8 GB vysokorýchlostná nízkoenergetická pamäť LPDDR4X DRAM optimalizovaná pre mobilné a embedded aplikácie.
Prehľad produktu
K4F8E3S4HD-MGCL0JP je 8Gb LPDDR4X DRAM od spoločnosti Samsung Semiconductor, navrhnutá pre vysoké pásmo a ultra-nízku spotrebu energie. Úplne kompatibilná so štandardom JEDEC LPDDR4X, podporuje rýchlosti prenosu dát až do 4266 Mbps pri prevádzkovom napätí len 1,1 V. Vďaka kompaktnému balení 200-vývodového FBGA zaručuje vynikajúcu tepelnú účinnosť a stabilitu signálu, čo ju robí ideálnou pre smartfóny, automobilové systémy, kontroléry umelnej inteligencie a aplikácie priemyselného internetu vecí (IIoT).
Kľúčové vlastnosti
Aplikácie
Technické špecifikácie
| Parameter | Hodnota |
| Hustota | 8 Gb (1G × 8) |
| Dátová rýchlosť | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Kanály | 2 × 16-bitové |
| Balenie | 200-vývodové FBGA |
| Rozmer | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Rozsah teplôt | -40 °C ~ +95 °C |
| Funkcie | CA školenie, automatické obnovenie |
| Rozhranie | LPDDR4X |
| Účinnosť pri spotrebe energie | Hlboký spánok / samoobnovenie |
Požiadavka na Cenovú Ponuku
Pre aktuálny stav zásob, ceny a informácie o dodaní K4F8E3S4HD-MGCL0JP uveďte vo svojom dopyte množstvo (Qty), požadovanú dodaciu lehotu a cieľovú cenu. Náš tím vám rýchlo poskytne najlepšiu cenovú ponuku a podporu pri kompletácii BOM, dodávke zo skladu a riadení zásob.