မိုဘိုင်းနှင့် အမှီအငှားအသုံးပြုမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသော 8Gb အမြင့်မြန်၊ စွမ်းအင်နည်းပါးသော LPDDR4X DRAM
ထုတ်ကုန်အကြောင်းအရာ
K4F8E3S4HD-MGCL0JP သည် Samsung Semiconductor မှထုတ်လုပ်သော 8Gb LPDDR4X DRAM ဖြစ်ပြီး အမြင့်ဆုံး bandwidth နှင့် စွမ်းအင်အလွန်နည်းပါးစွာ အသုံးပြုနိုင်ရန် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားပါသည်။ JEDEC LPDDR4X စံချိန်စံညွှန်းများနှင့် အပြည့်အဝကိုက်ညီပြီး ပင် (pin) တစ်ခုလျှင် 4266 Mbps အထိ data rate များကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ 1.1V တွင်သာ အလုပ်လုပ်ပြီး 200-ball FBGA ပက်ကေ့ခ်အတွင်း စုစည်းထားသော ဒီဇိုင်းသည် အပူချိန်ထိန်းညှိမှုကောင်းမွန်ခြင်းနှင့် signal များ တည်ငြိမ်စေပြီး smartphone၊ ကားစနစ်များ၊ AI controller နှင့် စက်မှုလုပ်ငန်း IoT အသုံးချမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်စေပါသည်။
အဓိက လက္ခဏာများ
အသုံးပြုမှုများ
နည်းပညာဆိုင်ရာ သတ်မှတ်ချက်များ
| ပါရာမီတာ | တန်ဖိုး |
| သိပ်သည်းမှု | 8 Gb (1G × 8) |
| ဒေတာအဆောက်အလွှာ | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| ချောင်းများ | 2 × 16-ဘစ် |
| ထုပ်ပိုး | 200-Ball FBGA |
| အရွယ်အစား | 10 × 10 × 0.8 mm |
| အိမ်လှုပ်ရှားမှုအওင်းအကျင်း | -40°C ~ +95°C |
| လုပ်ဆောင်ချက်များ | CA လေ့ကျင့်ရေး၊ အလိုအလျောက် ပြန်လည်တင်ဆောင်ခြင်း |
| ကြားခံစနစ် | LPDDR4X |
| စွမ်းအင်ထိရောက်ခြင်း | နက်ရှိုင်းစွာ အိပ်စက်ခြင်း / ကိုယ်ပိုင် ပြန်လည်တင်ဆောင်ခြင်း |
အကြိုက်အချိန်တောင်းဆိုချက်
K4F8E3S4HD-MGCL0JP ၏ အမှန်တကယ်စတော့၊ စျေးနှုန်းနှင့် ပို့ဆောင်မှုအချက်အလက်များအတွက် RFQ တွင် သင့်အသုံးပြုမည့် ပမာဏ (Qty)၊ လိုအပ်သော ဦးတည်ကာလနှင့် စျေးနှုန်းကို ထည့်သွင်းပေးပါ။ ကျွန်ုပ်တို့၏အဖွဲ့မှ BOM kitting၊ spot supply နှင့် inventory management အတွက် အကောင်းဆုံးစျေးကုန်ပေးမှုနှင့် ပံ့ပိုးမှုကို အမြန်ဆုံးပေးအပ်ပါမည်။
EN
