Šis straipsnis išsamiai analizuoja Šotkio diodų įvairius vaidmenis kintamosios srovės/nuolatinės srovės maitinimo šaltiniuose, sinchroniniame rectifikavime, atvirkštinėje apsaugoje ir kitose srityse bei jų vystymosi tendencijas.
I. Konstrukcijos principas ir savybės
Šotkio diodai naudoja metalo puslaidininkio sandūrą vietoj PN sandūros, todėl turi mažesnį sandūros talpą ir tiesioginį įtampos kritimą, paprastai esantį tarp 0,2–0,4 V, bei labai greitą atvirkštinį atstatymą.
Tokios savybės leidžia juos naudoti aukšto dažnio rectifikavimui, sinchroniniam žemyn konvertavimui ir atvirkštinių impulsų apsaugai.
II. Pagrindinis komponentas kintamosios įtampos į nuolatinę rectifikavimo procese
Aukšto dažnio jungiklio režimo maitinimo šaltiniuose (SMPS) Schottky diodus dažnai naudojama kaip išvesties lygintuvus dėl jų mažo tiesioginio įtampos kritimo, kuris žymiai padidina sistemos efektyvumą.
Ypač USB PD ir greitųjų įkroviklių sistemose, kur termo valdymas yra kritiškai svarbus, Schottky maža šiluminė varža ir kompaktiška konstrukcija padeda efektyviai šviesti šilumą.
III. Kintamosios įtampos (DC-DC) konvertavimas ir sinchroninis lyginimas
Schottky diodus sinchroniniame lyginime dažnai poruojama su MOSFET tranzistoriais, veikiant kaip laisvojo eigo diodai arba atvirkštinės srovės keliai.
Pramonės energijos moduliuose, tokiuose kaip įkrovikliai ar saulės keitikliai, jų mažas elektromagnetinis triukšmas (EMI) prisideda prie tylos veikimo ir atitikimo EMC standartams.
IV. Atvirkštinė apsauga ir įtampos šuolių slopinimas
Dėl greito perjungimo ir mažo įtampos kritimo Schottky diodai yra idealūs atvirkštinės baterijos apsaugai ir indukcinės energijos šuolių ribojimui.
Prijungti per induktyvias apkrovas ar baterijas, jie greitai praleidžia ir išsklaido atvirkštines įtampas, apsaugodami pagrindinius valdiklius.
V. Technologijos evoliucija: integracija su GaN ir SiC įtaisais
Kol GaN ir SiC įtaisai progresuoja aukšto įtampos srityse, Schottky diodus išlaiko rinkos aktualumą žemo įtampos segmentuose dėl jų kainos ir našumo efektyvumo.
Ateities kryptys apima integraciją į aukštos tankio modulius, dvikryptės Schottky struktūros plėtojimą ir ultra mažo nutekėjimo diodų masyvus.
Schottky diodas | aukštos dažnio lygintuvė | maitinimo šaltinio efektyvumo pagerinimas
EN
