Cyfres JRESD SOD-523 | Diod TVS ESD Super-bach ar gyfer Diogelu Port SIM, USB, a Chyfeiriadau RF
Cyfres JRESD SOD-523 yw diod TVS ffwl tra mini wedi ei gynnwys yn siâp SOD-523 o 1.2mm × 0.8mm. Wedi'i dylunio ar gyfer electronegau brysur sy'n hanfodol i ofod, mae'n cynnig ymateb ESD gyflym, cyfyngad cydberthynol isel, a chlympio effeithiol.
Mae'n addas ar gyfer amddiffyn ESD llinellau sensitif megis SIM, USB, GPIO, RF, I²C, a throseddfeydd sensor yn symuddefaid, clustiau clust TWS, a phorfforiaethau.
| Enw'r cynnyrch | Math | VRWM(V) | Isaf Fyrrwedd BR (V) | Uchaf Fyrrwedd BR (V) | IPP(A) | VC@IPP(V) | Cj _TYP(PF) | IR@VRWM(μA) | Tj（℃） | Statws |
| JRESD12VD5 | Unig | 12 | 13.5 | 16.5 | 9.6 | 26 | 45 | 0.5 | 125 | Actif |
| JRESD15VD5 | Unig | 15 | 16.5 | 10 | 40 | 45 | 0.5 | 125 | Actif | |
| JRESD18VD5 | Unig | 18 | 19 | 28 | 8 | 38 | 39 | 0.5 | 125 | Actif |
| JRESD24VD5 | Unig | 24 | 25 | 32 | 7 | 44 | 36 | 0.5 | 125 | Actif |
| JRESD36VD5 | Unig | 36 | 38 | 5 | 75 | 40 | 0.5 | 125 | Actif | |
| JRESD3V3D5 | Unig | 3.3 | 5 | 16 | 14 | 120 | 0.08 | 125 | Actif | |
| JRESD3V3D5A | Unig | 3.3 | 3.5 | 15 | 10 | 22 | 0.2 | 125 | Actif | |
| JRESD3V3D5B | Bi | 3.3 | 3.6 | 5 | 8 | 11 | 15 | 0.5 | 125 | Actif |
| JRESD3V3D5BA | Bi | 3.3 | 3.5 | 13 | 9.5 | 20 | 0.1 | 125 | Actif | |
| JRESD5V0D5 | Unig | 5 | 6.2 | 7.5 | 13 | 17 | 100 | 1 | 125 | Actif |
| JRESD5V0D5B | Bi | 5 | 5.8 | 8.7 | 8 | 16 | 35 | 1 | 125 | Actif |
| JRESD5V0D5BA | Bi | 5 | 5.1 | 20 | 12 | 35 | 0.1 | 125 | Actif | |
| JRESD5V0D5BS | Bi | 5 | 5.3 | 8 | 10 | 10 | 0.1 | 125 | Actif | |
| JRESD5V0D5BS1 | Bi | 5 | 5.7 | 6 | 12 | 15 | 0.1 | 125 | Actif | |
| JRESD5V0D5BS2 | Bi | 3 | 5.7 | 8 | 12 | 17 | 0.1 | 125 | Actif | |
| JRESD6V0D5 | Unig | 6 | 6.8 | 10 | 18 | 68 | 0.01 | 125 | Actif | |
| JRESD7V0D5 | Unig | 7 | 7.5 | 8.8 | 22.7 | 65 | 0.03 | 125 | Actif | |
| JRESDLC5V0D5B | Bi | 5 | 5.5 | 8 | 5 | 2 | 3 | 0.1 | 125 | Actif |
| JRESDSLC5V0D5B | Bi | 5 | 6.5 | 9.5 | 4 | 25 | 0.3 | 0.2 | 125 | Actif |
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