MT40A512M16TD-062E:R | Micron SDRAM DDR4 de 8 Gb | Memoria de alto rendimiento

Descripción del producto

El MT40A512M16TD-062E:R es un SDRAM DDR4 de 8 Gb de Micron, organizado como 512M × 16 y que admite velocidades de hasta 2400MT/s.
Diseñado para servidores, sistemas de red, ordenadores industriales y plataformas embebidas de alto rendimiento, ofrece un excelente ancho de banda, baja latencia y una integridad de señal constante.

Basado en los estándares JEDEC DDR4, funciona a un bajo voltaje de 1,2 V, reduciendo el consumo de energía mientras mantiene una alta fiabilidad para despliegues prolongados en aplicaciones críticas.

Las características clave

• Arquitectura DDR4 de alto rendimiento de Micron
• densidad de 8 Gb (organización 512M × 16)
• Velocidad de datos de hasta 2400MT/s
• Bajo voltaje de operación de 1,2 V
• Integridad de señal mejorada y eficiencia de transferencia
• Arquitectura de grupo bancario para mejorar el paralelismo
• Ideal para cargas de trabajo de alta banda y baja latencia
• Paquete FBGA optimizado para diseño compacto de PCB
• Fiabilidad industrial y para servidores

Campos de Aplicación

• Servidores y sistemas de centros de datos
• PC industriales y placas base embebidas
• Equipos de red (routers, switches)
• Plataformas multimedia y de procesamiento de vídeo
• Infotenimiento automotriz (no grado automotriz; depende del proyecto)
• Terminales de computación en el borde para AIoT
• Electrodomésticos inteligentes y electrónica de consumo premium

Especificaciones clave

Solicitud de cotización

Para solicitar precios para MT40A512M16TD-062E:R, incluyendo disponibilidad, tiempo de entrega, MOQ, detalles del lote, hoja técnica y recomendaciones de piezas equivalentes, envíe su RFQ.

Admite suministro puntual, abastecimiento en caso de escasez, preparación de kits BOM y suministro para producción a largo plazo.