K4F8E3S4HD-MGCL0JP | サムスン LPDDR4X 8Gb メモリチップ | 高速、低消費電力のモバイルおよび組み込みメモリ

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K4F8E3S4HD- MGCL0JP

モバイルおよび組み込みアプリケーション向けに最適化された8Gb高速低消費電力LPDDR4X DRAM。

製品概要

K4F8E3S4HD-MGCL0JPは、サムスンセミコンダクター製の8Gb LPDDR4X DRAMで、高帯域幅と超低消費電力動作を実現するために設計されています。JEDEC LPDDR4X規格に完全に準拠しており、最大4266 Mbpsのデータレートをサポートしながら、動作電圧はわずか1.1Vです。小型の200ボールFBGAパッケージを採用し、優れた熱効率と信号安定性を確保しています。このため、スマートフォン、自動車用システム、AIコントローラー、産業用IoTアプリケーションに最適です。

 

主な特徴

  • JEDEC準拠LPDDR4X規格
  • ピンあたり最大4266 Mbpsのデータレートをサポート
  • 低電圧1.1V ± 0.06Vで動作し、消費電力を削減
  • システム帯域幅を高めるためのデュアル16ビットチャネル
  • CAトレーニングおよびレイテンシーキャリブレーション機能を含む
  • エネルギー効率のための自動リフレッシュおよびディープパワーダウンモード
  • スペースが限られた設計向けの小型200ボールFBGAパッケージ
  • モバイル、 automotive、および産業用アプリケーションに最適

 

応用

  • スマートフォンとタブレット
  • 自動車のインフォテインメントおよびナビゲーションシステム
  • AIおよびエッジコンピューティングデバイス
  • 産業用オートメーションおよびIoTコントローラー
  • コンシューマーおよびウェアラブル電子機器

 

技術仕様

パラメータ 価値
密度 8 Gb (1G × 8)
データレート 4266 Mbps
VDDQ 1.1V ± 0.06V
チャネル<br> 2 × 16ビット
パッケージ 200-ボール FBGA
寸法 10 × 10 × 0.8 mm
温度範囲 -40°C ~ +95°C
機能 CA トレーニング、自動リフレッシュ
インターフェース プードル4x
電力効率 ディープスリープ/セルフリフレッシュ

 

見積依頼

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