K4F8E3S4HD-MGCL0JP | Samsung LPDDR4X 8Gb-geheugenchip | Hoge snelheid, laag verbruik, mobiel en ingebed geheugen

Productoverzicht

K4F8E3S4HD-MGCL0JP is een 8Gb LPDDR4X DRAM van Samsung Semiconductor, ontworpen voor hoge bandbreedte en ultralaag stroomverbruik. Volledig conform de JEDEC LPDDR4X-standaard, ondersteunt het gegevenssnelheden tot 4266 Mbps bij een bedrijfsspanning van slechts 1,1 V. Dankzij het compacte 200-knobbels FBGA-formaat zorgt de chip voor uitstekende thermische efficiëntie en signaalstabiliteit, waardoor het ideaal is voor smartphones, autotechnische systemen, AI-controllers en industriële IoT-toepassingen.

Belangrijkste Kenmerken

• Conform de JEDEC LPDDR4X-standaard
• Ondersteunt gegevenssnelheden tot 4266 Mbps per pin
• Functioneert bij lage spanning van 1,1 V ± 0,06 V voor gereduceerd stroomverbruik
• Dubbele 16-bit kanalen voor hogere systeembandbreedte
• Bevat CA-training en latentie-calibratiefuncties
• Automatisch vernieuwen en diepe powersave-modi voor energie-efficiëntie
• Compacte 200-ball FBGA-behuizing voor ontwerpen met beperkte ruimte
• Ideaal voor mobiele, automotive- en industriële toepassingen

Toepassingen

• Smartphones en tablets
• Automotive informatie- en navigatiesystemen
• AI- en edge computing-apparaten
• Industriële automatisering en IoT-controllers
• Consumenten- en draagbare elektronica

Technische specificaties

Offerteaanvraag

Voor actuele voorraadinformatie, prijzen en levering van K4F8E3S4HD-MGCL0JP, gelieve uw Aantal (Qty), Gewenste levertijd en Doelprijs op te nemen in de aanvraag. Ons team zal snelst mogelijke een offerte sturen en ondersteuning bieden voor BOM-kitting, losse levering en voorraadbeheer.