mobil ve gömülü uygulamalar için optimize edilmiş 8Gb yüksek hızlı, düşük güç tüketimli LPDDR4X DRAM.
Ürün Genel Bakış
K4F8E3S4HD-MGCL0JP, yüksek bant genişliği ve ultra düşük güç tüketimi için tasarlanmış Samsung Semiconductor'ın 8Gb'lık bir LPDDR4X DRAM'idir. JEDEC LPDDR4X standartlarına tam uyumlu olup, yalnızca 1.1V'ta çalışırken pin başına 4266 Mbps'a kadar veri hızlarını destekler. Kompakt 200-topuzlu FBGA paketi sayesinde mükemmel termal verimlilik ve sinyal stabilitesi sağlar ve bu da onu akıllı telefonlar, otomotiv sistemleri, yapay zeka denetleyicileri ve endüstriyel IoT uygulamaları için ideal hale getirir.
Temel Özellikler
Uygulamalar
Teknik özellikler
| Parametre | Değer |
| Yoğunluk | 8 Gb (1G × 8) |
| Veri oranı | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| Kanallar | 2 × 16-bit |
| Paketleme | 200 Topluluklu FBGA |
| Boyut | 10 × 10 × 0.8 mm |
| Sıcaklık Aralığı | -40°C ~ +95°C |
| Fonksiyonlar | CA Eğitimi, Otomatik Yenileme |
| Arayüz | LPDDR4X |
| Enerji Verimliliği | Derin Uyku / Kendini Yenileme |
Teklif Talebi
K4F8E3S4HD-MGCL0JP ürününün gerçek zamanlı stok, fiyat ve teslimat bilgisi için Lütfen Miktarı (Adet), Gerekli Teslim Süresini ve Hedef Fiyatı RFQ'ye ekleyin. Ekibimiz BOM kiti, nakit tedarik ve envanter yönetimi konularında en iyi teklifi ve desteği hızlı bir şekilde sunacaktır.