Artikel ini menganalisis secara mendalam pelbagai peranan diod Schottky dalam bidang seperti bekalan kuasa AT/AU, penerusan segerak, perlindungan songsang dan lain-lain, serta trend evolusinya.
I. Prinsip dan Ciri-ciri Struktur
Diod Schottky menggunakan simpang logam-semikonduktor berbanding simpang PN, menjadikan kapasitan simpangnya lebih rendah dan kejatuhan voltan ke hadapan biasanya antara 0.2–0.4V, dengan pemulihan songsang yang sangat pantas.
Ciri-ciri ini menjadikannya sangat sesuai untuk aplikasi seperti penerusan frekuensi tinggi, penukaran penurunan segerak, dan perlindungan arus songsang.
II. Komponen Utama dalam Penerusan AU-AT
Dalam bekalan kuasa mod pensuisan frekuensi tinggi (SMPS), diod Schottky kerap digunakan sebagai penerus keluaran disebabkan oleh kejatuhan ke hadapanannya yang rendah, meningkatkan kecekapan sistem secara ketara.
Khususnya dalam USB PD dan pengecas pantas di mana pengurusan haba adalah kritikal, rintangan haba yang rendah dan struktur yang padat pada Schottky membantu pelesapan haba yang cekap.
III. Penukaran DC-DC dan Penerusan Segerak
Diod Schottky selalunya digandingkan dengan MOSFET dalam penerusan segerak, bertindak sebagai diod pengoda atau laluan arus songsang.
Dalam modul kuasa industri seperti pengecas talian atau penukar kuasa tenaga suria, EMI yang rendah menyumbang kepada operasi yang senyap dan kepatuhan terhadap piawaian EMC.
IV. Perlindungan Songsang dan Penekanan Larian
Disebabkan oleh pensuisan pantas dan kejatuhan yang rendah, diod Schottky sesuai untuk perlindungan bateri songsang dan pemegang tenaga larian induktif.
Disambung merentasi beban induktif atau bateri, diod ini mengalirkan dan memusnahkan voltan songsang dengan cepat, melindungi pengawal utama.
V. Evolusi Teknologi: Pemaduan dengan Peranti GaN dan SiC
Walaupun peranti GaN dan SiC semakin maju dalam domain voltan tinggi, diod Schottky kekal relevan dalam pasaran pada segmen voltan rendah disebabkan oleh keberkesanan kos dan prestasi.
Arah tujuan masa depan merangkumi pemaduan dalam modul berketumpatan tinggi, pembangunan struktur Schottky dwi-arah, dan tatasusunan diod kebocoran ultra-rendah.
Diod Schottky | rectifikasi frekuensi tinggi | peningkatan kecekapan bekalan kuasa
EN
