Seria JRESD DFN2510 | Diody TVS o bardzo niskiej pojemności do ochrony ESD interfejsu dużej prędkości
Diody TVS serii JRESD DFN2510 integrują ochronę przed ESD w konfiguracji jednokanałowej lub wielokanałowej w kompaktowym opakowaniu DFN 2.5×1.0mm. Posiada one ultra-niską pojemność (zwykle od 0,3pF do 0,5pF) i szybki czas reakcji (<1ns).
Wykonane dla wysokoprędkościowych interfejsów różnicowych, takich jak USB 2.0/3.0, HDMI, DisplayPort, CAN oraz RS485, ta seria skutecznie tłumi uszkodzenia spowodowane przepływem (±15kV) lub rozladowaniem powietrznym (±30kV).
Niska utrata prądu i napięcie zacisku zapewniają bezpieczeństwo IC i portów bez pogarszania integralności sygnału.
| Nazwa Produktu | Typ | VRWM(V) | VBR _Min(V) | VBR _Max(V) | IPP(A) | VC@IPP(V) | Cj _TYP(PF) | IR@VRWM(μA) | Tj(℃) | Status |
| JR0524P | 4 linie Uni | 5 | 6.1 | 8.5 | 5 | 18 | 0.8 | 0.9 | 125 | Aktywny |
| JR0524PL | 4 linie Uni | 5 | 5.8 | 9.5 | 8 | 7 | 1 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JR3304J | 4 linie Uni | 3.3 | 3.5 | 6 | 10 | 0.6 | 0.2 | 125 | Aktywny | |
| JR3324P | 4 linie Uni | 3.3 | 5.6 | 5 | 13 | 0.5 | 1 | 125 | Aktywny | |
| JRESD2404P5B | 4 linie Bi | 24 | 26.5 | 5 | 34 | 6 | 0.2 | 125 | Aktywny | |
| JRESDSLC0504P5A | 4 linie Uni | 5 | 7 | 9 | 4.5 | 12 | 0.6 | 0.1 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC0504P5 | 4 linie Uni | 5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC0504P5B | 4 linie Bi | 5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC1E04P5 | 4 linie Uni | 1.5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC1E04P5B | 4 linie Bi | 1.5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC3304P5 | 4 linie Uni | 3.3 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktywny |
| JRSESDULC3304P5B | 4 linie Bi | 3.3 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktywny |
EN