Minden kategória

Technikai cikkek

Kezdőlap >  Alkalmazás >  Technikai Cikkek

Autóakku frontális védelem elvei

Több fordított極s polaritás-védelmi kör ismertetése autók elektromos elejénél, beleértve a Schottky-diódákat, a P-/N-csatorna MOSFET-eket és vezérlőalapú megoldásokat. Kiválóan alkalmas akkumulátorkezelőrendszerre (BMS), autó-elektronikai ECU-kre és EV teljesítménymodulokra alacsony hatalomveszteséggel és gyors válaszidővel mind dinamikus, mind statikus fordított polaritás-védelem igényei miatt.

Autóakku frontális védelem elvei

—— Fordított polaritás elleni védelem technológiája magyarázata

1. Mi az a fordított polaritás elleni védelem?

A fordított極ségvédelem (RPP) arra szolgál, hogy megakadályozza a rendszerek károsodását akkor, ha egy akkumulátort fordítva csatlakoztatnak. Gyakran található autók elektronikai áramkörében, Akkumulátorkezelő Rendszerekben (BMS), valamint különféle alacsony feszültségű DC bemeneti modulokban.
Három alapvető típusú fordított polaritás védelmi kör létezik:
- Soros szabványos/Schottky dióda
- Felső oldali P-csatorna MOSFET
- Felső oldali N-csatorna MOSFET

eb1a058b2d21eb93baa292df3617cef.png

2. Főáramú Fordított Polárás Védelem Megoldások

2.1 Dioda Soros Metódus

Alap-elv: Egy szabványos vagy Schottky dióda helyezésre kerül a pozitív áramút sorába, és csak akkor vezet, ha a polárás helyes.

Technikai Összehasonlítás:

Típus

Előrébbi Feszültségcsökkenés (V)

Előnyök

Hátrányok

Szabványos dióda

0.7 ~ 1.0

Egyszerű, alacsony költség

Magas feszültségcsökkenés, magas teljesítményveszteség

Schottky-dióda

0.2 ~ 0.5

Alacsony feszültségcsökkenés, magas hatékonyság

Nagyobb áramfolyás-hullámtétel

Alkalmazás: Alkalmi vagy költségsz敏g-sensitive alkalmazások.

314682f7f14a24cd0ea8d64ec1ebe36.png

2.2 P-szintű MOSFET megoldás (Ajánlott)

Körstruktúra: Egy P-csatornás növekmény MOSFET helyezkedik el sorosan a pozitív áramkörrel, gyakran egy Zener-diodával a kapcsoló védelmezésére.
Működési elv:
- Helyesen csatlakoztatva a MOSFET testdiodája vezet, és a Source terminál kap batteriagyárt.
- A Gate 0V-ban van, ami az Vgs-t negatívvá teszi, és bekapcsolja a MOSFET-et.
- A Zener-dioda korlátozza az Vgs-t a rögzített feszültségre.

Fordított csatlakozáskor: A testdioda fordított irányban van, a MOSFET ki van kapcsolva, a kör törött, és a rendszer védett.

Előnyök: Nagyon alacsony bekapcsolási ellenállás, sokkal alacsonyabb hatalomveszteség, mint a diódák esetében. Nem szükséges külső vezérlő.

Alkalmazás: Gyakran használják az autóelektronikában, az ECU-kben és a BMS elejei front end-ekben.

9c3e78489764029a6c6980149773b23.png

2.3 N-szintű MOSFET megoldás (magas teljesítmény)

Jellemzők:
- Alacsonyabb Rds(on), mint a P-csatornánál, alkalmas magas áramrendszerhez.
- A kapukhoz töltőpumpa vagy boost vezérlő szükséges, hogy a Vgs a forrás felett legyen.
Fordított kapcsolásban: A test diódja fordított irányba van polarizálva, a kapu vezérlése letiltva, és a MOSFET ki marad.
Alkalmazás: Kiválóan alkalmas magas hatékonyságú rendszerekhez, például az haladó EV-vezérlőkhöz.

2.4 Vezérlőalapú Megoldások: RPP vs. Tökéletes Dióda Vezérlők

Vezérlő típus

Jellemzők

Fordított áram blokkolása

RPP Vezérlő

N-kanálú MOSFET-tel működik, csupán fordított極性 védelmet nyújt

Nem

Ideális Dioda Vezérlő

Fordított極性 + fordított áram zárolási védelmet nyújt

Igen

3. Dinamikus vs Statikus Fordított極性

Statikus Fordított極性: Hosszútávú fordított kapcsolódás, stabil védelem szükséges.
Dinamikus Polárítás Fordítása: Ideiglenes fordított kapcsolódás, például pillanatnyi rossz behelyezés esetén gyors válasz szükséges.

4. Gépi Relé Védelem (További)

Előnyök:
- Magas csomagáramot bír el minimális feszültségesés nélkül.
- Teljes körű áramút bontást biztosít nyitva tartás esetén.
Hátrányok:
- Nagy méret, korlátozott élettartam.
- Lassú válasz, nem alkalmas gyakori kapcsolásra.

5. Összefoglaló és Kiválasztási Útmutató

Megoldás Típusa

Teljesítményfogyasztás

Költség

Válaszsebesség

Jelenlegi Kapacitás

Ajánlott Alkalmazás

Szabványos/Schottky dióda

Közepes a magas

Alacsony

Gyors

Alacsony a közepes

Egyszerű áramkörök, alacsony feszültségű rendszerek

P-Channel MOSFET

Alacsony

Közepes

Gyors

Közepes a magas

Főáramú autómotorkerékpár-energiatámogatás, BMS védelem

N-szintű MOSFET

Jelentősen alacsony

Közepes

Gyors

Magas

Magas szintű energiakezelés, EV ellenőrző modulok

Vezérlő-alapú

Alacsony

Közepes a magas

Gyors

Közepes a magas

Pontossági alkalmazások, ipari ellenőrzés

Relé

Jelentősen alacsony

Közepes

Lassú

Nagyon magas

Fizikai elválasztás, nagy áramos környezetek

Előz

Alumínium elektrolitikus kondenzátorok elektrikai jellemzői

Minden alkalmazás Következő

Metal-oxid varisztorok (MOVs) optimalizált alkalmazása gerezsszisztémákban

Ajánlott termékek