MSP430FR2355TDBTR

超低消費電力16ビットFRAMマイクロコントローラー ― 高速ADC、コンパレータ、タイマー、複数の通信インタフェースを備え、産業制御、センサーノード、エネルギー収穫アプリケーション向けに最適化されています。

製品の説明

製品概要

テキサスインスツルメンツのMSP430FR2355TDBTRは、FRAM技術を搭載した超低消費電力MSP430FR2x5xマイコンファミリの一部であり、高速書き込み、高い耐久性、低エネルギー消費を実現します。
16ビットRISC CPU、12ビットSAR ADC、コンパレータ、タイマー、16KB FRAM、4KB SRAM、および直列インターフェース（UART、SPI、I²C）を内蔵しています。
動作電圧は1.8V～3.6Vで、アクティブモード時でも120 µA/MHzの消費電流しか必要としないため、バッテリー駆動、エネルギーハーベスティング、産業用センサー用途に最適です。
小型VQFN-38（DBT）パッケージに収められており、産業用温度範囲（–40°C～+85°C）に対応しています。

主な特徴

16ビット超低消費電力RISC CPUアーキテクチャ
内蔵16KB FRAM＋4KB SRAM
12ビットSAR ADC（200 ksps）
オンチップコンパレータ、オペアンプ、および温度センサー
通信インターフェース：UART、SPI、I²C
timer_Aモジュール3つ
供給電圧：1.8V – 3.6V
アクティブ消費電力：120 µA/MHz（典型値）
スタンバイ電流：1 µA未満
パッケージ：VQFN-38 (DBT)

応用

産業自動化と制御システム
バッテリー駆動およびエネルギー収穫デバイス
スマートセンサーやワイヤレスセンサーノード
携帯型医療機器
高精度測定およびデータ収集システム

主な仕様

パラメータ	仕様
ブランド	テキサス・インスツルメンツ (TI)
部品番号	MSP430FR2355TDBTR
建築	16ビットRISC
メモリ	16 KB FRAM + 4 KB SRAM
について	12ビットSAR、200 ksps
インターフェース	UART、SPI、I²C
計時器	3 × Timer_A
動作電圧	1.8 V – 3.6 V
アクティブ電力	120 µA/MHz
待機電流	<1 µA
パッケージ	VQFN-38 (DBT)
動作温度	40°Cから+85°C
コンプライアンス	RoHS／REACH

お問い合わせ・サポート

Jaronはグローバル在庫と完全な技術サポートでTI製MSP430FR2355TDBTRを正規供給しています。
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