Schottky ဒိုင်အုတ်များ အလုပ်လုပ်ပုံ - ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် အဓိက အားသာချက်များ

မက်တယ်-ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာ ဆန်ဒေးရှင်း၏ အခြေခံများ

Schottky diode များသည် ပုံမှန် PN diode များနှင့် ကွဲပြားစွာ အလုပ်လုပ်ကိုင်ပါသည်။ အဘယ့်ကြောင့်ဆိုသော် ၎င်းတို့သည် ပုံမှန် p-n ဆက်သွယ်မှု စနစ်အစား သတ္တုကို အသုံးပြုသော ဆီမီကွန်ဒပ်က်တာ ဆက်သွယ်မှုကို အသုံးပြုသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ ဤသို့ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် Schottky အတားအဆီးဟု ခေါ်သော အရာကို ဖန်တီးပေးပြီး ရှေ့ဘက်တွင် ဗို့အား အနည်းငယ်သာ အသုံးပြုရန် လိုအပ်သောအခါ အီလက်ထရွန်များ ဖြတ်သန်းနိုင်ပါသည်။ ဤနေရာတွင် အဓိက အားသာချက်မှာ ပုံမှန် PN diode များကို ပြဿနာဖြစ်စေသော အနည်းစု ကာရီယာ သိုလှောင်မှု ပြဿနာများ မရှိခြင်းဖြစ်သည်။ ၂၀၂၂ ခုနှစ်တွင် Ultralibrarian မှ ထုတ်ဝေသော သုတေသနအချို့အရ အီလက်ထရွန်များသည် ပစ္စည်းအတွင်း ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ရွေ့လျားနိုင်သောကြောင့် အပြတ်အသတ် ဧရိယာ မပါဝင်ခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် RF ဆာကစ်များ သို့မဟုတ် မြန်နှုန်းသည် အရေးအကြီးဆုံးဖြစ်သော ပါဝါ ပြောင်းလဲမှု စနစ်များကဲ့သို့ မြန်ဆန်သော တုံ့ပြန်မှု အချိန်ကို လိုအပ်သော အသုံးချမှုများအတွက် Schottky diode များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော ရွေးချယ်မှုများဖြစ်ပါသည်။

PN ဆက်သွယ်မှု diode များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ရှေ့ဘက် ဗို့အား ကျဆင်းမှု နည်းပါးခြင်း

Schottky diode များသည် ရှေ့ဘက် ဗို့အား ကျဆင်းမှုကို ~0.3V ၊ ဆီလီကွန် PN diode (~0.7V) တို့၏ ဝက်ခန့်သာ ရှိပါသည်။ 5A ဆာကစ်တစ်ခုတွင် ဤသို့ပြုလုပ်ခြင်းဖြင့် ပိုမိုသော ဆုံးရှုံးမှုများကို လျှော့ချပေးပါသည်။ 1.5w , ထိရောက်မှုကို သိသိသာသာ မြှင့်တင်ပေးပါသည်။ ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သောစနစ်များတွင် ဗိုဲ့အားကျဆင်းမှု နည်းပါးခြင်းက ကိရိယာအသုံးပြုနိုင်သည့် အချိန်ကို ၁၂% အထိ တိုးတက်စေနိုင်ကြောင်း လုပ်ငန်းခွင် လေ့လာမှုများက ဖော်ပြထားပါသည်။

အများစုသယ်ပိုးသည့် ပါဝင်မှုကြောင့် မြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲခြင်း

Schottky diodes များသည် အများစုသယ်ဆောင်သည့် အီလက်ထရွန်များသာ အသုံးပြု၍ အလုပ်လုပ်သောကြောင့် ပုံမှန် PN diode များထက် ၁၀ မှ ၁၀၀ ဆ ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်ပါသည်။ အချို့ကိစ္စများတွင် ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှုအချိန်သည် နာနိုစက္ကန့်အောက်တွင်ပင် ဖြစ်နိုင်ပါသည်။ ဤ diode များတွင် ပြောင်းပြန်ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှုအချိန်ပြဿနာ မရှိသောကြောင့် မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများတွင် အသုံးပြုရန် အလွန်သင့်တော်ပါသည်။ ၁MHz အထက်တွင် အလုပ်လုပ်သော switch mode power supply များ၊ RF mixer များနှင့် DC မှ DC converter circuit များတွင် အင်ဂျင်နီယာများက အလွန်နှစ်သက်စွာ အသုံးပြုကြပါသည်။ အခြားအစိတ်အပိုင်းများကို နှောင့်ယှက်နေသော ဗိုဲ့အားထိပ်တန်းများကို လျော့နည်းစေပြီး လျှပ်စစ်သံလိုက် ဝင်ရောက်မှုပြဿနာများကို လျော့နည်းစေရန် မြန်ဆန်စွာ ပြောင်းလဲခြင်းက ကူညီပေးပါသည်။

Schottky နှင့် PN ဆက်သွယ်မှု Diode များအကြား အဓိက ကွာခြားချက်များ

အထူးသတ်မှတ်ချက်	Schottky Diode	PN ဆက်သွယ်မှု ဒိုင်အုတ်
အရှေ့ဘက်သို့ ဗို့အားကျဆင်းမှု	0.2–0.5V	0.6–1.7V
ပိတ်ဖွင့်အမြန်နှုန်း	<1ns ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှုအချိန်	50ns–5µs ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှုအချိန်
ပြန်ကြားသော စိမ့်ယိုမှု	ပိုမိုမြင့်မားသော (µA–mA အတန်း)	နိမ့် (nA–µA အပိုင်း)
လည်ပတ်မှုအကြိမ်ရေ	100GHz အထိ	1GHz အထိ

ဤစွမ်းဆောင်ရည် ပရိုဖိုင်းသည် Schottky diodes ကို မြင့်မားသော အမြန်နှုန်း၊ နိမ့်သော ဗို့အား အသုံးပြုမှုများအတွက် နှစ်သက်ဖွယ်ရာ ရွေးချယ်မှုအဖြစ် တည်ရှိစေပြီး PN diodes များမှာ မြင့်မားသော ပြန်လည်တားဆီးသည့် ဗို့အား အခြေအနေများတွင် ပိုမိုကောင်းမွန်စွာ ကိုက်ညီပါသည်။

အောက်ခြေ ဗို့အားကျဆင်းမှုနည်းခြင်းဖြင့် စက်ဆုတ်စွမ်းဆောင်ရည် မြှင့်တင်ခြင်း

ဗို့အားကျဆင်းမှု၏ စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုနှင့် အပူစွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် သက်ရောက်မှု

Schottky diode များတွင် အတိုင်းအတာအားဖြင့် 0.3V ခန့်ရှေ့သို့ကျဆင်းမှုရှိပြီး မာလ်တီကန် သီးခြား ဆီလီကွန် diode များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုကောင်းမွန်သော 60% ခန့် ပိုမိုလျော့နည်းသော ပူးပေါင်းဆက်သွယ်မှုဆုံးရှုံးမှုများကို ဖြစ်စေပါသည်။ မာလ်တီကန် သီးခြား ရွေးချယ်မှုများတွင် တစ်ပုံမှန် 0.7 ဝပ်ခန့်ရှိသော အပူချိန်ကို အစားထိုး၍ 1 အမ်ပီယာ လျှပ်စီးကြောင်းတွင် အလုပ်လုပ်နေစဉ် ဤ diode များသည် ဝပ် 0.3 သာ ထုတ်လုပ်ပါသည်။ အပူဖိအားကို လျော့နည်းစေပြီး ဒီဇိုင်နာများအနေဖြင့် အပူချိန်ကို လျှော့ချရန် လုပ်ဆောင်မှုများကို လုံးဝရှောင်ရှားနိုင်စေရန် သေးငယ်သော လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအတွက် အရေးကြီးသော ကွာခြားမှုကို ဖြစ်စေပါသည်။ မော်တာ မောင်းသည့် စက်ကွင်းများကဲ့သို့ ပိုမိုမြင့်မားသော လျှပ်စီးကြောင်းများပါဝင်သော အသုံးချမှုများတွင် အပူချိန်များ ပိုမိုမြင့်တက်လာပြီး အပူစက်များဖြစ်ပေါ်စေကာ အစိတ်အပိုင်းများ အချိန်မတိုင်မီ ပျက်စီးရခြင်း၏ အဓိကအကြောင်းရင်းတစ်ခုဖြစ်သောကြောင့် ဤအကျိုးကျေးဇူးများသည် ပိုမိုထင်ရှားလာပါသည်။

Buck Converter များတွင် စွမ်းဆောင်ရည်တိုးတက်မှု - 12V မှ 5V ပြောင်းလဲမှု လေ့လာမှု

၁၂V မှ ၅V ဘတ်ခ် ပြောင်းလဲရေးကိရိယာဖြင့် အမ်ပီယာ ၁၀ ကို ကိုင်တွယ်နေစဉ် ပုံမှန်ဒိုက်ယုဒ်များအစား Schottky ဒိုက်ယုဒ်များကို အစားထိုးခြင်းဖြင့် TRRSemicon ၏ မှတ်တမ်းများအရ နှစ်ကုန်ဆုံးသည်အထိ ဝန်ဆောင်မှုဆုံးရှုံးမှုများကို ၇ ဝပ်မှ ၃ ဝပ်သို့ သိသိသာသာ လျှော့ချနိုင်ပါသည်။ ၄ ဝပ်ခြားနားမှုသည် စာရွက်ပေါ်တွင် များပြားသည်မဟုတ်သော်လည်း စနစ်၏ စုစုပေါင်း စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရာခိုင်နှုန်း ၄ ဖြင့် ၈၅% မှ ၈၉% အထိ တိုးတက်စေပါသည်။ ကိရိယာသည် အဆက်မပြတ် အလုပ်လုပ်ပါက နှစ်စဥ် ဝပ်-နာရီ ၃၅,၀၀၀ ခန့် ခြွေတာနိုင်ပါသည်။ နေရောင်ခြည်ဖြင့် အလုပ်လုပ်သော IoT စနစ်များတွင် စစ်ဆေးမှုများက ပိုမိုကောင်းမွန်သော ရလဒ်များကို ပြသပါသည်။ အထူးသဖြင့် အနိမ့်ဖိအား Schottky ဒိုက်ယုဒ်များ တပ်ဆင်ထားသော ကိရိယာများသည် လည်ပတ်စဉ် ပိုမိုသန့်ရှင်းသော ဗို့အားအဆင့်များကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သောကြောင့် အားသွင်းမှုအကြား ဘက်ထရီအသုံးပြုမှုကို ၁၇% ခန့် ပိုမိုကြာရှည်စေပါသည်။

ပိုက်ဆံသယ်ဆောင်နိုင်သောနှင့် ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သည့် ကိရိယာများတွင် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချခြင်း

Schottky diode များသည် ၁.၈ ဗို့အောက်ရှိ စက်ကွင်းများတွင် အလွန်ကောင်းမွန်စွာ အလုပ်လုပ်ပါသည်။ ၎င်းတို့တွင် အနိမ့်ဆုံး ဗို့အား (threshold voltage) ရှိပြီး တစ်ခါတစ်ရံ ၀.၃ ဗို့အထိ ရှိတတ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို ဂရုစိုက်ရသည့် ဝတ်ဆင်နိုင်သော နည်းပညာများနှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ စွမ်းရည်အာရုံခံကိရိယာများတွင် အရေးပါသော အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်လာပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် ကျန်းမာရေးစောင့်ကြည့်ကိရိယာများကို ယူပါ။ ဤကိရိယာများသည် ၀.၄ ဗို့ ဗို့အားကျဆင်းမှုကို ရှောင်ရှားနိုင်ပါက ၁၀၀ mAh ဘက်ထရီများဖြင့် တစ်နေ့လျှင် ၁၂ မိနစ်အပို စောင့်ကြည့်ချိန်ကို ရရှိမည်ဖြစ်ပါသည်။ စက်မှုဇုံ ဒေတာမှတ်တမ်းကိရိယာများသည်လည်း အကျိုးခံစားရပြီး အားသွင်းကာလများသည် ယခင်ကထက် ၂၂ ရာခိုင်နှုန်းခန့် ပိုမိုကြာရှိမည်ဖြစ်ပါသည်။ အပူချိန်စမ်းသပ်မှုများအရ ဤကိရိယာများသည် အပြင်းအထန် အသုံးပြုနေစဉ်တွင်ပါ အပူချိန်နိမ့်ကျစေရန် ဆက်သွယ်မှုအပူချိန်ကို စိတ်ချရသော ၄၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။

ပိတ်/ဖွင့် လုပ်ဆောင်မှုနှင့် RF အသုံးချမှုများတွင် မြန်နှုန်းမြင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဖွင့်လှစ်ခြင်း

SMPS တွင် မြင့်မားသော မှိုနှုန်းဖြင့် အလုပ်လုပ်ရန်အတွက် မြန်ဆန်သော ပြန်လည်ရရှိမှုကာလ

Schottky diode တွေဟာ switch mode power supply တွေမှာ 1 MHz ကျော်တဲ့ switching frequency တွေကို ကိုင်တွယ်နိုင်ပါတယ်၊ နာနိုစက္ကန့်အောက်မှာ တိုင်းတာတဲ့ မယုံနိုင်အောင် မြန်တဲ့ ပြန်လည်ထူထောင်မှု အချိန်တွေကြောင့်ပါ။ ဒီကိရိယာတွေဟာ ပုံမှန် diode တွေနဲ့ မတူဘဲ အလုပ်လုပ်ကြတယ်၊ အကြောင်းက ၎င်းတို့ဟာ အများစု သယ်ဆောင်သူ conduction ကို အားကိုးလို့ပါ။ ဆိုလိုတာက အနည်းစု သယ်ယူပို့ဆောင်ရေး ကုမ္ပဏီတွေမှာ သိုလှောင်ရေး ပြဿနာမရှိဘူး၊ အခြားအမျိုးအစားတွေလို ပြန်လည်ရရှိမှု ဆုံးရှုံးမှုတွေနဲ့ ပြဿနာမရှိတာ သေချာပါတယ်။ ၉၀% ကျော်ထိ ထိရောက်မှုရရှိရန် ရည်ရွယ်သော DC မှ DC သို့အမြင့်လှိုင်းပြောင်းစနစ်များတွင် အလုပ်လုပ်နေသူတိုင်းအတွက် Schottky diode များသည် လက်တွေ့သုံးစွဲမှုတွင် kHz ၅၀၀ ကျော်သော switching နှုန်းများနှင့် ပတ်သက်၍ မရှိမဖြစ်လိုအပ်နေသည်။

DC-DC converter များတွင် အပြောင်းအလဲ ဆုံးရှုံးမှု လျော့နည်းစေခြင်း

ချိတ်ဆက်မှုတွင် သိုလှောင်ထားသော အားမပါခြင်းသည် buck နှင့် boost topologies များတွင် စံ diode များနှင့်ယှဉ်လျှင် အပြောင်းအလဲဆုံးရှုံးမှု ၄၂% လျော့နည်းစေသည်။ ဒီဇိုင်နာတွေဟာ ဒီအသာစီးကို ကား 48V မှ 12V စနစ်တွေမှာ အသုံးချကြပြီး အဲဒီမှာ မြန်မြန်စွာ ချိတ်ဆက်ခြင်းက ရုတ်တရက် ဝန်ထုပ် ပြောင်းလဲမှုအတွင်း တည်ငြိမ်တဲ့ ထုတ်လွှတ်မှုကို ထိန်းသိမ်းဖို့ ကူညီပေးပါတယ်။

RF စက်ဆီးများတွင် အချက်ပြဒီမိုဒူလေးရှင်းနှင့် ရှာဖွေမှု

RF ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် Schottky diodes သည် 2.4 GHz အထက်ကြိမ်နှုန်းများတွင် envelope detection ပြုလုပ်ပေးပြီး ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှု 0.3 dB အောက်ဖြစ်စေသည်။ ၎င်းတို့၏ ဆက်စပ်မှု ကပ်ယ်စီတန်စ်နိမ့်ပါးမှု (<0.5 pF) သည် 5G millimeter-wave receiver များနှင့် radar module များတွင် signal integrity ကို သေချာစေသည်။

အကျိုး/အပြစ် ဆက်စပ်မှု: အမြန်နှုန်းမြင့်မားမှု နှင့် ပြန်လည်ဝင်ရောက်သော လျှပ်စီးကြောင်း တိုးများမှု

ပါရာမီတာ	Schottky Diode	PN ဆက်သွယ်မှု ဒိုင်အုတ်
ပြန်ကြားသော စိမ့်ယိုမှု	10–100 µA	0.1–1 µA
ပိတ်ဖွင့်အမြန်နှုန်း	<1 ns	50–100 ns
ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ	SMPS, RF	လိုင်း-ကြိမ်နှုန်း တစ်ခုသို့ ပြောင်းလဲခြင်း

PN diodes များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပြန်လည်ဝင်ရောက်မှု လျှပ်စီးကြောင်းသည် 100–100 ဆ ပိုများနိုင်သော်လည်း၊ သင့်တော်သော အပူဒီဇိုင်းနှင့် voltage derating တို့ဖြင့် အမြန်နှုန်းမြင့် အသုံးပြုမှုများတွင် ဤအားနည်းချက်ကို ထိရောက်စွာ စီမံနိုင်ပါသည်။

ဓာတ်အားပေးစနစ်နှင့် စွမ်းအင်စနစ်များတွင် အရေးပါသော အသုံးပြုမှုများ

စချိန်းထားသော ပြန်လည်တည်ဆောက်ခြင်း (Synchronous Rectification) ကို Switch-Mode Power Supplies (SMPS) များတွင် အသုံးပြုခြင်း

Schottky diodes များကို SMPS အတွင်းရှိ စချိန်းထားသော ပြန်လည်တည်ဆောက်ခြင်း စက်ဆွဲများတွင် အသုံးပြုကြပြီး ၎င်းတို့၏ အနိမ့်ဆုံး ဖြတ်သန်းမှုဗို့အား (0.15–0.45V) ကြောင့် ဓာတ်အား လျော့နည်းမှုကို 40% အထိ လျှော့ချပေးနိုင်ပါသည် (IEEE Power Electronics Journal 2023)။ ဤ ထိရောက်မှု တိုးတက်မှုသည် အပူစုပ်ကိရိယာကြီးများ မလိုအပ်ဘဲ 200W+ server နှင့် telecom adapter များကဲ့သို့ အရွယ်အစားသေးပြီး အမြင့်ဆုံး ပါဝါပေးနိုင်သော ဒီဇိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

ပါဝါရထားများတွင် ဗို့အားကို ကန့်သတ်ခြင်းနှင့် ပြန်ကန်းလှန် ပေါ်လာရီတီ ကာကွယ်ခြင်း

အင်ဂျင်နီယာများသည် 12–48V DC စနစ်များတွင် ပြောင်းလဲမှု အတိုင်းအတာများနှင့် ပြန်ကန်းလှန် ပေါ်လာရီတီ ကာကွယ်ရန် Schottky diodes များကို အသုံးပြုကြသည်။ ကားများရှိ CAN ဘတ်စ်များတွင် ကိရိယာတစ်ခုတည်းဖြင့် ဗို့အား ပြောင်းလဲမှုကို 60V/μs အောက်တွင် ကန့်သတ်နိုင်ပြီး load-dump ဖြစ်စဉ်များအတွင်း အာရုံခံမိုက်ခရိုကွန်ထရိုလာများကို ကာကွယ်ပေးနိုင်သည်။ 100V အောက်ရှိ အသုံးပြုမှုများတွင် ၎င်းတို့၏ နာနိုစကက် အတုံ့အဖြေသည် TVS diodes အများအား ကျော်လွန်နေပါသည်။

နေရောင်ခြည် ဘက်ထရီ ထိန်းချုပ်ကိရိယာများနှင့် ပြားများ ချိတ်ဆက်မှု ထိရောက်မှု

48V နေရောင်ခြည်စနစ်များတွင် Schottky diodes များသည် combiner box များကိုဖြတ်ပြီး voltage drop ကိုလျှော့ချပေးကာ စံပြ bypass diode များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက နေ့စဉ်စွမ်းအင် 2–3% ပို၍ရရှိစေသည်။ Arizona နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်စားသုံးမှုစမ်းသပ်မှုများ (NREL 2024) အရ အလင်းရောင်အပိုင်းအစများတွင် 40CPQ060 Schottky ကိရိယာများကိုအသုံးပြုပါက mismatch loss ကို 15% လျှော့ချနိုင်သည်။

လျှပ်စစ်နှင့် ဟိုက်ဘရစ်ယာဉ်များတွင် စွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုအခန်းကဏ္ဍ

Schottky diode များကို EV ၏အဓိကစနစ်ခွဲသုံးခုတွင် ထည့်သွင်းအသုံးပြုကြသည်-

• ဆဲလ်များကိုဟန်ချက်ညီအောင်ပြုလုပ်ပေးသော ဘက်ထရီစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ် (BMS)
• 12V အကူပါဝါကိုပေးသော DC-DC converter များ
• စွမ်းအင်ပြန်လည်သိမ်းဆည်းပေးသော ဘရိတ်စနစ်များ

2024 ခုနှစ်တွင် ဦးဆောင်လျှပ်စစ်ယာဉ်များကို ဆန်းစစ်သုံးသပ်ရာတွင် Schottky-based power distribution unit များသည် 300A အထိ တစ်ဆက်တည်းစီးဆင်းမှုများကို 98.7% စွမ်းဆောင်ရည်ဖြင့် စီမံနိုင်ပြီး မလိုအပ်သော parasitic loss များကို အနည်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ကာ မောင်းနှင်မှုအကွာအဝေးကို တိုးတက်စေသည်။

မေးလေ့ရှိသောမေးခွန်းများ

Schottky diode များ၏ အဓိကအားသာချက်များမှာ အဘယ်နည်း?

Schottky diode များသည် အမြန်ပြောင်းလဲနိုင်သော အမြန်နှုန်း၊ ရှေ့ဘက်တွင် အိုးမ်နည်းပါးခြင်းနှင့် ဗို့အားနည်းပြီး အမြန်နှုန်းမြင့်စက်ပစ္စည်းများတွင် ထိရောက်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။ ၎င်းတို့သည် RF ဆာကစ်များ၊ ပြောင်းလဲနိုင်သော ပါဝါပေးစက်များနှင့် ပို့က်ဆံသုံး လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။

အမြန်နှုန်းမြင့် အသုံးချမှုများတွင် Schottky diode ကို PN ဆန့်ကျင်ဘက် diode အစား အဘယ်ကြောင့် ဦးစားပေးအသုံးပြုကြသနည်း။

Schottky diode များသည် ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှု အချိန်အတိုရှိပြီး PN ဆန့်ကျင်ဘက် diode များတွင် တွေ့ရသော ပြန်လည်ကောင်းမွန်မှုအချိန် ပြဿနာများ မရှိပါ။ ဤသည်မှာ ဗို့အား တိုးမြင့်မှုများနှင့် လျှပ်စစ်သံလိုက် အနှောက်အယှက်များကို လျော့နည်းစေပြီး တည်ငြိမ်သော လုပ်ဆောင်မှုကို သေချာစေသောကြောင့် အမြန်နှုန်းမြင့် အသုံးချမှုများအတွက် သင့်တော်စေပါသည်။

ပို့က်ဆံသုံးပစ္စည်းများတွင် Schottky diode သည် ထိရောက်မှုကို အဘယ်သို့ မြှင့်တင်ပေးပါသနည်း။

Schottky diode များသည် ရှေ့ဘက်တွင် ဗို့အားကျဆင်းမှုနည်းပါးခြင်းကြောင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျော့နည်းစေပြီး ပို့က်ဆံသုံးနှင့် ဘက်ထရီဖြင့် အလုပ်လုပ်သော ပစ္စည်းများသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မထိခိုက်စေဘဲ အားသွင်းချိန်ကြားတွင် ပိုမိုကြာရှည်စွာ အသုံးပြုနိုင်စေပါသည်။

စွမ်းအင်စနစ်များတွင် Schottky diode များ၏ အသုံးချမှုများမှာ မည်သည့်အရာများ ဖြစ်ပါသနည်း။

Schottky diode များကို စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချပြီး ထိရောက်မှုမြှင့်တင်ရန်အတွက် တစ်ပြိုင်နက် rectification circuit၊ voltage clamping၊ ပြန်လည်ဝင်ရောက်ခြင်းကာကွယ်မှုနှင့် နေရောင်ခြည် panel interconnection တို့တွင် အသုံးပြုသည်။