8 GB de DRAM LPDDR4X de baja potencia y alta velocidad optimizados para aplicaciones móviles y embebidas.
Descripción del producto
K4F8E3S4HD-MGCL0JP es una DRAM LPDDR4X de 8 Gb de Samsung Semiconductor, diseñada para alto ancho de banda y funcionamiento ultra bajo en potencia. Totalmente compatible con los estándares JEDEC LPDDR4X, soporta tasas de datos de hasta 4266 Mbps mientras opera a solo 1.1V. Con su compacto paquete FBGA de 200 bolas, el chip garantiza una excelente eficiencia térmica y estabilidad de señal, lo que la hace ideal para smartphones, sistemas automotrices, controladores de IA y aplicaciones industriales de IoT.
Las características clave
Aplicaciones
Especificaciones técnicas
| Parámetro | Valor |
| Densidad | 8 Gb (1G × 8) |
| Tasa de datos | 4266 Mbps |
| VDDQ | 1.1V ± 0.06V |
| Canales | 2 × 16 bits |
| Paquete | fBGA de 200 bolas |
| Dimensión | 10 × 10 × 0,8 mm |
| Rango de temperatura | -40°C ~ +95°C |
| Funciones | Capacitación CA, actualización automática |
| Interfaz | LPDDR4X |
| Eficiencia energética | Sueño profundo / Autoactualización |
Solicitud de cotización
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