K4F8E3S4HD-MGCL0JP | Chip nhớ Samsung LPDDR4X 8Gb | Bộ nhớ di động và nhúng tốc độ cao, tiêu thụ điện năng thấp

Tổng quan về Sản phẩm

K4F8E3S4HD-MGCL0JP là chip nhớ DRAM LPDDR4X 8Gb của Samsung Semiconductor, được thiết kế cho băng thông cao và hoạt động siêu tiết kiệm điện. Tuân thủ đầy đủ tiêu chuẩn JEDEC LPDDR4X, chip hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên đến 4266 Mbps trong khi chỉ hoạt động ở mức điện áp 1.1V. Với thiết kế gói FBGA 200 chân nhỏ gọn, chip đảm bảo hiệu suất tản nhiệt tốt và ổn định tín hiệu, rất phù hợp cho điện thoại thông minh, hệ thống ô tô, bộ điều khiển AI và các ứng dụng IoT công nghiệp.

Tính năng nổi bật

• Tiêu chuẩn LPDDR4X tương thích với JEDEC
• Hỗ trợ tốc độ truyền dữ liệu lên đến 4266 Mbps mỗi chân
• Hoạt động ở điện áp thấp 1.1V ± 0.06V nhằm giảm tiêu thụ điện năng
• Hai kênh 16-bit để tăng băng thông hệ thống
• Bao gồm các tính năng huấn luyện CA và hiệu chỉnh độ trễ
• Chế độ làm mới tự động và chế độ tiết kiệm điện sâu để tăng hiệu quả năng lượng
• Gói FBGA 200 bóng nhỏ gọn phù hợp cho các thiết kế hạn chế về không gian
• Lý tưởng cho các ứng dụng di động, ô tô và công nghiệp

Ứng dụng

• Điện thoại thông minh và máy tính bảng
• Hệ thống giải trí và dẫn đường ô tô
• Thiết bị trí tuệ nhân tạo và điện toán biên
• Tự động hóa công nghiệp và bộ điều khiển Internet vạn vật (IoT)
• Thiết bị điện tử tiêu dùng và thiết bị đeo được

Thông số kỹ thuật

Yêu cầu báo giá

Để biết thông tin tồn kho, giá cả và giao hàng theo thời gian thực của K4F8E3S4HD-MGCL0JP, vui lòng cung cấp Số lượng (Qty), Thời gian Dẫn cần thiết và Giá mục tiêu trong RFQ. Đội ngũ của chúng tôi sẽ nhanh chóng cung cấp báo giá tốt nhất cùng hỗ trợ cho việc đóng gói BOM, cung ứng hàng sẵn có và quản lý tồn kho.