TVS ဒိုင်အိုဒ်များ အလုပ်လုပ်ပုံ – အေဗာလန်ခ် ဘရိတ်ဒေါင်းန်ဖြင့် အလွန်မြန်သော ကလမ်ပင်းပေးခြင်း

အေဗာလန်ခ် ဘရိတ်ဒေါင်းန်ဖြစ်ပေါ်မှု၏ ရူပဗေဒသဘောတရားများသည် အချိန်အကောင်းဆုံးဖြင့် နနိုစကန်ဒ်အချိန်ကာလဖြင့် တုံ့ပြန်မှုပေးနိုင်ရန် အထောက်အကူပေးပါသည်။

TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် ဆီလီကွန်ပစ္စည်းပေါ်တွင် ထိန်းချုပ်ထားသော အဝေးကြောင်းဖြစ်ပေါ်မှု (avalanche breakdown) ကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် စက္ကန်းအနက် အစိတ်အပိုင်းများကို လျင်မြန်စွာ ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ဒိုင်အိုဒ်၏ အများဆုံးသော ဗို့အား (VBR) ကို ကျော်လွန်သော ရုတ်တရက် ဗို့အားမြှင့်တင်မှုဖြစ်ပေါ်လာသည့်အခါ အက်တမ်အဆင့်တွင် စိတ်ဝင်စားဖွယ်ရာဖြစ်ရပ်များ ဖြစ်ပေါ်လာပါသည်။ ထိခိုက်မှုဖြင့် အိုင်ယွန်ဖြစ်ပေါ်မှု (impact ionization) သည် အီလက်ထရွန်များနှင့် ဟိုက်လ်များကို အများအပြား မြန်မြန်ပေါ်ပေါက်စေပြီး အပိုအားကို ချက်ချင်းအောင် လျှပ်စစ်လမ်းကြောင်းဖွင့်ပေးသည့် လျှပ်စစ်လမ်းကြောင်းကို ဖန်တီးပေးပါသည်။ ဤအတွက် အဖြေပေးချိန်သည် နနိုစက်န်ဒ် (nanosecond) တစ်ခုအောက်သာဖြစ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် အခြားဖြေရှင်းနည်းများထက် ပိုမြန်သော လျှပ်စစ်စတေးတစ်ခ် (electrostatic discharge) များကို ကာကွယ်ရာတွင် ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ထိရောက်မှုရှိပါသည်။ ဤအစိတ်အပိုင်းများ၏ တိကျမှုသည် ထုတ်လုပ်မှုအဆင့်တွင် ထုတ်လုပ်သူများက အრီမ်န် (semiconductor) ပစ္စည်းကို ဘယ်လောက်အထိ အထူးသော ဓာတ်ပေါင်းများဖြင့် ထည့်သွင်းထုတ်လုပ်သည် ဆိုသည်ပေါ်တွင် အများအားဖြင့် မှီခိုပါသည်။ ဤသို့သော ဂရုတစိုက် ညှိနေမှုများကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် VBR တန်ဖိုးများကို အလွန်ကျဉ်းမျောင်းသော အပေါ်အောက်အတိုင်းအတာများဖြင့် ရရှိနိုင်ပါသည်။ ယင်းအတိုင်းအတာများသည် အများအားဖြင့် အပေါ်အောက် ၅% မှ ၁၀% အထိ ဖြစ်ပါသည်။ MOV များ သို့မဟုတ် ဂါစ် စွပ်ပေးသော ပိုက်များ (gas discharge tubes) ကဲ့သို့သော အခြားအစိတ်အပိုင်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်လျှင် TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် အပူချိန်မြင့်မှု သို့မဟုတ် လှုပ်ရှားနေသော အစိတ်အပိုင်းများပေါ်တွင် မှီခိုမှုမရှိပါသည်။ အစားထိုးအဖြေအနေဖြင့် အားကောင်းသော အခြေခံပစ္စည်းများ (solid state materials) အတွင်းရှိ ကွမ်တမ်ဖြစ်ရပ်များကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် အပူချိန်ပေါ်တွင် မှီခိုမှုမရှိဘဲ သို့မဟုတ် နှစ်များစွာ အသုံးပြုပြီးနောက်တွင်ပါ စိတ်ချရသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစေပါသည်။

ESD နှင့် လျှပ်စစ်စီးကုန်မှုဖြစ်စဉ်များအတွင်း အချိန်နှင့်တစ်ပါတည်း ကြေးနီချုပ်ထားမှုအပ behaviour

လုပ်ဆောင်ခြင်းကို စတင်ပေးလိုက်သည့်အခါ TVS ဒိုင်ယုိးမ်များသည် ရုတ်တရက် ဖြစ်ပေါ်လာသည့် ဗို့အား တက်မှုများကို ကွန်ပျူတာအသုံးပြုသည့် 'ကလမ်းပင်း ဗို့အား' (VC) အထိ ကန့်သတ်ပေးပါသည်။ ဤ VC သည် ပုံမှန်အားဖြင့် ဖြစ်ပေါ်ပေးသည့် ဗို့အား (VBR) ထက် ၂၀ မှ ၃၀ ရှုံးမှုရှိသည်။ ဥပမါအနေဖြင့် IEC 61000-4-2 ESD ဖြစ်ရပ်များကို ကြည့်ပါ။ ဤဖြစ်ရပ်များသည် ၅ နနိုစက္ကန်း (nanosecond) အထိ မြန်မြန်တက်လာသည့် ဗို့အားများဖြစ်ပါသည်။ ဒိုင်ယုိးမ်သည် ပထမဆုံး နနိုစက္ကန်းအတွင်းတွင်ပဲ ချက်ချင်း ကလမ်းပင်းခြင်းကို စတင်ပေးပါသည်။ ထို့ကြောင့် အန္တရာယ်များသည့် အမြင့်ဆုံး ဗို့အားများသည် အသုံးပြုသည့် အင်တီဂရိတ် စားကပ်များ (integrated circuits) ထိရောက်ရန် အတွက် အတားအဆီးဖြစ်ပေးပါသည်။ IEC 61000-4-5 စံနှုန်းများတွင် ဖော်ပြထားသည့် ၈/၂၀ မိုက်ခရိုစက္ကန်း (microsecond) လှိုင်းပုံစံများကဲ့သို့သည့် ကြာရှည်သည့် ပါဝါ အရှိန်များအတွက် ဤဒိုင်ယုိးများသည် အာမ်ပီယာ ထောင်နှစ်များ (IPP) ဖြင့် တိုင်းတာသည့် ကြီးမားသည့် လျှပ်စီးကြောင်းများကို မိုက်ခရိုစက္ကန်း လေးများဖြင့် မြေကြီးသို့ အန္တရာယ်ကင်းစွာ လွှဲပေးပါသည်။ ထို့အတွက် ချိတ်ဆက်ထားသည့် ပစ္စည်းများကို ပျက်စီးစေနိုင်သည့် အဆင့်အထိ VC ကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။ ဒိုင်ယုိးများတွင် အဓိကအားဖြင့် အများနှစ်များ ရှိပါသည်။ နှစ်မျှောင်လှုပ်ရှားမှု (bidirectional) များသည် ပုံစံမှန်မှု (polarity) မှုန်းမှုများမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှုမှ......AC ချိတ်ဆက်မှုများအတွက် အလွန်ကောင်းမောင်းသည့် စွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ထို့အတွက် DC စနစ်များတွင် မှန်ကန်သည့် အလုပ်လုပ်မှုကို ပေးနိုင်သည့် တစ်ဖက်သာ လှုပ်ရှားမှု (unidirectional) များသည် ကလမ်းပင်းခြင်းအတွင်း အနောက်ဘက် ဗို့အား (forward voltage) နိမ့်သည့် အကောင်းဆုံး စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးပါသည်။ သို့သော် TVS ဒိုင်ယုိးများကို အလွန်အသုံးဝင်စေသည့် အရေးကြီးသည့် အချက်များထဲတွင် အလိုအလျောက် ပြန်လည် စတင်အလုပ်လုပ်နိုင်သည့် သဘောသည် အရေးကြီးပါသည်။ ဗို့အား တက်မှုများ ဖြတ်သန်းပြီးနောက် ဒိုင်ယုိးများသည် အလိုအလျောက် ပုံမှန်အတိုင်း အမြင့်ဆုံး ပါဝါ ခုခံမှု အခြေအနေသို့ ပြန်လည်ရောက်ရှိပါသည်။ ထို့ကြောင့် လုပ်ဆောင်မှုကို အလိုအလျောက် ပြန်လည်စတင်ခြင်း သို့မဟုတ် အခြား ကာကွယ်ရေး ကိရိယာများတွင် ဖြစ်ပေါ်လာတတ်သည့် လက်ချ်အပ် (latch-up) ပြဿနာများကို ဖြေရှင်းရန် လိုအပ်မှု မရှိပါသည်။

အင်ဂျင်နီယာများ နားလည်ထားရန် အရေးကြီးသော TVS Diode ပါရာမီတာများ

VRWM၊ VBR၊ VC နှင့် IPP — ဒေတာရှီට်အတွင်းရှိ စပ်စ်များကို စနစ်တကျ ကာကွယ်ရေး အကွာအဝေးများသို့ ပြောင်းလဲခြင်း

TVS ရွေးချယ်မှုနှင့် စနစ်အဆင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ထိရောက်စွာ ထိန်းချုပ်ပေးသည့် ပါရာမီတာ (၄) ခုများမှာ—

• V _RWM (ပြောင်းပေးသော အနှောင့်အယှက် ဗို့အား) ဤဗို့အားသည် စားသုံးမှုအတွင်း ဖြစ်ပေါ်နိုင်သည့် အများဆုံး လုပ်ဆောင်ရေး ဗို့အားကို ကျော်လွန်ရမည်— ပုံမှန်အလုပ်လုပ်မှုအတွင်း စီးဆင်းမှု သို့မဟုတ် မှားယွင်းသော အစပ်ဖွင့်မှုများ မဖြစ်ပေါ်စေရန်အတွက် အနည်းဆုံး ၁၀–၁၅% အထိ ကျော်လွန်သင့်ပါသည်။
• V _Br (ဗို့အားချိုးဖောက်ခြင်း) ဤဗို့အားသည် အိုင်ယွန်းဖြစ်ပေါ်မှု စတင်မှုကို သတ်မှတ်ပေးပါသည်။ အကောင်းမွန်ဆုံး အကွာအဝေးအတွက် V နှင့် ၁.၂–၁.၅ ဆ ဖြစ်သင့်ပါသည်။ _RWM .
• V _စီ (ကုပ်လမ်းပင်း ဗို့အား) ဤဗို့အားသည် သတ်မှတ်ထားသည့် I အတွင်း အောက်ခြေရှိ အစိတ်အပိုင်းများသို့ ရောက်ရှိသည့် အများဆုံး ဗို့အားဖြစ်ပါသည်။ _PP — ကာကွယ်ထားသည့် IC များ၏ အနည်းဆုံး ပျက်စီးမှု နှုန်းထားအောက်တွင် လုံခြုံစွာ ရှိနေရမည်။
• I _PP (အများဆုံး ပုလ်စ် စီးဆင်းမှု) စံသတ်မှတ်ထားသော လှိုင်းပုံစံများ (ဥပမါ- ၈/၂၀ မိုက်ခရိုစက္ကန့်) အောက်တွင် အရှိန်မြင့် လျှပ်စစ်စီးကောင်းမှု စွမ်းရည်ကို အတိအကျ ဖော်ပြပေးခြင်းဖြစ်ပြီး၊ တန်ဖော်ပေးသော တန်ဖော်ပေးမှုများ မြင့်မားလေလေ စွမ်းအင်စုပ်ယူမှု စွမ်းရည် ပိုမိုကောင်းမောင်းလေလေ ဖြစ်ပါသည်။

အင်ဂျင်နီယာများသည် I အတွက် ၂၀% လျှော့ချမှုကို အသုံးပြုရမည် _PP ပတ်ဝန်းကျင်အပူခါး ၂၅°C ထက် ၅၀°C စီမြင့်တက်လာသည့်အတွက် တစ်ခုစီအတွက် V ကိုစစ်ဆေးရမည် _Br အပူခါးအတိုင်းအတာတစ်လျှောက် ခွင့်လွှတ်မှုအား အာမခံရန် အကာအကွယ်အတိုင်းအတာများကို တည်ငြိမ်စေရန်

မြန်နှုန်းမြင့် အင်တာဖေ့စ်များ (USB၊ HDMI၊ Ethernet) အတွက် စွမ်းရည် ಉಚಿಸದ್ಯಾಸದೆ ထည့်သွင်းစဉ်းစားရမည့်အချက်များ

ဆက်စပ်မှု စွမ်းရည် (C) _J ) သည် မြန်နှုန်းမြင့်ဒေတာလိုင်းများပေါ်ရှိ အချက်ပြမှုသမာဓိကို တိုက်ရိုက်သက်ရောက်မှုရှိသည်။ အနည်းငယ်သော capacitance ထည့်သွင်းခြင်းသည်ပင် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအကြောင်းအရာကို လျော့ပါးစေပြီး အနားသတ်နှုန်းများကို ပုံပျက်စေသည်—bit အမှားများ သို့မဟုတ် ချိတ်ဆက်မှုပျက်ကွက်မှုများကို ဖြစ်စေနိုင်သည်။ ပစ်မှတ်တန်ဖိုးများသည် တင်းကျပ်သည်-

• USB 3.2 Gen 2 (10 Gbps): ≤1.0 pF
• HDMI 2.1 (48 Gbps): ≤0.3 pF
• 10GbE Ethernet: ≤0.8 pF

ဒွိလက်ထံ TVS diodes များသည် အတိမ်းအရောင်းနှစ်များပါရှိသော ဒီဇိုင်းဖြစ်သောကြောင့် တစ်လက်ထံ TVS diodes များထက် ပိုမိုမြင့်မားသော capacitance ကို သဘောထားရှိပါသည်။ အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေသော parasitic effects များကို လျှော့ချရန် ကြိုးစားသည့်အခါ အနိမ့် capacitance ရှိသော TVS အစိတ်အပိုင်းများကို connector များ သို့မဟုတ် integrated circuit pads များမှ အကွာအဝေး ၁ လက်မ၏ တစ်ဝက်ခန့်ထက် ပိုမကွာစေရန် နေရာချခြင်းသည် အဓိပ္ပာယ်ရှိပါသည်။ ထို့အပြင် trace များကို ကျယ်ပြန့်ပြီး ဖော်ထုတ်ရန် အရေးကြီးပါသည်။ အများအားဖြင့် အသုံးများသော application များအတွက် ၂၀ mils အထိ ကျယ်ပြန့်သော trace များကို အသုံးပြုရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။ Ground pad ကို မှန်ကန်စွာ ချိတ်ဆက်ခြင်းလည်း အရေးကြီးပါသည်။ အောက်ပါအတိုင်း အာမ်ချိတ်ဆက်မှုကို တစ်ခုတည်းသော via ဖြင့် မဟုတ်ဘဲ ကောင်းမွန်သော solid reference plane နှင့် တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ရန် အများအားဖြင့် အသုံးများသော via များဖြင့် ချိတ်ဆက်ပါ။ ဤသို့လုပ်ခြင်းဖြင့် inductive impedance ကို လျှော့ချပေးပါသည်။ အကယ်၍ ထို inductive impedance ကို မထိန်းချုပ်ပါက voltage overshoot ပြဿနာများကို ပိုမိုဆိုးရွားစေနိုင်ပါသည်။

စံသတ်မှတ်ထားသည့် အန္တရာယ်ဖြစ်စဥ်များတွင် တီဗီအက်စ် (TVS) ဒိုင်ယုိးမ်များ၏ စံနှုန်းအတိုင်း လုပ်ဆောင်နိုင်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်

IEC 61000-4-2 (ESD), -4-4 (EFT) နှင့် -4-5 (surge) စံနှုန်းများကို ဖော်ပြထားသည့် လိုအပ်ချက်များကို ပြည့်မွန်စေခြင်း

TVS ဒိုင်အိုဒ်များကို ခက်ခဲသော ခံနိုင်ရည်ရှိမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးရန် တည်ဆောက်ထားပြီး အများအားဖြင့် လိုအပ်ချက်များထက် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ လုပ်ဆောင်နိုင်ပါသည်။ IEC 61000-4-2 စံနှုန်းများနှင့် ပတ်သက်လျှင် ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် ၃၀ kV ထိတ်တောက်သော ထိစပ်မှုဖြင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ESD ပေါက်ကွဲမှုများကို အလွန်မြန်မြန် ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ထိုသို့သော ပေါက်ကွဲမှုများသည် အရေးကြီးသော မိုက်ခရိုကန်ထရိုလာများ သို့မဟုတ် အင်တာဖေးစ် IC များကို ချက်ချင်းဖြစ်စေသည့် ပျက်စီးမှုများ သို့မဟုတ် အချိန်ကြာလေး ဖြစ်စေသည့် ပျက်စီးမှုများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ထိုဒိုင်အိုဒ်များသည် ထိုသို့သော ထပ်ခါထပ်ခါဖြစ်ပေါ်လာသော EFT ပေါက်ကွဲမှုများ (IEC 61000-4-4 စံနှုန်းအရ ၅ kHz မှ ၁၀၀ kHz အထိ အက frequency များ) နှင့်လည်း အလွန်ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ အလွန်မြန်သော ပြန်လည်ပေါ်ထွန်းမှုအချိန်နှင့် အနိမ့်သော ဒိုင်နမစ် ပေါ်တင်မှု (dynamic resistance) တို့ကြောင့် ဤဒိုင်အိုဒ်များသည် ဒေတာလိုင်းများမှ အမ်ပီယာအများအပြားပါသော ခဏတာ အပေါက်ပေါက်မှုများကို ဖယ်ရှားပေးနိုင်ပါသည်။ ထိုသို့သော ဖယ်ရှားမှုများသည် ဆက်သွယ်ရေးများကို မှားယွင်းစေခြင်းများ မဖြစ်စေပါ။ IEC 61000-4-5 စံနှုန်းများအရ အမြင့်စွမ်းအား ပေါက်ကွဲမှုစမ်းသပ်မှုများအတွင်း သက်သေပြထားသော TVS ဒိုင်အိုဒ်များသည် လိုင်းနှင့် မြေကြီးအကြား ၆ kV/၃ kA အထိ ထိခိုက်မှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိပါသည်။ ထိုသို့သော ထိခိုက်မှုများကို ခံနိုင်ရည်ရှိသော အချိန်အတွင်း အစိတ်အပိုင်းများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် မှုန်းမှုများ မဖြစ်စေဘဲ တည်ငြိမ်စွာ ရှိနေပါသည်။ အခြားသူများက ပြုလုပ်သော စမ်းသပ်မှုများအရ ဤအစိတ်အပိုင်းများသည် အလွန်ခက်ခဲသော အပူချိန်အခြေအနေများ (-၄၀°C မှ +၁၂၅°C အထိ) တွင် ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်လုပ်နိုင်ပါသည်။ ထိုသို့သော အစိတ်အပိုင်းများသည် Class 4 ခံနိုင်ရည်ရှိမှုစံနှုန်းများကို ဖော်ထုတ်ပေးနိုင်ပါသည်။ ဒီဇိုင်းအင်ဂျင်နီယာများသည် ဤအစိတ်အပိုင်းများကို စုစည်းထားသော ကာကွယ်မှုအစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ခြင်းကို အလွန်နှစ်သက်ကြပါသည်။ ထိုသို့သော အစိတ်အပိုင်းများသည် စုစည်းထားသော ကာကွယ်မှုအစိတ်အပိုင်းအဖြစ် အသုံးပြုနိုင်ခြင်းကြောင့် ဖီလ်တာများနှင့် အခြားသော ကလမ်ပင်မှုအစိတ်အပိုင်းများကို အလွန်များပြားစွာ အသုံးပြုရန် မလိုအပ်တော့ပါ။ ထိုသို့သော ရိုးရှင်းမှုသည် ပစ္စည်းစာရင်း (bill of materials) အတွက် လိုအပ်သော အစိတ်အပိုင်းများအရေအတွက်ကို လျော့နည်းစေပါသည်။ ထိုသို့သော ရိုးရှင်းမှုသည် အတည်ပြုခြင်းလုပ်ငန်းများကို ပိုမိုလွယ်ကူစေပါသည်။ ထိုသို့သော ရိုးရှင်းမှုသည် ထုတ်ကုန်များကို လက်တွေ့အသုံးပြုမှုနေရာများတွင် အသုံးပြုသည့်အခါ ပိုမိုကောင်းမွန်သော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို ဖော်ပေးပါသည်။

လက်တွေ့ကျသော TVS Diode ရွေးချယ်မှုနှင့် PCB Layout အတွက် အကောင်းဆုံး လုပ်ဆောင်နည်းများ

ဒိုင်ရက်ရှင်နယ် vs. ယူနီဒိုင်ရက်ရှင်နယ် TVS diodes - ပိုလာရီတီ၊ ဂရှုန်ဒ်င်းနှင့် အဖော်ထုတ်မှု ဖုံးလွှမ်းမှုများကို ကိုက်ညီစေခြင်း

Bidirectional နှင့် unidirectional TVS diodes များကြားတွင် ရွေးချယ်ရာတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် စနစ်အတွင်းတွင် စ ignal များကို မည်သို့လိုက်နာပေးထားသည်ကို နှင့် မည်သည့်အမျိုးအစားသော အက်ဖက်တ်များ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည်ကို စဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။ Bidirectional အမျိုးအစားများသည် အဝေးကြေးန်း (avalanche) diodes နှစ်လုံးကို နောက်ကောက်ပေးထားသည့် အတိုင်း အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် RS-485၊ HDMI နှင့် Ethernet ကဲ့သို့သော အရာများတွင် တွေ့ရသည့် AC coupled သို့မဟုတ် floating connection များအတွက် လိုအပ်ပါသည်။ အထိုးအမှုန်းများသည် ဘယ်လှည့်မှ ဖြစ်ပေါ်လာနိုင်သည့်အတွက် ဖြစ်ပါသည်။ Unidirectional အမျိုးအစားများသည် DC circuit များတွင် voltage clamping ကို ပိုမိုကောင်းမောင်းစေရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းတို့သည် positive transients များကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် လျှပ်စီးကို ပိုမိုထိရောက်စေသည့် အတွက် ဖြစ်ပါသည်။ ထို့အပေါ်အခြေခံ၍ negative spike တစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပါက လျှပ်စီးစီးဆင်းမှုကို ပိတ်ပေးပါသည်။ သို့သော် ဤအရာကို မှားယွင်းစွာ ရွေးချယ်မှုသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ Bidirectional communication line တစ်ခုပေါ်တွင် unidirectional diode တစ်ခုကို တပ်ဆင်မှုသည် negative surges များအတွက် ကာကွယ်မှုအား အပေါ်ယံအောက်ခြေမှ အားနည်းစေပါသည်။ ထိုအရာသည် downstream ရှိ အရွယ်အစားသေးငယ်သော အစိတ်အပိုင်းများကို ပျက်စီးစေနိုင်ပါသည်။ Ground connection သည်လည်း အလွန်အရေးကြီးပါသည်။ အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်မှုများတွင် TVS cathode (သို့မဟုတ် bidirectional model များတွင် shared point) မှ အက်ခ်စ်ကြေးန်းများကို တိုတောင်းပြီး ကျယ်ပေါက်သော copper trace များဖြင့် မှန်ကန်သော ground plane သို့ တိုက်ရိုက်ချိတ်ဆက်ပေးရပါမည်။ ထို့အပေါ်အခြေခံ၍ thermal vias များကို အများအပေါ် ထည့်သွင်းပေးရပါမည်။ မှားယွင်းသော grounding သည် အနှောင့်အယှက်ဖော်သော ground bounce အက်ဖက်တ်များကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ ထိုအက်ဖက်တ်များသည် surge protection အား ထိရောက်မှုကို လျော့နည်းစေပါသည်။ အချို့သော စက်မှုလုပ်ငန်းများတွင် transient behavior အပေါ် ပြုလုပ်သည့် စမ်းသပ်မှုများအရ ထိရောက်မှုသည် အနက်တွင် အနက်တွင် အနည်းဆုံး တစ်ဝက်ခန့် လျော့နည်းသွားနိုင်ပါသည်။

အကောင်းဆုံးနေရာချထားမှု - လေးစားဖွယ်ရာ အီန်ဒတ်စန်းကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ကာကွယ်ရေး အာနိသင်ကို အများဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း

PCB ကို ဘယ်လိုအစီအစဥ်ခွဲထားသည်ဆိုသည်မှာ TVS စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အစိတ်အပိုင်းများ၏ သေးငယ်သော အသေးစိတ်အချက်အလက်များကို ကြည့်ခြင်းထက် ပိုမိုအရေးကြီးပါသည်။ ဒိုင်အိုဒ်သည် ကန်နက်တာ (သို့မဟုတ်) ကာကွယ်ပေးထားသည့် IC ပင်များမှ စင်တီမီတာ တစ်ဝက်ခန့်ထက် ပိုများစေသည့် အကွာအဝေးတွင် တပ်ဆင်ရပ်နေသင့်ပါသည်။ စင်တီမီတာ တစ်ခုစီ အပိုထည့်သည့်အတွက် စီရီးစ် အိုင်န်ဒတ်တန်စ် (inductance) အဖြစ် နနိုဟင်နီ (nanohenries) ၁၀ ခန့် ပေါ်ပေါက်လာပါမည်။ ထိုသို့သော အိုင်န်ဒတ်တန်စ်များသည် ကလမ်ပင် (clamping) အာရုံခံမှုကို နှေးကွေးစေပြီး ESD ဖြစ်ရပ်များအတွင်း အန္တရာယ်ရှိသည့် ဗို့အား စပိုင်က်များ (voltage spikes) ဖြစ်ပေါ်လာစေနိုင်ပါသည်။ ထရေးစ်များကို ပုံဖော်သည့်အခါ ဖောက်ထွက်မှုများ (impedance problems) ကို ဖြစ်စေသည့် မျဉ်းဖြောင်းထက် ထောင်လိုက်ထောင်လိုက် မျဉ်းထောင်များ (right angle bends) များကို ရှောင်ရှားပြီး မျဉ်းဖြောင်းများကို ဖန်တီးပါ။ ထရေးစ်များကို အနည်းဆုံး ၂၀ မီလ် (mil) အထိ ကျယ်စေရပ်နေသင့်ပါသည်။ အမြန်နှုန်းမြင့် အင်တာဖေးစ်များအတွက် TVS ကို ကန်နက်တာနှင့် အနီးစပ်ဆုံး နေရာတွင် တပ်ဆင်ရပ်နေသင့်ပါသည်။ ဂရှုန်း (ground) ပက်ဒ်ကို ရည်ညွှန်းမှု မျက်နှာပုံ (reference plane) နှင့် တိုက်ရိုက် ဆက်သွယ်ရန် အနည်းဆုံး သုံးခု (သို့မဟုတ်) ထိုထက်ပိုများသည့် အကွာအဝေးများ ညီမျှစွာ ဖြန့်ကျက်ထားသည့် ဗိုင်အားများ (vias) ကို အသုံးပြုရပ်နေသင့်ပါသည်။ ထိုသို့သော နည်းလမ်းများသည် အိုင်န်ဒတ်တန်စ်နည်းသည့် ပြန်လာသည့် လမ်းကြောင်းကို ဖန်တီးပေးပြီး အိုင်စီများနှင့် အခြားအွန်လိုင်း စွမ်းအားများကို အန္တရာယ်မှ ကာကွယ်ပေးရန် စိန်ခေါ်မှုများ (surge current) ၏ ၉၀ ရှိသည့် အပိုင်းကို ဖြတ်သန်းစေပါသည်။ IEC 61000-4-2 စံနှုန်းများအရ လုပ်ဆောင်ထားသည့် အမှန်တကယ်သော စမ်းသပ်မှုများတွင် အိုင်ဒီအို (daisy chained) ဂရှုန်းများ (grounds) သို့မဟုတ် ရှည်လျားသည့် စတပ် (stub) ချိတ်ဆက်မှုများကို အသုံးပြုထားသည့် အဟောင်းနည်းလမ်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ထိုသို့သော လေးထောင်နည်းလမ်းများသည် သေးငယ်သည့် အချိန်ကြာမှုများ (transient exposure times) ကို အနက်တစ်ဝက်ခန့် လျော့နည်းစေကြောင်း တွေ့ရှိခဲ့ပါသည်။