8 Гб высокоскоростная энергоэффективная LPDDR4X DRAM, оптимизированная для мобильных и встраиваемых приложений.
Обзор продукта
K4F8E3S4HD-MGCL0JP — это 8 Гбит LPDDR4X DRAM от Samsung Semiconductor, разработанная для работы с высокой полосой пропускания и сверхнизким энергопотреблением. Полностью соответствует стандарту JEDEC LPDDR4X, поддерживает скорости передачи данных до 4266 Мбит/с при напряжении всего 1,1 В. Благодаря компактному корпусу 200-выводного FBGA чип обеспечивает отличную тепловую эффективность и стабильность сигнала, что делает его идеальным решением для смартфонов, автомобильных систем, контроллеров ИИ и промышленных приложений IoT.
Ключевые особенности
Применения
Технические характеристики
| Параметры | Значение |
| Плотность | 8 Гбит (1Г × 8) |
| Скорость передачи данных | 4266 Мбит/с |
| VDDQ | 1,1 В ± 0,06 В |
| Каналы | 2 × 16-бит |
| Упаковка | 200-шариковый FBGA |
| Размер | 10 × 10 × 0,8 мм |
| Диапазон температур | -40 °C ~ +95 °C |
| Функции | Обучение CA, автоматическое обновление |
| Интерфейс | LPDDR4X |
| Энергоэффективность | Глубокий сон / Самообновление |
Запрос котировки
Для получения актуальной информации о наличии на складе, ценах и сроках поставки K4F8E3S4HD-MGCL0JP, пожалуйста, укажите в запросе количество (Qty), требуемое время поставки и целевую цену. Наша команда оперативно предоставит лучшее коммерческое предложение, а также поддержку по комплектации BOM, разовым поставкам и управлению запасами.