Siri JRESD DFN2510 | Diod TVS Kapasitan Ultra Rendah untuk Perlindungan ESD Antara Muka Berkelajuan Tinggi
Siri JRESD DFN2510 TVS diode mengintegrasikan perlindungan ESD tunggal atau multichannel dalam kemasan DFN2.5×1.0mm yang kompak. Ia mempunyai kapasitans ultra-rendah (biasanya 0.3pF hingga 0.5pF) dan masa tindak balas pantas (<1ns).
Didesain untuk antara muka perbezaan laju tinggi seperti USB 2.0/3.0, HDMI, DisplayPort, CAN, dan RS485, siri ini secara berkesan menekan kerosakan lonjakan dari pelepasan kontak (±15kV) atau pelepasan udara (±30kV).
Kebocoran rendah dan voltan pengekalan rendah memastikan keselamatan IC dan pelabuhan tanpa merosak integriti isyarat.
| Nama Produk | TAIP | VRWM(V) | VBR _Min(V) | VBR _Maks(V) | IPP(A) | VC@IPP(V) | Cj _TYP(PF) | IR@VRWM(μA) | Tj（℃） | Status |
| JR0524P | 4 baris Uni | 5 | 6.1 | 8.5 | 5 | 18 | 0.8 | 0.9 | 125 | Aktif |
| JR0524PL | 4 baris Uni | 5 | 5.8 | 9.5 | 8 | 7 | 1 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JR3304J | 4 baris Uni | 3.3 | 3.5 | 6 | 10 | 0.6 | 0.2 | 125 | Aktif | |
| JR3324P | 4 baris Uni | 3.3 | 5.6 | 5 | 13 | 0.5 | 1 | 125 | Aktif | |
| JRESD2404P5B | 4 baris Bi | 24 | 26.5 | 5 | 34 | 6 | 0.2 | 125 | Aktif | |
| JRESDSLC0504P5A | 4 baris Uni | 5 | 7 | 9 | 4.5 | 12 | 0.6 | 0.1 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC0504P5 | 4 baris Uni | 5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC0504P5B | 4 baris Bi | 5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC1E04P5 | 4 baris Uni | 1.5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC1E04P5B | 4 baris Bi | 1.5 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC3304P5 | 4 baris Uni | 3.3 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.55 | 0.2 | 125 | Aktif |
| JRSESDULC3304P5B | 4 baris Bi | 3.3 | 6 | 10 | 7 | 8 | 0.28 | 0.2 | 125 | Aktif |
EN