ပါဝါကိရိယာများတွင် စွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အပူစီမံခန့်ခွဲမှုအတွက် MOSFET ဖြေရှင်းချက်များ

I. ပြဿနာကိုအခြေခံ၍စတင်ခြင်း- ကြိုးမဲ့ကိရိယာများတွင် ပါဝါဆုံးရှုံးမှုနှင့် အပူထွက်များ

လစ်သီယမ်-အိုင်းယွန်ဘက်ထရီနည်းပညာတိုးတက်လာမှုနှင့်အတူ ကြိုးမဲ့ပါဝါကိရိယာများသည် တည်ဆောက်ခြင်း၊ ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့် အိမ်သုံး DIY ဈေးကွက်များတွင် အဓိကဖြစ်လာပါသည်။ သို့သော် ၎င်း၏ အရွယ်ငယ် အမြင့်ပါဝါဒီဇိုင်းများသည် ပါဝါထိန်းချုပ်မှုနိမ့်ပါးခြင်းနှင့် ပြင်းထန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုပြဿနာများ အပါအဝင် နှစ်မျိုးသောအရေးကြီးသော စိန်ခေါ်မှုများကို ရင်ဆိုင်နေပါသည်။

MOSFET များသည် ဤပြဿနာများကိုဖြေရှင်းရန် သော့ဖြစ်ပါသည်။ R_DS(on)နိမ့်ပါးခြင်း၊ အလျင်မြန်ပြောင်းလဲနိုင်ခြင်းနှင့် ပက္ကံပြုလုပ်နိုင်ခြင်းစသည့် အားသာချက်များရှိသောကြောင့် မော်တာမောင်းဆီခ်ိန်၊ ဘက်ထရီကာကွယ်ရေးဆားကစ်များနှင့် ဝန်ဆားကစ်များတွင် အသုံးပြုကြပါသည်။
 
II. အသုံးပြုမှုတည်ဆောက်ပုံ- MOSFET များကို မောင်းဆီခ်ိန် module များတွင် မည်သို့အသုံးပြုသည်

ဝိုင်ယာမပါသော လျှပ်စစ်ကိရိယာများတွင် အများအားဖြင့် အပြည့်အဝ တံတား (full-bridge) သို့မဟုတ် တစ်ဝက်တံတား (half-bridge) မောင်းနှင်မှု တပ်ဆင်မှုပုံစံများကို အသုံးပြုပြီး မြန်နှုန်းကို ထိန်းချုပ်ရန်နှင့် စတင်မောင်းနှင်မှုကို ချောမွေ့စေရန် PWM ထိန်းချုပ်မှုနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုကြသည်။ MOSFET များသည် အောက်ပါတို့တွင် အဓိက အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်-
လျှော့ချရန် လမ်းကြောင်း ပြောင်းလဲခြင်း။ ဘက်ထရီမှ မော်တာသို့ အဓိက ပါဝါ ပြောင်းလဲခြင်း။
BLDC မော်တာ ကွန်မြူတေးရှင်း။ မြန်နှုန်းမြင့် ပြောင်းလဲမှုသည် DC မော်တာများကို ထိရောက်စွာ ကွန်မြူတေးရှင်း ပြုလုပ်ပေးနိုင်သည်။
ဘက်ထရီကာကွယ်ခြင်း။ နောက်သို့ တစ်ထပ်တည်း MOSFET များကို အသုံးပြု၍ ပြောင်းပြန် ပေါလာရိုးတိုင်နှင့် လျှပ်စီးကြောင်း တိုက်ခိုက်မှုများမှ ကာကွယ်ခြင်း။
ဒီဇိုင်းများတွင် အပူချိန် ခုခံမှုနှင့် နေရာ ထိရောက်မှုအတွက် SOP-8၊ TO-252 သို့မဟုတ် DFN ပက်ကေ့ခ်များကို အများအားဖြင့် ရွေးချယ်ကြသည်။

III. ဤစက်မှုလုပ်ငန်းတွင် MOSFET များကို ဘာကြောင့် ဦးစားပေးအသုံးပြုကြသနည်း
မက်ကာနစ် ရီလေများ သို့မဟုတ် ဒွိကူးလူဗို့ ထရားနှစ်စတာများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက MOSFET များသည် နည်းပညာအရ သိသိသာသာ အကျိုးကျေးဇူးများ ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည် -

 
IV. ဥပမာလေ့လာချက် - 18V ကြိုးမဲ့ Impact Driver MOSFET အသုံးပြုမှု

ဦးဆောင်အမှတ်တံဆိပ်၏ 18V ကြိုးမဲ့ impact driver ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ရာတွင် အင်ဂျင်နီယာအဖွဲ့သည် အောက်ပါဗျူဟာကိုအသုံးပြုခဲ့သည်။

TO-252 ပက်ကေ့ခ်အတွင်းရှိ N-channel MOSFET နှစ်ခုသည် full-bridge driver တစ်ခုကိုဖွဲ့စည်းသည်။
RDS(on) ကို 8 mΩ အောက်တွင်ထားရှိ၍ အပူနှင့်စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုကန့်သတ်ထားသည်။
အပူစုပေါင်းပက်ကေ့ခ်များသည် PCB ပေါ်ရှိ အလူမီနီယမ် heatsink များနှင့်အတူ အပူဖြန်ဖြူးရာတွင်အလုပ်လုပ်သည်။
အသံမဲ့ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်တက်လာစေရန် ချစ်ပ်ပေါ်ရှိ ESD ကာကွယ်မှုကို မြှင့်တင်ခဲ့သည်။

 
V. အနာဂတ်အလင်းရောင်: ပိုမိုထိရောက်သောနှင့် ပိုမိုသိပ်သည်းသည့်စနစ်များသို့
ကော်ဒ်မရှိ လျှပ်စစ်ကိရိယာများတွင် MOSFET အသုံးပြုမှု၏ အနာဂတ်တိုးတက်မှုများတွင် ပါဝင်သည်-
ဉာဏ်ရည်မြင့် ချို့ယွင်းချက် အသိအမှတ်ပြုခြင်း၊ GaN/SiC ပေါင်းစပ်ခြင်း၊ ပိုမိုသိပ်သည်းသော လျှပ်စစ်ဓာတ်အား မော်ဂျူးများ၊ MCU-BMS အပြန်အလှန်အလုပ်လုပ်နိုင်မှု။