MT40A2G16TBB-062E:F | Micron หน่วยความจำ SDRAM DDR4 16 กิกะบิต | DRAM อุตสาหกรรมประสิทธิภาพสูง

ภาพรวมผลิตภัณฑ์

MT40A2G16TBB-062E:F เป็นหน่วยความจำ SDRAM DDR4 ขนาด 16 กิกะบิต (2G × 16) จาก Micron รองรับอัตราการส่งข้อมูลสูงสุดถึง 2400MT/s
ออกแบบตามมาตรฐาน JEDEC DDR4 ให้แบนด์วิธสูง ความหน่วงต่ำ และคุณภาพสัญญาณที่ยอดเยี่ยม พร้อมแรงดันทำงานที่มีประสิทธิภาพเพียง 1.2 โวลต์

เหมาะสำหรับการใช้งานในเซิร์ฟเวอร์ คอมพิวเตอร์อุตสาหกรรม อุปกรณ์เครือข่าย และระบบ AIoT ที่ขอบเครือข่าย โดยโครงสร้าง 2G × 16 ช่วยให้สามารถจัดเก็บข้อมูลความหนาแน่นสูงและผ่านพูนประสิทธิภาพสำหรับงานที่ต้องการทรัพยากรสูง ได้รับการนำมาใช้อย่างแพร่หลายในแพลตฟอร์ม OEM/ODM ที่ต้องการหน่วยความจำ DRAM DDR4 ที่มีความน่าเชื่อถือและความจุสูง

ลักษณะสําคัญ

• เทคโนโลยี DDR4 ประสิทธิภาพสูงจาก Micron
• ความจุ 16 กิกะบิต (โครงสร้าง 2G × 16)
• รองรับความเร็วสูงสุดถึง 2400MT/s
• แรงดันทำงานต่ำเพียง 1.2 โวลต์
• สถาปัตยกรรมแบบกลุ่มแบงก์ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานแบบขนาน
• คุณภาพสัญญาณยอดเยี่ยมและประสิทธิภาพที่เสถียร
• เหมาะสำหรับเซิร์ฟเวอร์ คอนโทรลเลอร์อุตสาหกรรม และงานประมวลผล AIoT
• แพคเกจ FBGA เหมาะสำหรับการวางผังแผงวงจรพีซีบีแบบหนาแน่น

ฟิลด์แอปพลิเคชัน

• เซิร์ฟเวอร์ศูนย์ข้อมูล
• ระบบฝังตัวอุตสาหกรรม (IPC, HMI, PLC)
• อุปกรณ์เครือข่าย (สวิตช์ รูเตอร์ ไฟร์วอลล์)
• ระบบคอมพิวเตอร์ขอบ AIoT
• โมดูลประมวลผลวิดีโอและการแสดงผล
• เครื่องใช้ไฟฟ้าอัจฉริยะและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ระดับพรีเมียม
• ระบบความบันเทิงและหน้าจอแสดงผลสำหรับยานยนต์ (ระดับที่ไม่ใช่อุตสาหกรรมยานยนต์; ขึ้นอยู่กับโครงการ)

ข้อมูลจำเพาะหลัก

ขอใบเสนอราคา

หากต้องการขอราคาสำหรับ MT40A2G16TBB-062E:F รวมถึงข้อมูลด้านความพร้อมในการจัดหา ระยะเวลานำส่ง ปริมาณสั่งซื้อขั้นต่ำ ข้อมูลล็อต แผ่นข้อมูลทางเทคนิค หรือคำแนะนำผลิตภัณฑ์ทดแทน กรุณาส่งใบเสนอราคาของคุณ

เราให้การสนับสนุนด้านการจัดหาสินค้าแบบสปอต การจัดหาสินค้าหายาก การจัดชุด BOM และการจัดหาเพื่อการผลิตในระยะยาว