제품 개요
K4F8E3S4HD-MGCL0JP는 삼성반도체에서 제작한 8Gb LPDDR4X DRAM으로, 높은 대역폭과 초저전력 동작을 위해 설계되었습니다. JEDEC LPDDR4X 표준에 완전히 부합하며, 1.1V의 동작 전압에서 최대 4266 Mbps의 데이터 전송 속도를 지원합니다. 소형 200볼 FBGA 패키지를 채택하여 탁월한 열 효율성과 신호 안정성을 보장하며, 스마트폰, 자동차 시스템, AI 컨트롤러 및 산업용 IoT 응용 분야에 이상적입니다.
주요 특징
응용 분야
기술 사양
| 매개변수 | 값 |
| 밀도 | 8 Gb (1G × 8) |
| 데이터 비율 | 4266Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| 채널 | 2 × 16비트 |
| 포장 | 200볼 FBGA |
| 치수 | 10 × 10 × 0.8mm |
| 온도 범위 | -40°C ~ +95°C |
| 기능 | CA 트레이닝, 자동 리프레시 |
| 인터페이스 | LPDDR4X |
| 전력 효율성 | 딥 슬립 / 셀프 리프레시 |
견적 요청
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