အမြင့်မြန်နှုန်း ပြန်လည်ထူထောင်ရေး ဒိုင်โဋ များ၏ အသုံးပြုမှု

I. အမြင့်မြန်နှုန်း ပြန်လည်ထူထောင်ရေး ဒိုင်းအုပ်စု မိတ်ဆက်ခြင်း

Ultrafast Recovery Diodes (UFRDs) သည် အမြင့်မြန်နှုန်း အသုံးပြုမှုများအတွက် အထူးပြုလုပ်ထားသော ကျူးကျော်သော ကိရိယာများဖြစ်ပါသည်။ ထိုဒိုင်းအုပ်စုသည် ပြောင်းလဲသော အခြေအနေမှ မပြောင်းလဲသော အခြေအနေသို့ အမြန်ပြန်လည်ထူထောင်နိုင်သောကြောင့် ပြောင်းလဲမှုဆိုင်ရာ ဆုံးရှုံးမှုများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ ဤဒိုင်းအုပ်စုများသည် ပါဝါ မော်ဂျူးများ၊ ပြောင်းလဲသော ပါဝါ စနစ်များ (SMPS) နှင့် အခြားသော အမြင့်မြန်နှုန်း ပါဝါ အီလက်ထရွန်နစ် စနစ်များတွင် အထူးသဖြင့် အမြင့်ဆုံး စီးဆင်းမှုနှင့် အမြန်ပြောင်းလဲမှု အခြေအနေများတွင် အဓိက အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။

II. အမြင့်မြန်နှုန်း ပြန်လည်ထူထောင်ရေး ဒိုင်းအုပ်စု၏ လုပ်ငန်းဆောင်တာ

အလွန်မြန်စွာပြန်လည်သက်သာစေသော ဒိုင်အိုဒ်များ၏ အလုပ်လုပ်ပုံသည် ပိတ်ဆို့မှုများမှ ပိုမိုကောင်းမွန်သော အခြေအနေများသို့ ပြန်လည်သက်သာစေသော စွမ်းရည်ပေါ်တွင် အခြေခံသည်။ ဒိုင်အိုဒ်သည် စီးဆင်းနေစဉ်တွင် ဓာတ်လိုက်သည်မှ ကက်သိုဒ်သို့ စီးဆင်းပြီး ဒိုင်အိုဒ်အတွင်းတွင် စွန့်ပစ်မှုများ စုဆောင်းလာသည်။ ဓာတ်လိုက်ကို ပိတ်လိုက်သောအခါတွင် အလွန်မြန်စွာပြန်လည်သက်သာစေသော ဒိုင်အိုဒ်သည် စုဆောင်းထားသော ဓာတ်လိုက်ကို အမြန်ဖယ်ရှားပေးပြီး ဒိုင်အိုဒ်ပိတ်သွားသောအခါတွင် ပြောင်းပြန်ဓာတ်လိုက်စီးဆင်းမှုကို ကာကွယ်ပေးသည်။

III. အလွန်မြန်စွာပြန်လည်သက်သာစေသော ဒိုင်အိုဒ်များ၏ အားသာချက်များ

ပြောင်းပြန်ပြန်လည်သက်သာစေသောအချိန်နှုန်းနိမ့်ပါးခြင်း- အလွန်မြန်စွာပြန်လည်သက်သာစေသော ဒိုင်အိုဒ်များတွင် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်သက်သာစေသော အချိန်သည် နန်းစက်ကွင်းဆက်အတွင်းတွင် ရှိတတ်ပြီး အဲဒီအချိန်သည် ပြောင်းလဲမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုဆိုင်ရာ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေသည်။

မြင့်မားသောဗို့အားခံနိုင်ရည်- ဒီဒိုင်အိုဒ်များသည် မြင့်မားသော ပြောင်းပြန်ဗို့အားကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး မြင့်မားသောဗို့အား အသုံးပြုမှုများအတွက် သင့်တော်သည်။ ဥပမာ- မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းပါဝါစွမ်းဆောင်ရည်များနှင့် DC-DC ပြောင်းလဲသူများ။

စွမ်းအင်ကို ထိရောက်စွာ ပြောင်းလဲခြင်း ပြောင်းပြန်ပြန်လည်သက်သာစေသော စွန့်ပစ်မှုနည်းပါးမှုကြောင့် အလွန်မြန်စွာပြန်လည်သက်သာစေသော ဒိုင်အိုဒ်များသည် ပိုမိုထိရောက်စွာ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှုကို ပေးဆောင်ပြီး စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုလျော့နည်းစေသည်။

IV. အသုံးပြုမည့် အခြေအနေများ - SMPS နှင့် မော်တာများအား ထိန်းချုပ်ရာတွင်

စွမ်းအားပေးစက်များ (SMPS): Ultrafast ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်โအိုဒ်များကို SMPS တွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးပြုကြပြီး အထူးသဖြင့် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများဖြင့် ပိတ်/ဖွင့် လုပ်ဆောင်နေစဉ်အတွင်းတွင် ပိတ်/ဖွင့် လုပ်ဆောင်မှုများကြောင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး စနစ်၏ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေရန်အတွက် အသုံးပြုကြပါသည်။

မော်တာထိန်းချုပ်ရေး စနစ်များ မော်တာထိန်းချုပ်ရေး ဆာကစ်တွင် Ultrafast ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်းိုဒ်များသည် မြန်နှုန်းမြင့် ပြန်ကြားစီးဆင်းမှုကို တားဆီးပေးသဖြင့် စနစ်၏ တုံ့ပြန်မှုနှုန်းနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေပါသည်။

မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများဖြင့် DC ပြောင်းလဲသည့် စနစ်များ မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများဖြင့် DC ပြောင်းလဲသည့် စနစ်များတွင် (DC-DC ပြောင်းလဲသည့် စနစ်များ) Ultrafast ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်းိုဒ်များ၏ မြန်နှုန်းမြင့် ပိတ်/ဖွင့် လုပ်ဆောင်မှုများကြောင့် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲမှု၏ တိကျမှုနှင့် ထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ တိုးတက်စေပါသည်။

V. Ultrafast ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်းိုဒ်များကို ရွေးချယ်ရာတွင် လမ်းညွှန်ချက်များ

Ultrafast ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်းိုဒ်များကို ရွေးချယ်သည့်အခါတွင် အင်ဂျင်နီယာများက အောက်ပါ ပါရာမီတာများကို စဉ်းစားရပါမည်-

ပြန်လည်ရရှိရေးအချိန် (Trr): စနစ်ဆိုင်ရာ ထိရောက်မှုကို တိုးတက်စေရန် ပြန်လည်ထူထောင်ရေး အချိန်နှုန်းတိုသော diodes များကို ရွေးချယ်ပါ။

အများဆုံးတိုက်ရိုက်လျှပ်စီးကြေး (IF): ဒိုင်အိုဒ်၏ အများဆုံးတိုက်ရိုက်လျှပ်စီးကြေး အဆင့်သတ်မှတ်ချက်သည် စနစ်၏ လျှပ်စီးကြေးလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းနိုင်သည်ကို သေချာစေပါ။

ဗို့တေးရှိ အဆင့်သတ်မှတ်ချက်- စနစ်တွင်းရှိ အများဆုံး ပြန်လည်ထူထောင်ရေး ဗို့တေးရှိ အဆင့်သတ်မှတ်ချက်ထက် ဒိုင်အိုဒ်၏ ပြန်လည်ထူထောင်ရေး ဗို့တေးရှိ အဆင့်သတ်မှတ်ချက် ပိုမိုမြင့်မားသည်ကို သေချာစေပါ။

ပက်ကေ့ချ်အမျိုးအစား- TO-220၊ TO-247 သို့မဟုတ် SMD ကဲ့သို့သော အသုံးပြုမှုအရ သင့်လျော်သည့် ပက်ကေ့ချ်ကိုရွေးချယ်ပါ။ အပူဖြန့်ကျက်မှုကို သေချာစေရန်။

VI. နောင်တွင်ဖြစ်လာမည့် တိုးတက်မှုများ

ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါပြောင်းလဲမှုဆိုင်ရာ ထိရောက်မှုအတွက် တောင်းဆိုမှုများ တိုးတက်လာသည်နှင့်အမျှ ultrafast recovery diodes များသည် ပြန်လည်ထူထောင်ရေးအားနည်းငယ်ခြင်း၊ မြန်နှုန်းမြင့်မားသော ဖရီကွင်စီတုံ့ပြန်မှုနှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဒီဇိုင်းများကို တိုးတက်စေရန် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်နေပါသည်။ ထပ်မံ၍ Gallium Nitride (GaN) နှင့် Silicon Carbide (SiC) ကဲ့သို့သော အမျိုးအစားသစ်ပစ္စည်းများ၏ ပေါ်ပေါက်လာမှုသည် ultrafast recovery diode နည်းပညာတွင် တော်လှန်ရေးကို မောင်းနှင်ပေးနေပြီး ထိရောက်သော ပြောင်းလဲမှုနှင့် မြင့်မားသောဗို့တေးရှိ အသုံးပြုမှုများတွင် သူတို့၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုတိုးတက်စေပါသည်။

အထူးမြန်နှုန်းနှင့် ပြန်လည်ရရှိရေး ဒိုင်โအိုဒ်များ | အမြင့်မာန်ကြိမ်နှုန်း ပါဝါစွမ်းဆောင်ရည် ကာကွယ်ရေး | မော်တာ ဆားကစ်များ မောင်းနှင်ရေး