MT40A512M16TD-062E:R | Micron 8Gb DDR4 SDRAM | Memori Prestasi Tinggi

Gambaran Produk

MT40A512M16TD-062E:R adalah SDRAM DDR4 8Gb daripada Micron, disusun sebagai 512M × 16 dan menyokong kelajuan hingga 2400MT/s.
Direka untuk pelayan, sistem rangkaian, komputer perindustrian, dan platform tertanam prestasi tinggi, ia memberikan lebar jalur yang cemerlang, latensi rendah, dan integriti isyarat yang konsisten.

Dibina berdasarkan piawaian JEDEC DDR4, ia beroperasi pada voltan rendah 1.2V, mengurangkan penggunaan kuasa sambil mengekalkan kebolehpercayaan tinggi untuk pemasangan jangka panjang dalam aplikasi kritikal.

Ciri-ciri Utama

• Seni bina DDR4 prestasi tinggi Micron
• ketumpatan 8Gb (susunan 512M × 16)
• Kadar data sehingga 2400MT/s
• Voltan operasi rendah sebanyak 1.2V
• Integriti isyarat dan kecekapan pemindahan yang dipertingkat
• Seni bina Kumpulan Bank untuk peningkatan keselarian
• Sesuai untuk beban kerja berkelajuan tinggi dan latensi rendah
• Pakej FBGA dioptimumkan untuk rekabentuk PCB padat
• Kebolehpercayaan gred perindustrian dan pelayan

Medan aplikasi

• Pelayan dan sistem pusat data
• PC Perindustrian dan papan induk terbenam
• Peralatan rangkaian (penghala, suis)
• Platform multimedia dan pemprosesan video
• Hiburan automotif (bukan gred automotif; bergantung pada projek)
• Terminal pengkomputeran tepi AIoT
• Peralatan pintar dan elektronik pengguna premium

Spesifikasi Utama

Permintaan Sebutharga

Untuk meminta harga bagi MT40A512M16TD-062E:R—termasuk ketersediaan, masa penghantaran, kuantiti pesanan minimum (MOQ), butiran lot, helaian data, dan cadangan komponen ganti—sila hantar RFQ anda.

Menyokong bekalan segera, sumber pembekalan bagi komponen yang kekurangan, penyediaan kit BOM, dan bekalan pengeluaran jangka panjang.