K4F8E3S4HD-MGCL0JP

8Gb високобрзинска, ниског потрошње LPDDR4X DRAM оптимизована за мобилне и уграђене примене.

Опис производа

Преглед производа

K4F8E3S4HD-MGCL0JP je 8Gb LPDDR4X DRAM od Samsung Semiconductor-a, dizajniran za visok propusni opseg i ultra nisku potrošnju energije. U potpunosti u skladu sa JEDEC LPDDR4X standardima, podržava brzine prenosa podataka do 4266 Mbps po pinu, pri naponu od samo 1,1V. Zahvaljujući kompaktnom paketu od 200 kuglica (FBGA), čip obezbeđuje izuzetnu termalnu efikasnost i stabilnost signala, što ga čini idealnim za pametne telefone, automobilske sisteme, kontrolere veštačke inteligencije i industrijske IoT aplikacije.

Кључне карактеристике

U skladu sa JEDEC LPDDR4X standardom
Podržava brzine prenosa podataka do 4266 Mbps po pinu
Radi na niskom naponu od 1,1V ± 0,06V za smanjenu potrošnju energije
Dvostruki 16-bitni kanali za veći sistemski propusni opseg
Uključuje funkcije kalibracije adresa/komandi i podešavanja kasnjenja
Аутоматско освежавање и дубоки режим смањене потрошње енергије ради ефикасности
Компактни пакет од 200 лоптица FBGA за дизајне са ограниченим простором
Идеално за мобилне, аутомобилске и индустријске примене

Primene

Смартфони и таблети
Аутомобилски инфотајмент и навигациони системи
Уређаји вештачке интелигенције и рачунарства на ивици
Индустријска аутоматизација и контролери за ИОТ
Потрошачка и носива електроника

Техничке спецификације

Параметри	Вредност
Gustina	8 Gb (1G × 8)
Процена података	4266 Мбитс
ВДДК	1.1В ± 0,06В
Kanali	2 × 16-битно
Pakovanje	фБГА са 200 лоптица
Димензија	10 × 10 × 0,8 mm
Размај температуре	-40°C ~ +95°C
Функције	ЦА обука, аутоматско обнављање
Интерфејс	ЛПДДР4Х
Енергетска ефикасност	Duboki san / Samoosvežavanje

Захтев за понуду

Za trenutne informacije o zalihama, cenama i isporuci K4F8E3S4HD-MGCL0JP, u upitu navedite količinu (Qty), potrebno vreme isporuke i ciljnu cenu. Naš tim će odmah pružiti najbolju ponudu i podršku za kompletiranje BOM liste, dostupnu robu i upravljanje zalihama.