8 Гбіт швидкодіюча енергоефективна LPDDR4X DRAM, оптимізована для мобільних та вбудованих застосувань.
Огляд продукту
K4F8E3S4HD-MGCL0JP — це 8-гігабітна DRAM LPDDR4X від Samsung Semiconductor, розроблена для високопродуктивної передачі даних і роботи з наднизьким енергоспоживанням. Повністю відповідає стандарту JEDEC LPDDR4X, підтримує швидкість передачі даних до 4266 Мбіт/с на контакт при напрузі всього 1,1 В. Завдяки компактному корпусу 200-ball FBGA чіп забезпечує високу теплову ефективність і стабільність сигналу, що робить його ідеальним для смартфонів, автомобільних систем, контролерів штучного інтелекту та промислових застосувань IoT.
Основні особливості
Застосування
Технічні специфікації
| Параметр | Значення |
| Щільність | 8 Гб (1G × 8) |
| Швидкість передачі даних | 4266 Мбіт/с |
| VDDQ | 1,1 В ± 0,06 В |
| Канали | 2 × 16-біт |
| Пакування | fBGA, 200 контактів |
| Розмір | 10 × 10 × 0,8 мм |
| Температурний діапазон | -40°C ~ +95°C |
| Функції | Навчання CA, автоматичне оновлення |
| Інтерфейс | LPDDR4X |
| Ефективність потужності | Глибокий сон / Самооновлення |
Запит на ціну
Для отримання актуальних даних про наявність на складі, ціни та терміни доставки K4F8E3S4HD-MGCL0JP, будь ласка, вкажіть у запиті кількість (Qty), необхідний термін поставки та цільову ціну. Наша команда оперативно надасть найкращу пропозицію та підтримку щодо комплектації BOM, разових поставок та управління запасами.