8 Gb-os nagysebességű, alacsony fogyasztású LPDDR4X DRAM mobil és beágyazott alkalmazásokhoz optimalizálva.
Termék áttekintése
A K4F8E3S4HD-MGCL0JP egy 8 Gb-os LPDDR4X DRAM, amelyet a Samsung Semiconductor fejlesztett ki nagy sávszélességű és ultraalacsony energiafogyasztású működésre. A chip teljes mértékben megfelel a JEDEC LPDDR4X szabványnak, adatátviteli sebessége akár 4266 Mbps is lehet, miközben csupán 1,1 V feszültséggel üzemel. Kompakt, 200 lábú FBGA tokozása kiváló hőelvezetést és jelstabilitást biztosít, így ideális választás okostelefonokhoz, járművek elektronikai rendszereihez, AI vezérlőkhöz és ipari IoT alkalmazásokhoz.
Főbb jellemzők
Alkalmazások
Műszaki specifikációk
| Paraméter | Érték |
| Sűrűség | 8 Gb (1G × 8) |
| Adatátviteli sebesség | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1,1 V ± 0,06 V |
| Csatornák | 2 × 16 bites |
| Csomagolás | 200-lábas FBGA |
| Méret | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Hőmérséklet tartomány | -40 °C ~ +95 °C |
| Funkciók | CA képzés, automatikus frissítés |
| Felület | LPDDR4X |
| Energiatagalmasság | Mély alvás / Önarosztás |
Ajánlatkérés
A K4F8E3S4HD-MGCL0JP valós idejű készletéről, áráról és szállítási információiról érdeklődve kérjük, adja meg Mennyiség (Qty), Szükséges átfutási idő és Célár a RFQ-ban. Csapatunk haladéktalanul a legjobb árajánlatot kínálja, valamint támogatást nyújt a BOM készletösszeállításhoz, azonnali beszerzéshez és készletgazdálkodáshoz.