8 GB szybkiej pamięci DRAM LPDDR4X o niskim poborze mocy zoptymalizowanej dla urządzeń mobilnych i zastosowań wbudowanych.
Przegląd produktu
K4F8E3S4HD-MGCL0JP to 8Gb pamięć LPDDR4X firmy Samsung Semiconductor, zaprojektowana do pracy z dużą przepustowością i ultra niskim poborem mocy. Pełne zgodne ze standardem JEDEC LPDDR4X, obsługuje szybkości transmisji danych do 4266 Mbps przy napięciu pracy tylko 1,1 V. Dzięki kompaktowemu obudowie FBGA z 200 wyprowadzeniami, układ zapewnia doskonałą efektywność termiczną i stabilność sygnału, co czyni go idealnym rozwiązaniem dla smartfonów, systemów samochodowych, kontrolerów AI oraz aplikacji przemysłowego Internetu rzeczy (IIoT).
Kluczowe cechy
Zastosowania
Specyfikacje techniczne
| Parametr | Wartość |
| Gęstość | 8 Gb (1G × 8) |
| Wskaźnik danych | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Kanały | 2 × 16-bit |
| Opakowanie | obudowa FBGA 200-pinowa |
| Wymiary | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Zakres temperatur | -40°C ~ +95°C |
| Funkcje | Szkolenie CA, automatyczne odświeżanie |
| Interfejs | LPDDR4X |
| Wydajność energetyczna | Głęboki Sen / Odświeżanie Własne |
Prośba o wycenę
Aby uzyskać aktualne informacje o stanie magazynowym, cenach i terminach dostawy produktu K4F8E3S4HD-MGCL0JP, prosimy o podanie ilości (Qty), wymaganego czasu realizacji oraz docelowej ceny w formularzu RFQ. Nasz zespół niezwłocznie przedstawi najlepszą ofertę oraz wsparcie w zakresie kompletacji BOM, dostaw hurtowych i zarządzania zapasami.