8Gb de DRAM LPDDR4X de alta velocidade e baixo consumo de energia otimizada para aplicações móveis e embarcadas.
Visão geral do produto
K4F8E3S4HD-MGCL0JP é uma DRAM LPDDR4X de 8 Gb da Samsung Semiconductor, projetada para alta largura de banda e operação com ultra-baixo consumo de energia. Totalmente compatível com os padrões JEDEC LPDDR4X, suporta taxas de dados de até 4266 Mbps operando apenas a 1,1 V. Com seu compacto invólucro FBGA de 200 esferas, o chip garante excelente eficiência térmica e estabilidade de sinal, sendo ideal para smartphones, sistemas automotivos, controladores de IA e aplicações industriais de IoT.
Principais Características
Aplicações
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Valor |
| Densidade | 8 Gb (1G × 8) |
| Taxa de dados | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Canais | 2 × 16 bits |
| Pacote | fBGA de 200 bolas |
| Dimensão | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Faixa de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Funções | Treinamento CA, Autoatualização |
| Interface | LPDDR4X |
| Eficiência energética | Modo de espera profunda / autoatualização |
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