GDT de montaje superficial serie JRSMD1206 | Encapsulado 1206, GDT de alto aislamiento para comunicación y protección contra sobretensiones de baja potencia
La serie JRSMD1206 cuenta con un montaje superficial estándar de huella 1206 con estructura bipolar, ofreciendo una respuesta de <1ns, baja capacitancia (<1pF) y alta resistencia aislante (>10⁹Ω). Diseñado para la protección contra sobrecargas en líneas de comunicación, interfaces de baterías, dispositivos de baja potencia y equipos de precisión, proporciona voltajes de ruptura que incluyen 90V, 150V, 230V, 300V y 350V. La capacidad de manejo de sobrecargas alcanza hasta 1kA (8/20μs), ideal para placas SMT de alta densidad.
| Número de parte JR | Voltaje de chispa DC | Voltaje máximo de chispa por impulso | Mínimo Resistencia de aislamiento |
Máximo Capacidad |
ARCO Voltaje |
Impulso Nominal Corriente de Descarga |
Tamaño | |
| JR1206-90ASMD | 90V±30% | no más de 600 V | ≤700V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-150ASMD | 150V±30% | no más de 600 V | ≤700V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-200ASMD | 200V±30% | ≤650V | ≤750V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-230ASMD | 230V±30% | ≤650V | ≤750V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-300ASMD | 300V±30% | ≤700V | ≤800V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-350ASMD | 350V±30% | ≤750V | ≤850V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-400ASMD | 400V±30% | ≤850V | ≤950V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-420ASMD | 420V±30% | ≤850V | ≤950V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
| JR1206-470ASMD | 470V±30% | ≤950V | ≤1050V | 1 GΩ | <0.5pF | ~10V | 0.5kA | 3.2*1.6*1.6 (1206) |
EN