K4F8E3S4HD-MGCL0JP | Chip Memori Samsung LPDDR4X 8Gb | Memori Mobile dan Tertanam Berkecepatan Tinggi, Rendah Konsumsi Daya

Ikhtisar Produk

K4F8E3S4HD-MGCL0JP adalah DRAM LPDDR4X 8Gb dari Samsung Semiconductor, dirancang untuk bandwidth tinggi dan operasi ultra-hemat daya. Sepenuhnya sesuai dengan standar JEDEC LPDDR4X, mendukung kecepatan data hingga 4266 Mbps dengan tegangan operasi hanya 1,1V. Dengan kemasan FBGA 200-bola yang ringkas, chip ini menjamin efisiensi termal dan stabilitas sinyal yang sangat baik, menjadikannya ideal untuk ponsel cerdas, sistem otomotif, pengendali AI, dan aplikasi IoT industri.

Fitur Utama

• Standar LPDDR4X sesuai JEDEC
• Mendukung kecepatan data hingga 4266 Mbps per pin
• Beroperasi pada tegangan rendah 1,1V ± 0,06V untuk mengurangi konsumsi daya
• Dua saluran 16-bit untuk bandwidth sistem yang lebih tinggi
• Mencakup fitur pelatihan CA dan kalibrasi latensi
• Mode penyegaran otomatis dan mode hemat daya mendalam untuk efisiensi energi
• Paket FBGA 200-bola yang ringkas untuk desain dengan keterbatasan ruang
• Ideal untuk aplikasi mobile, otomotif, dan industri

Aplikasi

• Smartphone dan Tablet
• Sistem infotainment dan navigasi otomotif
• Perangkat AI dan komputasi edge
• Otomasi industri dan pengendali IoT
• Elektronik konsumen dan perangkat yang dapat dikenakan

Spesifikasi Teknis

Permintaan penawaran harga

Untuk informasi stok real-time, harga, dan pengiriman produk K4F8E3S4HD-MGCL0JP, harap sertakan Jumlah (Qty), Waktu Pemasokan yang Dibutuhkan, dan Harga Target dalam RFQ. Tim kami akan segera memberikan penawaran terbaik serta dukungan untuk kitting BOM, pasokan darurat, dan manajemen inventaris.