ซีรีส์ JRESD SOD-523 | ไดโอด TVS ESD ขนาดเล็กมากสำหรับการป้องกันพอร์ต SIM, USB และ RF
ซีรีส์ JRESD SOD-523 เป็นไดโอด TVS ขนาดจิ๋วพิเศษที่อยู่ในแพ็กเกจ SOD-523 ขนาด 1.2 มม. × 0.8 มม. ออกแบบมาสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พกพาที่ต้องการพื้นที่จำกัด โดยให้การตอบสนอง ESD ที่รวดเร็ว ความจุของขั้วต่ำ และการยึดค่าแรงดันที่มีประสิทธิภาพ
เหมาะสำหรับการป้องกัน ESD ของเส้นทางที่ละเอียดอ่อน เช่น SIM, USB, GPIO, RF, I²C และบัสเซนเซอร์ในสมาร์ทโฟน หูฟัง TWS และอุปกรณ์สวมใส่
| ชื่อสินค้า | ประเภท | VRWM (V) | VBR _Min(V) | VBR _Max(V) | IPP (A) | VC@IPP(V) | Cj _TYP(พิโคฟาราด) | IR@VRWM(μA) | Tj（℃） | สถานะ |
| JRESD12VD5 | ยูนิ | 12 | 13.5 | 16.5 | 9.6 | 26 | 45 | 0.5 | 125 | มีผล |
| JRESD15VD5 | ยูนิ | 15 | 16.5 | 10 | 40 | 45 | 0.5 | 125 | มีผล | |
| JRESD18VD5 | ยูนิ | 18 | 19 | 28 | 8 | 38 | 39 | 0.5 | 125 | มีผล |
| JRESD24VD5 | ยูนิ | 24 | 25 | 32 | 7 | 44 | 36 | 0.5 | 125 | มีผล |
| JRESD36VD5 | ยูนิ | 36 | 38 | 5 | 75 | 40 | 0.5 | 125 | มีผล | |
| JRESD3V3D5 | ยูนิ | 3.3 | 5 | 16 | 14 | 120 | 0.08 | 125 | มีผล | |
| JRESD3V3D5A | ยูนิ | 3.3 | 3.5 | 15 | 10 | 22 | 0.2 | 125 | มีผล | |
| JRESD3V3D5B | บี | 3.3 | 3.6 | 5 | 8 | 11 | 15 | 0.5 | 125 | มีผล |
| JRESD3V3D5BA | บี | 3.3 | 3.5 | 13 | 9.5 | 20 | 0.1 | 125 | มีผล | |
| JRESD5V0D5 | ยูนิ | 5 | 6.2 | 7.5 | 13 | 17 | 100 | 1 | 125 | มีผล |
| JRESD5V0D5B | บี | 5 | 5.8 | 8.7 | 8 | 16 | 35 | 1 | 125 | มีผล |
| JRESD5V0D5BA | บี | 5 | 5.1 | 20 | 12 | 35 | 0.1 | 125 | มีผล | |
| JRESD5V0D5BS | บี | 5 | 5.3 | 8 | 10 | 10 | 0.1 | 125 | มีผล | |
| JRESD5V0D5BS1 | บี | 5 | 5.7 | 6 | 12 | 15 | 0.1 | 125 | มีผล | |
| JRESD5V0D5BS2 | บี | 3 | 5.7 | 8 | 12 | 17 | 0.1 | 125 | มีผล | |
| JRESD6V0D5 | ยูนิ | 6 | 6.8 | 10 | 18 | 68 | 0.01 | 125 | มีผล | |
| JRESD7V0D5 | ยูนิ | 7 | 7.5 | 8.8 | 22.7 | 65 | 0.03 | 125 | มีผล | |
| JRESDLC5V0D5B | บี | 5 | 5.5 | 8 | 5 | 2 | 3 | 0.1 | 125 | มีผล |
| JRESDSLC5V0D5B | บี | 5 | 6.5 | 9.5 | 4 | 25 | 0.3 | 0.2 | 125 | มีผล |
EN