်ဆောင်ချက်အတွက် အခြေအနေ ပိုဆိုးလာစေပြီး ဖိတဲ့ voltage ကို မြှင့်ပေးပြီး ကာကွယ်မှု လုပ်ဆောင်မှုနှုန်းကို နှေးစေပါတယ်။ ကားသုံး CAN bus စနစ်များမှ ကွင်းဆင်းရသည့် ဒေတာများအရ စက်ရုံတွင် ဖြစ်ပေါ်နေသော ပြဿနာ ၁၀ ခုမှာ ၄ ခုခန့်မှာ VRWM မညီမျှမှုကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသည်ဟု ဆိုသည်။ လနဲ့ နှစ်တွေကြာပြီး တိုက်ရိုက်လျှပ်စစ် ဖိအားကို အမြဲခံနေရတာက မမျှော်လင့်ဘဲ ပျက်စီးတဲ့အထိ ဒီ semiconductor ချိတ်ဆက်မှုတွေမှာ တိတ်ဆိတ်စွာ ကျွမ်းကျင်စေတယ်။

အမြင့်ဆုံး Pulse Power (PPP) နှင့် Junction Capacitance (Ct): ခိုင်မာမှုနှင့် အချက်ပြမှု Integrity ကို ဟန်ချက်ညီစေခြင်း

PPP ကို အကောင်းမွန်စွာ ချိန်ညှိခြင်းဖြင့် ESD စိတ်ကြိုက်အချက်များအောက်တွင် စက်ကိရိယာ အသက်ရှင်နေနိုင်မှုကို အာမခံပေးပြီး Ct ကို အနောက်ဆုံးအထိ လျော့နည်းအောင်ထားခြင်းဖြင့် စိတ်ကြိုက်အချက်များ၏ အတိမ်အနက်ကို ထိန်းသိမ်းပေးသည်။ ဤနှစ်များကို ညှိပေးထားသော ဒီဇိုင်းများသည် ၁၀ GHz တွင် ၃ dB အထက် ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှု (insertion loss) ကို ရှောင်ရှားနိုင်ပြီး IEC 61000-4-2 Level 4 အထိ လုံခြုံမှုကို အပြည့်အဝ ရရှိစေသည်

တစ်ဘက်သို့သာ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးသော TVS ဒိုင်အုတ်များနှင့် နှစ်ဘက်သို့ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးသော TVS ဒိုင်အုတ်များ— အင်တာဖေး အဆောက်အအုပ်နေရာနှင့် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှု၏ အနေအထားကို ကိုက်ညီအောင် ပြုလုပ်ခြင်း

TVS ဒိုင်အိုဒ်များကို အဓိကအားဖြင့် တစ်မျောက်သာ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုအတိုင်း လုပ်ဆောင်သော အမျိုးအစား (unidirectional) နှင့် နှစ်မျောက်သာ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုအတိုင်း လုပ်ဆောင်သော အမျိုးအစား (bidirectional) ဟု အမျိုးအစားနှစ်မျိုးဖြင့် ခွဲခြားထားပါသည်။ အသုံးပြုရန် အမျိုးအစားကို ရွေးချယ်ရာတွင် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုလမ်းကြောင်း၏ ပေါ်လာရီတီ (polarity) အပေါ်တွင် အခြေခံပါသည်။ တစ်မျောက်သာ TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို တစ်ဖက်သာ ကာကွယ်ပေးပါသည်။ ယင်းအမျိုးအစားများသည် အများအားဖြင့် အပေါ်မှ မြေပုံသို့ (positive to ground) လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။ အနုတ်လက္ခဏာ လျှပ်စစ်အရှိန်မြင့်မှု (negative spike) ဖြစ်ပါက ယင်းဒိုင်အိုဒ်များသည် ပုံမှန် ရက်တီဖိုင်ယာ (rectifier) များကဲ့သို့ အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ဤအမျိုးအစားများသည် ပေါ်လာရီတီ မှန်ကန်စွာ သတ်မှတ်ထားသော လျှပ်စစ်ပေါ်လ်များတွင် အသုံးပျော်မှုရှိပါသည်။ ဥပမါ- USB ချိတ်ဆက်မှုများ၊ UART ပေါ်တ်များ သို့မဟုတ် ကားများတွင် အသုံးပြုသော လျှပ်စစ်ထိန်းချုပ်မှုယူနစ်များ (ECU) များဖြစ်ပါသည်။ အခြားတစ်ဖက်တွင် နှစ်မျောက်သာ TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို နှစ်ဖက်စလုံးမှ အတူတူ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ယင်းအမျိုးအစားများသည် မြေပုံအဆင့် (ground level) နှင့် အညီအမျှ ဗို့အားကို ကာကွယ်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် ယင်းဒိုင်အိုဒ်များ၏ အနေအထား (orientation) သည် အရေးကြီးမှုမရှိပါသည်။ ဤအမျိုးအစားများသည် AC လျှပ်စစ်ပေါ်လ်များ၊ CAN သို့မဟုတ် RS-485 ကဲ့သို့သော အချိန်ပေါ် ဆက်သွယ်ရေး ကွန်ရက်များ (differential communication buses) နှင့် နှစ်ဖက်စလုံးမှ လျှပ်စစ်စီးဆင်းမှုကို လက်ခံပေးသော စီန်ဆာများတွင် အသုံးပျော်မှုရှိပါသည်။

မှားယွင်းစွာ အသုံးပြုခြင်းက ကာကွယ်ရေးကို ထိခိုက်စေသည် - နှစ်သက်ရာ လိုင်းတွင် တစ်သက်ရာ ကိရိယာကို အသုံးပြုပါက အနုတ်လက္ခဏာ အချိန်ကာလများကို ဖျက်သိမ်းရန် မအောင်မြင်နိုင်ပါ၊ ထို့အတူ သန့်စင်သော DC အသုံးပြုမှုတွင် နှစ်သက်ရာ အမျိုးအစားကို အသုံးပြုခြင်းသည် လုပ်ဆောင်ချက်အရ အကျိုးကောင်းမှုမရှိဘဲ အပိုစရိတ်နှင့် ပုံစံအရ အရွယ်အစားကို မလိုအပ်စွာ တိုးမောင်းပေးလိုက်ခြင်းဖြစ်သည်။

ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အသုံးပြုနိုင်သည့် ဒီဇိုင်းများအတွက် TVS ဒိုင်အုတ်များ ရွေးချယ်ရေး အဆင့်ဆင့် လုပ်ထုတ်စဥ်

I/O သတ်မှတ်ချက်များမှ ဒေတာရှီးတ် အတည်ပြုခြင်းအထိ - လက်တွေ့ကျသည့် ပါရာမီတာ မှီခိုက်မှု လမ်းညွှန်

အစပိုင်းတွင် အင်တာဖေ့စ်၏ အခြေခံအချက်များကို မှတ်သားပါ - လုပ်ဆောင်ရေး ဗို့အား (ဥပမါ - 3.3 V USB)၊ အချက်ပေးမှု ပုံစံအများအား (bandwidth)၊ ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ အန္တရာယ် ပုံစံ (ဥပမါ - စက်ရုံအိုင်းမှုန်း သို့မဟုတ် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ ဓာတ်ခွဲခန်း)။ ဤအချက်များကို ရွေးချယ်ရေးအတွက် အရေးကြီးသည့် အချက် (၆) ချက်အဖြစ် ပေါ်လော့ပေါ်လော့ ပြောင်းလဲပါ -

1. V _RWM dC ရေးလ် ဗို့အားအများဆုံး တန်ဖိုးထက် ၁၅% မှ ၂၀% အထိ ပိုမိုမှုန်းမှုရှိရမည် (leakage ကို ကာကွယ်ရန်)
2. V _စီ eSD ဖြစ်ပွားမှုအချိန်တွင် ကာကွယ်ထားသည့် IC ၏ အများဆုံး ဗို့အား အများဆုံး တန်ဖိုးထက် နိမ့်နေရမည်
3. PPP အဆိုးရွားဆုံး လှိုင်းအား စွမ်းအားကို ကိုင်တွယ်နိုင်ရမည် - ဥပမါ IEC 61000-4-2 Level 4 (8 kV contact) အတွက် 600 W
4. စီ _တီ အမြန်နှုန်းမြင့် အင်တာဖေ့စ်များ (USB 3.2, HDMI 2.1, PCIe) အတွက် 0.5 pF ထက် နိမ့်ရမည်
5. အဖြေပေးခြင်းအချိန် ဆီမီကွန်ဒတ်တာပျက်စီးမှု ဖြစ်ပေါ်လာခြင်းမှီ အသုံးပြုရန် အနည်းဆုံး ၁ နနိုစက္ကန်း
6. ပေါ်လ်ထ် အရွယ်အစား ပါဝါကားဘုတ် (PCB) ဒီဇိုင်းအကောင်အထည်ဖော်မှု အကန့်အသတ်များနှင့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီရန် လိုအပ်ပါသည်

သုံးဆင့်စမ်းသပ်မှုဖြင့် ရွေးချယ်မှုများကို အတည်ပြုပါ

• အင်ဂျင်နီယာစမ်းသပ်မှု (Simulation) ထုတ်လုပ်သူမှ ပေးထားသော SPICE မော်ဒယ်များကို အသုံးပြု၍ ကလမ်းပင် (clamping) အပ behavior နှင့် လျှပ်စီးကြောင်း မျှဝေမှု (current sharing) ကို အတည်ပြုပါ
• စမ်းသပ်ခြင်းအလုပ်ခွင် (Bench validation) iEC 61000-4-2 စမ်းသပ်မှု ပုလ်စ်များကို စီမံထားသည့်အတိုင်း အသုံးပြုပြီး စီးဂနယ် ပုံပေါ်မှုပျက်စီးမှု (signal distortion) နှင့် V _စီ အလွန်အမင်းမြင့်မှု (overshoot)
• အပူချိန် လှည့်ချက် အလုပ်လုပ်ရာတွင် အပူချိန် -40°C မှ +125°C အထိ စမ်းသပ်ပါ။ လုပ်ဆောင်မှုအနက်မှုန်းအတိုင်း ပါရာမီတာများ တည်ငြိမ်မှုရှိမှုကို အတည်ပြုပါ

ဤစနစ်ကျသော အလုပ်စီစဥ်မှုသည် ဒေတာရှီට်အချက်အလက်များကို လက်တွေ့အသုံးချမှု စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ချိတ်ဆက်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် စွမ်းစွမ်းတမ်းတမ်း ပြန်လည်ဒီဇိုင်းပုံစံသတ်မှတ်ခြင်းများကို ကာကွယ်ပေးပြီး ပထမနေ့မှစ၍ လုပ်ဆောင်ရေးနေရာတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အာမခံပေးပါသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

မေး။ TVS ဒိုင်အုတ် (diode) ဆိုသည်မှာ အဘယ်နည်း။
ဖြေ။ TVS (Transient Voltage Suppressor) ဒိုင်အုတ်သည် ဗို့အား တက်ခြင်းများနှင့် ဗို့အား လွန်ကဲမှုများမှ အရေးကြီးသော အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကို ကာကွယ်ရန်အတွက် အသုံးပြုသည့် ကိရိယာဖြစ်ပြီး အရေးကြီးသော အစိတ်အပိုင်းများမှ အပိုဗို့အားများကို ဖွဲ့စည်းပေးသည့် ကလမ်းပ် (clamp) အဖြစ် အသုံးပြုပါသည်။

မေး။ ESD ကာကွယ်ရေးတွင် TVS ဒိုင်အုတ်များသည် အဘယ်ကြောင့် အရေးကြီးပါသနည်း။
ဖြေ။ TVS ဒိုင်အုတ်များသည် ESD (Electrostatic Discharge) ကာကွယ်ရေးအတွက် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းတို့သည် ဗို့အားတက်ခြင်းများကို အလွန်မြန်မြန် တုံ့ပြန်နိုင်ပြီး ထိခိုက်လေ့ရှိသော စီးကရ်ကူအတွင်းသို့ ရောက်ရှိလာမည့် ဗို့အားအဆင့်များကို ကန့်သတ်ခြင်းဖြင့် ပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သောကြောင့်ဖြစ်ပါသည်။

မေး။ တစ်ဖက်သာ လွန်သော (unidirectional) နှင့် နှစ်ဖက်သာ လွန်သော (bidirectional) TVS ဒိုင်အုတ်များကြား ရွေးချယ်ရာတွင် မည်သည့်အချက်များကို အခြေခံသင့်ပါသနည်း။
ဖြေ။ တစ်ဖက်သာ လွန်သော (unidirectional) နှင့် နှစ်ဖက်သာ လွန်သော (bidirectional) TVS ဒိုင်အုတ်များကြား ရွေးချယ်မှုသည် စီးကရ်ကူလမ်းကြောင်း၏ ပေါ်လာရီတီ (polarity) အပေါ်တွင် မူတည်ပါသည်။ တစ်ဖက်သာ လွန်သော ဒိုင်အုတ်များသည် ပေါ်လာရီတီ သတ်မှတ်ထားသည့် DC စီးကရ်ကူများအတွက် သင့်တော်ပြီး နှစ်ဖက်သာ လွန်သော ဒိုင်အုတ်များသည် AC သို့မဟုတ် နှစ်ဖက်သာ လွန်သော စီးကရ်ကူအင်တာဖေ့စ်များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။

မေး။ TVS diode ကို ဒီဇိုင်းတစ်ခုအတွက် ရွေးချယ်ရာတွင် အရေးကြီးသော ပါရာမီတာများမှာ အဘယ်နည်း။
ဖြေ။ အရေးကြီးသော ပါရာမီတာများတွင် ကလမ်းပင်း ဗို့အား (VC)၊ ပေါက်ကွဲမှု ဗို့အား (VBR)၊ အလုပ်လုပ်သော ပေါ်ပေါ်လ် ဗို့အား (VRWM)၊ အမြင့်ဆုံး ပေါက်ကွဲမှု စွမ်းအား (PPP)၊ ဂျွန်က်ရှင် ကပ်စီတန်စ် (Ct) နှင့် နနိုစက္ကန်းအတွင်း တုံ့ပြန်မှုအချိန်များကို ကိုင်တွယ်နိုင်မှု တို့ ပါဝင်ပါသည်။